分开的狭缝衬垫门制造技术

本文所公开的实施例总体上涉及具有分开的狭缝衬垫门组件的基板处理腔室部件。在一个实施例中，分开的狭缝衬垫门组件具有第一门部分(所述第一门部分具有顶表面、后面和前面)、设置在第一门部分的前面上的RF导电垫圈、第二门部分(所述第二门部分具有侧面、底部和前表面，所述底部耦接到致动器)和连杆组件，所述连杆组件将第一门部分耦接到第二门部分，其中所述连杆组件经配置成转换第二门部分相对于第一门部分的垂直移动和将第一门部分与第二门部分隔开的水平移动。

Split slit padded door

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】分开的狭缝衬垫门
技术介绍
本文所描述的实施例总体上涉及具有带有RF返回路径的狭缝衬垫门的基板处理腔室部件组件。对相关技术的描述在半导体工业中，装置通过许多制造工艺(诸如蚀刻和沉积)制造，从而产生尺寸不断缩小的结构。一些制造工艺可能产生颗粒，所述颗粒经常污染正在被处理的基板，这导致器件有缺陷。随着器件几何尺寸的缩小，对缺陷的敏感性增加，且颗粒污染物要求变得更加严格。因此，随着器件几何尺寸的缩小，对颗粒污染的可容忍水平降低。另外，没有缺陷的更小器件的生产依赖于其中处理基板的等离子体处理腔室中所利用的等离子体的良好的均匀性。处理腔室通常具有腔室衬垫。基板通道开口穿过处理腔室和腔室衬垫，以允许基板进入和离开处理腔室。衬垫中的基板通道开口包括封闭件。封闭件与衬垫间隔开以限制摩擦，所述摩擦可产生可作为污染源而被引入处理环境中的颗粒。然而，由于基板通道开口产生的腔室衬垫的不均匀性/不对称性，因此难以实现封闭件附近的处理腔室中的等离子体的均匀性。等离子体的RF返回路径穿过腔室衬垫。由于返回RF电流不能穿过基板通道开口，因此RF返回路径在衬垫的一侧上较长(若形成有通道开口，则所述通道开口穿过所述衬垫)，从而导致在腔室衬垫的基板通道开口附近的等离子体的不均匀性/歪斜。因此，需要一种具有改进的RF返回路径的腔室衬垫。
技术实现思路
本文所公开的实施例总体上涉及具有分开的狭缝衬垫门组件的基板处理腔室部件。在一个实施例中，分开的狭缝衬垫门组件具有第一门部分(所述第一门部分具有顶表面、后面和前面)、设置在第一门部分的前面上的RF导电垫圈、第二门部分(所述第二门部分具有侧面、耦接到致动器的底部和前表面)，和连杆组件，所述连杆组件将第一门部分耦接到第二门部分，其中连杆组件经配置成转换第二门部分相对于第一门部分的垂直移动和第一门部分与第二门部分间隔开的水平移动。在另一实施例中，提供一种具有分开的狭缝衬垫门组件的半导体处理腔室部件组件。半导体处理腔室具有腔室主体、设置在所述腔室主体顶部的盖组件(其中处理容积形成在由所述盖组件和所述腔室主体界定的区域内)、设置在所述处理容积中的静电吸盘、围绕所述静电吸盘并且设置有所述处理容积的衬垫、穿过所述腔室主体和所述衬垫形成的开口、以及分开的狭缝衬垫门组件。分开的狭缝衬垫门组件具有第一门部分(所述第一门部分具有顶表面、后面和前面)、经设置在所述第一门部分的所述前面上的RF导电垫圈、第二门部分(所述第二门部分具有侧面、底部和前表面，所述底部耦接到致动器)、以及将所述第一门部分耦接到所述第二门部分的连杆组件，其中所述连杆组件经配置成转换所述第二门部分相对于所述第一门部分的垂直移动以及所述第一门部分与所述第二门部分间隔开的水平移动。在又另一实施例中，提供一种用于通过等离子体处理系统中的衬垫开口建立RF返回路径的方法。方法开始于以下步骤：通过衬垫和等离子体处理腔室的主体之间的空腔使具有致动器的分开的狭缝衬垫门组件在垂直方向上移动，其中所述分开的狭缝衬垫门组件具有第一门部分和第二门部分。使所述第一门部分在基本上水平的方向上移动，而通过连杆组件耦接到其的所述第二门部分在基本上垂直的方向上操作，并且当所述第一门部分覆盖了所述等离子体处理系统中的所述衬垫开口时，将所述第一门部分RF耦接至所述衬垫。附图说明因此，以可详细地理解本公开内容的上述特征的方式，可通过参考实施例获得上文所简要概述的本公开内容的更具体的描述，其中一些实施例示于附图中。然而，应注意到的是，附图仅示出了本公开内容的典型实施例，因此不应将附图视为限制本专利技术的范围，因为本公开内容可以允许其他等效的实施例。图1为示出根据一个实施例的具有分开的狭缝衬垫门的处理腔室的横截面侧视图。图2为根据一个实施例的图1的分开的狭缝衬垫门的等距视图。图3为根据一个实施例的在启动用于密封处理腔室的凸轮之前处于闭合位置的分开的狭缝衬垫门的放大视图。图4为根据一个实施例的具有被启动以密封处理腔室的凸轮的处于闭合位置的分开的狭缝衬垫门的放大视图。图5示出了连杆构件的操作。为清楚起见，已尽可能地使用相同的附图标记来表示附图之间共同的相同元件。另外，一个实施例的元件可有利地适用于本文所述的其他实施例中。具体实施方式本专利技术的实施例针对等离子体蚀刻腔室、等离子体增强化学气相沉积腔室、物理气相沉积腔室、等离子体处理腔室、离子植入腔室或其他具有穿过围绕等离子体区域的腔室衬垫的基板通道开口的合适的真空处理腔室。由于基板通道开口导致的RF返回路径的不对称性造成的处理结果(例如，蚀刻、沉积等)的不均匀性/歪斜通过分开的狭缝衬垫门减小，所述分开的狭缝衬垫门用于通过基板通道开口提供RF导电返回路径。RF导电路径提供围绕腔室衬垫360度的基本上对称的RF返回路径，包括邻近基板通道开口。分开的狭缝衬垫门还阻挡等离子体侵入狭缝衬垫门空腔，同时提供RF返回路径对称性。分开的狭缝衬垫门使用两件式弹簧加载的门。门的一部分较佳地围绕基板通道开口接触衬垫，以提供穿过衬垫的均匀RF返回路径。分开的狭缝衬垫门经配置成在没改变衬垫或处理腔室的情况下直接替换大多数常规的衬垫门。由分开的狭缝衬垫门提供的改进的RF返回路径改进了工艺均匀性并且大大减少了基板上的工艺偏斜。图1为根据本专利技术的一个实施例的等离子体处理系统100的示意性横截面图。等离子体处理系统100可为等离子体蚀刻腔室、等离子体增强化学气相沉积腔室、物理气相沉积腔室、等离子体处理腔室、离子植入腔室或其他合适的真空处理腔室。如图1所示，等离子体处理系统100通常包括腔室盖组件110、腔室主体组件140和排气组件190，腔室盖组件110、腔室主体组件140和排气组件190共同包围处理区域102以及排空区域104。实际上，处理气体被引入至处理区域102中并且使用RF功率被点燃成等离子体。基板105位于基板支撑组件160上并暴露于处理区域102中产生的等离子体，以对基板105执行等离子体工艺(诸如蚀刻、化学气相沉积、物理气相沉积、植入、等离子体退火、等离子体处理、削减或其他等离子体工艺。通过排气组件190来在处理区域102中保持真空，排气组件190从等离子体工艺通过排空区域104去除废弃的处理气体和副产物。腔室盖组件110通常包括与腔室主体组件140隔离并由腔室主体组件140支撑的上电极112(或阳极)和包围上电极112的腔室盖114。上部电极112通过导电气体入口管126耦合至RF电源103。导电气体入口管126与腔室主体组件140的中心轴(CA)同轴，从而对称地提供RF功率和处理气体这两者。上电极112包括附接至传热板118的喷头板116。喷头板116具有中央歧管120和一个或多个外部歧管122。一个或多个外部歧管122围绕中央歧管120。中央歧管120通过气体入口管126接收来自气源106的处理气体，且通过多个气体通道121将接收到的处理气体分配到处理区域102的中心部分中。(多个)外部歧管122接收处理气体，所述处理气体可以是在中央歧管120中接收的相本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种分开的狭缝衬垫门组件，包括：/n第一门部分，所述第一门部分具有顶表面、后面和前面；/nRF导电垫圈，所述RF导电垫圈经设置在所述第一门部分的所述前面上；/n第二门部分，所述第二门部分具有侧面、底表面和前表面；以及/n连杆组件，所述连杆组件将所述第一门部分耦接到所述第二门部分，其中所述连杆组件经配置成转换所述第二门部分相对于所述第一门部分的垂直移动以及将所述第一门部分与所述第二门部分间隔开的水平移动。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171005 US 15/726,1391.一种分开的狭缝衬垫门组件，包括：
第一门部分，所述第一门部分具有顶表面、后面和前面；
RF导电垫圈，所述RF导电垫圈经设置在所述第一门部分的所述前面上；
第二门部分，所述第二门部分具有侧面、底表面和前表面；以及
连杆组件，所述连杆组件将所述第一门部分耦接到所述第二门部分，其中所述连杆组件经配置成转换所述第二门部分相对于所述第一门部分的垂直移动以及将所述第一门部分与所述第二门部分间隔开的水平移动。


2.如权利要求1所述的分开的狭缝衬垫门组件，进一步包括：
致动器，所述致动器经配置成提供垂直移动，所述致动器耦接到所述第二门部分的所述底表面。


3.如权利要求1所述的分开的狭缝衬垫门组件，进一步包括：缓冲器，所述缓冲器经设置在所述顶表面上。


4.如权利要求1所述的分开的狭缝衬垫门组件，其中所述连杆组件进一步包括：
拉伸弹簧连杆，所述拉伸弹簧连杆将所述第一门部分偏置到所述第二门部分。


5.如权利要求4所述的分开的狭缝衬垫门组件，其中所述连杆组件进一步包括：
椭圆孔，所述椭圆孔形成在将所述第一门部分耦接到所述第二门部分的所述连杆的一端中；以及
压缩偏置弹簧，所述压缩偏置弹簧经设置在偏置所述第一门部分远离所述第二门部分的所述连杆之上。


6.如权利要求5所述的分开的狭缝衬垫门组件，其中所述连杆在第一端耦接到所述第一门部分并在第二端耦接到所述第二门部分，并且其中当所述水平移动使所述第一门部分与所述第二门部分间隔开时，所述第一端以弧形行进。


7.如权利要求1所述的分开的狭缝衬垫门组件，其中所述RF导电垫圈由氧化钇形成。


8.如权利要求7所述的分开的狭缝衬垫门组件，进一步包括：由PTFE形成的密封件。


9.一种半导体处理腔室，包括：
腔室主体；
盖组件，所述盖...

【专利技术属性】
技术研发人员：H·诺巴卡施，R·若林，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US