于此提供了处理腔室部件及处理腔室部件的制造方法。在一些实施方式中，一种部件部分主体包括具有基底平面和至少一个带纹理的表面区域的部件部分主体，其中至少一个带纹理的表面区域包含多个独立表面特征，多个独立表面特征具有相对于基底平面至少45度角...

在本文中描述的实施方式涉及具有冷凝器的高压处理系统和用于利用所述高压处理系统的方法。处理系统包含：处理腔室、锅炉、冷凝器和一个或多个热交换器。所述锅炉产生流体(例如蒸气或超临界流体)，并且将所述流体输送至处理基板所在的处理腔室。在处理基...

提供了自对准式双图案化方法，所述方法包括特征修整。在单个批处理腔室中执行SADP工艺，在所述单个批处理腔室中，基板在处理腔室的被气体幕分开的区段之间侧向移动，使得每个区段独立地具有工艺条件。

本文中提供一种用于化学机械抛光承载头的保持环，具有用于基板的固定表面。在一些实施方式中，该保持环可以包括具有中央开口的环形主体、被形成在该主体中的通道，其中该通道的第一端邻近该中央开口；以及被设置在该通道内并邻近该第一端的传感器，其中该...

此处所述的实施方式涉及一种具有多个空腔形成于其中的基板夹持装置。空腔形成于夹持装置的主体中，且多个支撑元件从主体延伸，且将多个空腔的各者分开。在一个实施方式中，第一多个通口形成于主体的顶部表面中，且通过多个支撑元件的一个或多个延伸至主体...

一种增材制造设备包含：平台、分配器，所述分配器用以将进料的多个连续层输送至所述平台、光源，所述光源用以产生光束、第一多边形镜扫描仪，所述第一多边形镜扫描仪用以反射所述光束而朝向所述平台行进，及第二多边形镜扫描仪，所述第二多边形镜扫描仪用...

本文中提供了用于提供均匀流体流的气体注射器。所述气体注射器包括充气主体。所述充气主体包括：凹口；凸部，与所述凹口相邻且侧向延伸远离所述充气主体；及多个喷嘴，从所述充气主体的外表面侧向延伸。所述充气主体在所述充气主体的外壁中具有多个孔。各...

涉及具有以直接上转换对微波场的旋转频率进行的数字控制的等离子体反应器。一种用于处理工件的等离子体反应器具有微波源与用户接口，微波源具有使用直接数字上转换的数字同步的旋转频率，用户接口用于控制该旋转频率。

提供了一种环，包括主体以及设置在所述主体内的气体流动系统。所述气体流动系统包括弧形凹槽；周向凹槽；一个或多个内部通道，所述一个或多个内部通道将所述周向凹槽流体地耦接到所述弧形凹槽；以及多个喷嘴区域，其中所述多个喷嘴区域设置在所述主体的内...

本公开的方面涉及用于处理腔室的衬底支撑件的一个或多个实现方式。在一个实现方式中，一种衬底支撑件包括：主体，所述主体具有中心；以及支撑表面，所述支撑表面在所述主体上，所述支撑表面被配置为至少部分地支撑衬底。所述衬底支撑件包括：第一成角度壁...

本文描述的实施方式涉及用于消除半导体工艺中产生的化合物的热交换器。当热流出物流动至热交换器中时，可使冷却剂流动至热交换器之内的热交换表面的壁。热交换表面可以是产生多级交叉流动路径的弯曲形状，以便热流出物从热交换器流下。此流动路径迫使热流...

本文提供用于退火半导体基板的设备，例如批处理腔室。批处理腔室包含：腔室主体，封闭内部容积；匣，可移动地设置于内部容积内；以及栓塞，耦合至该匣的底部壁。腔室主体具有穿过腔室主体的底部壁的孔洞，并且与一个或更多个加热器交界，该加热器可操作以...

提供了用于在工艺腔室中的离子轰击工艺期间减少喷头上的粒子产生的方法、系统及设备。将第一RF信号及第二RF信号从RF发生器供应到嵌入工艺腔室中的基板支撑件中的电极。响应于对第一RF振幅、第二RF振幅、第一RF相位及第二RF相位的测量，相对...

描述了用于处理基板(101)的基板支撑件(100)。所述基板支撑件包括：支撑主体(110)；以及干粘合物(120)，所述干粘合物附接到所述支撑主体，所述干粘合物为所述基板提供保持布置，所述支撑主体被配置为使所述基板移动一角度而进入处理区...

本文公开了一种处理腔室和适合在处理腔室的端点检测系统中使用的倾斜窗口。所述倾斜窗口具有安装框架，所述安装框架具有主体，所述主体包括第一区段和垂直于所述第一区段延伸的第二区段。所述第二区段具有上表面和底表面，所述第二区段的上表面相对于所述...

描述了用于在金属表面上沉积金属氧化物层的方法。所述方法包括将基板暴露于分开剂量的金属前驱物和醇，所述金属前驱物不含有金属‑氧键。这些方法不会氧化下面的金属层。

本文所描述的实施方式涉及形成氮化硅膜的方法。在一个实施方式中，使包括含硅气体和第一含氮气体的第一工艺气体组流入工艺腔室中。通过以第一频率和第一功率水平将第一射频功率施加到所述第一工艺气体组来沉积初始化层。中断所述第一工艺气体组的所述第一...

本发明描述了一种冷却沉积源(200)的方法(100)。所述方法包括：停止(110)从沉积源沉积材料，所述沉积源布置在沉积腔室(250)中；并且将冷却气体引入(120)沉积腔室(250)中，所述冷却气体包含λ≥0.05[W/(m*K)]的...

纳米粉末包含纳米粒子，该纳米粒子具有带有薄膜涂层的核心粒子。核心粒子与薄膜涂层独立地由含稀土金属氧化物、含稀土金属氟化物、含稀土金属氟氧化物或其组合中的至少一个所形成。可使用诸如原子层沉积(ALD)的非直视性技术形成薄膜涂层。本文也公开...

本申请公开了稀土氧化物基单片式腔室材料。一种固体烧结陶瓷制品可包括固溶体，所述固溶体包含：约30摩尔％至约60摩尔％的浓度的Y