【技术实现步骤摘要】
用于高温应用的耐等离子体腐蚀的薄膜涂层本申请是2015年4月23日提交的申请号为201580017814.9、题为“用于高温应用的耐等离子体腐蚀的薄膜涂层”的申请的分案申请。
一般而言，本专利技术的实施例总体上关于频繁地暴露于高温以及直接或远程等离子体环境的保护性腔室部件。
技术介绍
在半导体产业中，通过生产不断减小尺寸的结构的多个制造工艺来制造器件。一些制造工艺(诸如，等离子体蚀刻与等离子体清洁工艺)使基板暴露于高速等离子体流以蚀刻或清洁基板。等离子体可以是高度侵蚀性的，并且可侵蚀暴露于等离子体的处理腔室和其他表面。因此，等离子体喷涂的保护涂层常用来保护处理腔室部件免于侵蚀。一些制造工艺在高温(例如，超过400℃的温度)下执行。传统的等离子体喷涂的保护涂层对于用于此类工艺的一些腔室部件可能是不适合的。
技术实现思路
在示例实施例中，制品包括具有热传导材料的主体。制品进一步包括主体表面上的第一保护层，第一保护层是热传导陶瓷。制品进一步包括第一保护层上的第二保护层，第二保护层包括可在高达65...
【技术保护点】
1.一种耐等离子体制品，包括：/n主体，所述主体包括热传导材料，其中所述热传导材料是热传导半金属或热传导玻璃-碳；/n第一保护层，所述第一保护层在所述主体的表面上，所述第一保护层是热传导陶瓷；以及/n第二保护层，所述第二保护层在所述第一保护层上，所述第二保护层包括耐等离子体的陶瓷薄膜，所述耐等离子体的陶瓷薄膜在高达650℃的温度下抵抗破裂。/n
【技术特征摘要】
20140425 US 61/984,691;20150422 US 14/693,7451.一种耐等离子体制品，包括：
主体，所述主体包括热传导材料，其中所述热传导材料是热传导半金属或热传导玻璃-碳；
第一保护层，所述第一保护层在所述主体的表面上，所述第一保护层是热传导陶瓷；以及
第二保护层，所述第二保护层在所述第一保护层上，所述第二保护层包括耐等离子体的陶瓷薄膜，所述耐等离子体的陶瓷薄膜在高达650℃的温度下抵抗破裂。
2.如权利要求1所述的耐等离子体制品，其中所述热传导材料包括石墨。
3.如权利要求1所述的耐等离子体制品，其中所述热传导材料包括所述热传导半金属，并且所述第一保护层包括碳化硅。
4.如权利要求1所述的耐等离子体制品，其中所述耐等离子体制品是用于原子层沉积腔室的基座。
5.如权利要求4所述的耐等离子体制品，其中所述第一保护层包括多个凹部，所述多个凹部中的每一个都配置成支撑晶片并具有多个表面特征，其中所述第二保护层共形于所述多个凹部且共形于所述多个表面特征。
6.如权利要求1所述的耐等离子体制品，其中：
所述主体包括所述热传导半金属且所述热传导半金属是石墨；
所述第一保护层包括碳化硅且具有5-100微米的厚度；以及
所述第二保护层是具有低于1％的孔隙率、包括从由Er3Al5O12、Y3Al5O12和YF3构成的组中选出的陶瓷且具有5-50微米的厚度的共形层。
7.如权利要求1所述的耐等离子体制品，进一步包括：
保护层叠层，所述保护层叠层在所述第一保护层上，所述保护层叠层至少包括所述第二保护层以及覆盖所述第二保护层的第三保护层，其中所述第三保护层具有低于20微米的厚度且包括以下各项中的至少一者：Y3Al5O12、Y4Al2O9、Er2O3、Gd2O3、Er3Al5O12、Gd3Al5O12或包括Y4Al2O9与Y2O3-ZrO2固体-溶液的陶瓷化合物。
8.如权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：V·菲鲁兹多尔，B·P·卡农戈，J·Y·孙，M·J·萨里纳斯，J·A·李，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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