本文中公开的实施方式包括消除系统，所述消除系统用于消除在半导体工艺中产生的化合物。消除系统包括等离子体源，所述等离子体源具有第一板件及平行于第一板件的第二板件。电极安置于第一板件与第二板件之间，且外壁安置于第一板件与第二板件之间，所述外...

本技术包含改进的气体分配设计，以在半导体处理操作期间形成均匀的等离子体，或用于处理半导体处理腔室的内部。虽然传统气体分配组件可接收随后被分配进入等离子体区域中的特定反应物或反应物比例，本文所述技术允许对反应物输入分配的改进的控制。技术允...

兹描述选择性地沉积钌的方法。优选的沉积表面根据处理期间的基板温度而改变。在高温下，钌沉积在导电材料的第一表面上更甚于绝缘材料的第二表面。在低温下，钌沉积在绝缘表面上更甚于导电表面。

等离子体源组件，所述等离子体源组件包括：RF热电极，所述RF热电极具有主体；和至少一个返回电极，所述至少一个返回电极与所述RF热电极间隔开以提供间隙，等离子体能够形成在所述间隙中。RF馈电器在距所述RF热电极的内周端部的某个距离处连接到...

本文所述的实施方式涉及用于利用基板制造波导结构的方法。形成具有由基板形成的输入耦合区域、波导区域，和输出耦合区域的波导结构。所述区域是通过将印模压印到抗蚀剂中以形成正波导图案来形成，所述抗蚀剂安置在硬掩模上，所述硬掩模形成在基板表面上。...

本发明描述电子装置处理系统。所述系统包括：主机外壳，所述主机外壳具有移送腔室、第一面、与所述第一面相对的第二面、第三面及与所述第三面相对的第四面；第一转盘组件，所述第一转盘组件耦接至第一面；第二转盘组件，所述第二转盘组件耦接至所述第三面...

本发明一般是有关于一种用于在一基板处理腔体中使用的基板支撑件。一粗糙化的基板支撑件减少在腔体内的电弧且亦提供均匀沉积于基板上。粗糙化可以两个步骤执行。于一第一步骤中，基板支撑件是进行喷珠以初步地粗糙化表面。接着，粗糙化的表面是以较细的磨...

本文所描述的实施方式涉及用于制造波导组合器的方法。所述方法提供波导组合器，所述波导组合器具有限定精细光栅的由无机或混合(有机和无机)材料形成的输入耦合区域、波导区域和输出耦合区域。在一个实施方式中，由压印印模形成波导结构，所述压印印模在...

当基板存在时，具有用于保持该基板的顶表面的可移动的基板支撑件被与静止的盖环连同使用，以调节阴影效应以在沉积处理期间控制基板边缘均匀性。盖环通过电隔离的间隔件而保持静止，该间隔件与半导体处理腔室的处理空间中的接地屏蔽件接合。控制器响应于盖...

本技术的实施方式可包括一种电镀系统。电镀系统可包括容器。系统亦可包括晶片固持件，被构造用于固持晶片于容器中。系统可进一步包括容器中的阳极。此外，方法可包括多个取样电极。针对多个取样电极中的每个取样电极，取样电流通道可由通道墙所限定。针对...

本公开内容的实施方式总体上涉及一种基座，所述基座用于增加支撑在其上的基板中的温度均匀性。所述基座包括主体，所述主体中嵌入有加热器。所述主体包括图案化的表面，所述图案化的表面包括第一区域和围绕所述中心区域的第二区域，所述第一区域具有在第一...

本发明描述了关于半导体处理腔室的系统及方法。示例性腔室可包括与腔室的第一出入口流体耦接的第一远端等离子体系统，及与腔室的第二出入口流体耦接的第二远端等离子体系统。系统亦可包括腔室中的气体分配组件，该气体分配组件可经配置以输送第一前驱物及...

固定环包括大体环状主体。该主体包括顶表面、底表面、外表面及内表面，该外表面在外顶部周边处与顶表面连接及在外底部周边处与底表面连接，该内表面在内顶部周边处与该顶表面连接及在内底部周边处与底表面连接。内表面包含七或七个以上的平坦刻面。邻近的...

本公开内容的实施方式涉及一种可旋转静电卡盘。在一些实施方式中，可旋转静电卡盘包括介电盘，该介电盘具有至少一个卡紧电极及多个冷却剂通道；低温歧管，该低温歧管耦接到介电盘并具有冷却剂入口及冷却剂出口，该冷却剂入口及该冷却剂出口两者皆流体耦合...

静电定位盘组件包括上定位盘板、下定位盘板和背板。上定位盘板包含AlN或Al

本发明揭露一种用于蒸发材料及用于将所述材料沉积于基板上的沉积装置，所述材料包括碱金属或碱土金属。沉积装置包含：第一腔室，所述第一腔室被配置为用于使材料液化，其中第一腔室包括气体入口，所述气体入口被配置为用于使气体进入第一腔室；蒸发区域，...

本公开内容的各方面整体上涉及底座、其部件以及将其用于衬底处理腔室的方法。在一个实现方式中，一种用于在衬底处理腔室中进行设置的底座包括主体。所述主体包括支撑表面。所述主体还包括从所述支撑表面向上突出的台阶状表面。所述台阶状表面围绕所述支撑...

本公开内容的实施方式总体上涉及一种基座，所述基座用于增加支撑在其上的基板中的温度均匀性。所述基座包括主体，所述主体中嵌入有加热器。所述主体包括图案化的表面，所述图案化的表面包括第一区域和围绕所述中心区域的第二区域，所述第一区域具有在第一...

在等离子体增强空间原子层沉积腔室中处理基板的设备及方法。基板移动经过一或更多个等离子体处理区域及一或更多个无等离子体处理区域，同时等离子体功率被脉冲化以防止基板上的电压差超过基板的破坏电压或基板上正形成的装置的破坏电压。

本文提供磁电管组件以及并有该磁电管组件的处理系统的实施例。一些实施例中，一种磁电管组件包括：可旋转磁体组件，耦接至主体的底部且具有彼此间隔开的多个磁体；以及包覆主体，设置在该多个磁体之间的空间中。一些实施例中，该磁电管组件进一步包括主体...