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应用材料公司专利技术
应用材料公司共有6595项专利
柔性盖板透镜膜制造技术
本文讨论并且提供诸如柔性盖板透镜膜的柔性显示设备。柔性盖板透镜膜具有良好的强度、弹性、光学透明度、耐磨性和热稳定性。盖板透镜膜包括:硬涂层,具有从约5μm至40μm的厚度;冲击吸收层,具有从约20μm至110μm的厚度;和基板层,具有从...
用于高温应用的耐等离子体腐蚀的薄膜涂层制造技术
诸如基座之类的制品包括热传导材料的主体,所述主体由所述主体表面上方的第一保护层与第二保护层涂覆。第一保护层是热传导陶瓷。第二保护层覆盖第一保护层,并且是可在650℃温度下抵抗破裂的耐等离子体的陶瓷薄膜。
EPI中的多区域点加热制造技术
本公开内容的实施方式大体涉及用于半导体处理的设备和方法,更具体地,涉及热处理腔室。热处理腔室包括基板支撑件、设置在基板支撑件上方或下方的第一多个加热元件、和设置在基板支撑件上方的点加热模块。点加热模块用于在处理期间对设置在基板支撑件上的...
垫调节器的切割速率监控制造技术
一种用于化学机械抛光的装置,包括平台,所述平台具有表面以支撑抛光垫;承载头,保持基板抵靠抛光垫的抛光表面;垫调节器,保持调节盘抵靠抛光表面;原位抛光垫厚度监控系统;及控制器。控制器配置成以相应临界值储存与多个调节器盘产品的每个相关联的数...
化学机械抛光期间的振动的监测制造技术
化学机械抛光设备包含:平台,该平台支撑抛光垫,该平台具有凹部;柔性膜,该柔性膜位于该凹部中;和原位振动监测系统,该原位振动监测系统产生信号。原位声音监测系统包含由该柔性膜所支撑的振动传感器,且放置该振动传感器以耦接至该抛光垫的下侧。
用于晶片上准确传感器位置确定的抖动校正制造技术
一种控制抛光的方法包括以下步骤:当基板的层经历抛光时将原位监测系统的传感器扫过基板、从原位监测系统产生取决于层厚度的信号值序列、从信号值序列中检测传感器穿过基板或固定环的前缘的时间和传感器穿过基板或固定环的后缘的时间;和针对信号值序列的...
原位实时等离子腔室状态监测制造技术
公开了原位实时等离子腔室状态监测。提供了用于原位和实时的腔室状态监测的方法。例如,在一个实施例中,对于腔室中的每个晶片,原位监测所述腔室中的自由基的频率和波长。所述自由基的所述频率和所述波长与至少一种选定的化学物质相关联。将所相关联的自...
具有改进的吸紧和电弧放电性能的静电吸盘设计制造技术
具有改进的吸紧和电弧放电性能的静电吸盘设计。本公开的方面涉及用于处理腔室的衬底支撑件的一个或多个实现方式。在一个实现方式中,一种衬底支撑件包括:主体,所述主体具有中心;以及支撑表面,所述支撑表面在所述主体上,所述支撑表面被配置为至少部分...
减少聚合物沉积的设备制造技术
本公开的实现方式提供了一种衬底支撑组件。本公开的实现方式提供了一种用于静电吸盘的工艺配件。在一个实现方式中,提供了一种衬底支撑组件。所述衬底支撑组件包括静电吸盘,所述静电吸盘具有形成在所述静电吸盘的上部分中的第一凹陷。工艺配件包围所述静...
用于高温应用的耐等离子体腐蚀的薄膜涂层制造技术
诸如基座之类的制品包括热传导材料的主体,所述主体由所述主体表面上方的第一保护层与第二保护层涂覆。第一保护层是热传导陶瓷。第二保护层覆盖第一保护层,并且是可在650℃温度下抵抗破裂的耐等离子体的陶瓷薄膜。
锂阳极装置堆叠制造制造方法及图纸
提供了金属电极、更具体地含锂阳极、包括前述的含锂电极的诸如二次电池组的高性能电化学装置、及其制造方法,在一个实现方式中,提供了阳电极结构。阳电极结构包含:包含铜的集电器、在集电器上形成的锂金属膜、在锂金属膜上形成的铜膜、和在铜膜上形成的...
针对垫厚度使用机器学习和补偿的抛光装置制造方法及图纸
针对传感器的每次扫描,从原位监测系统所接收的数据包括层上的多个不同位置的多个测量到的信号值。基于来自该原位监测系统的该数据确定抛光垫的厚度。针对每次扫描,基于该抛光垫的该厚度来调整该些测量到的信号值的一部分。针对多次扫描中的每次扫描和多...
减少DRAM字线中的栅极诱发的漏极泄漏制造技术
描述了存储器装置和形成存储器装置的方法。所述存储器装置包括两个功函数金属层,其中一个功函数层具有比另一个功函数层低的功函数。低功函数层可以减少栅极诱发的漏极泄漏电流损耗。还描述了形成存储器装置的方法。
稀土氧化物基单片式腔室材料制造技术
本申请公开了稀土氧化物基单片式腔室材料。一种固体烧结陶瓷制品可包括固溶体,所述固溶体包含:约30摩尔%至约60摩尔%的浓度的Y
稀土氧化物基单片式腔室材料制造技术
本申请公开了稀土氧化物基单片式腔室材料。一种固体烧结陶瓷制品可包括固溶体,所述固溶体包含:约30摩尔%至约60摩尔%的浓度的Y
用于3D NAND可扩展性的多层堆叠制造技术
本文所描述的实施方式涉及用于制造半导体器件(诸如存储器器件等等)的方法和材料。在一个实施方式中,存储器层堆叠包括具有不同的蚀刻速率的材料,其中选择性地去除一种材料以在器件结构中形成气隙。在另一个实施方式中,存储器层堆叠的含硅材料被掺杂或...
用于射频(RF)应用的环氧树脂模制化合物上的减薄硅的方法技术
本文描述用于处理半导体基板的方法的实施例。在一些实施例中,处理半导体基板的方法包括以下步骤:从具有多个管芯的重构基板的背侧移除材料,以暴露多个管芯中的至少一个管芯;蚀刻重构基板的背侧,以从暴露的至少一个管芯移除材料;以及在重构基板的背侧...
用于高产量处理腔室的工艺套件制造技术
本文公开了一种用于处理腔室的内部容积中的C形通道。在一个实施例中,所述C形通道包括:顶部环形部,所述顶部环形部具有穿过所述顶部环形部而形成的多个开口,所述多个开口将所述顶部环形部的顶表面与所述顶部环形部的底表面连接;底部环形部,所述底部...
疏水性静电吸盘制造技术
本公开内容涉及一种静电吸盘,包括:基座,所述基座具有介电第一表面,以在处理期间在其上支撑基板;和电极,所述电极设置在基座内、靠近介电第一表面,以在使用期间促进将基板静电耦合至介电第一表面,其中介电第一表面具有足够的疏水性,以在当与水接触...
分开的狭缝衬垫门制造技术
本文所公开的实施例总体上涉及具有分开的狭缝衬垫门组件的基板处理腔室部件。在一个实施例中,分开的狭缝衬垫门组件具有第一门部分(所述第一门部分具有顶表面、后面和前面)、设置在第一门部分的前面上的RF导电垫圈、第二门部分(所述第二门部分具有侧...
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