稀土氧化物基单片式腔室材料制造技术

本申请公开了稀土氧化物基单片式腔室材料。一种固体烧结陶瓷制品可包括固溶体，所述固溶体包含：约30摩尔％至约60摩尔％的浓度的Y

Rare earth oxide based monolithic cavity materials

【技术实现步骤摘要】
稀土氧化物基单片式腔室材料本申请是PCT国际申请号为PCT/US2014/065080、国际申请日为2014年11月11日、进入中国国家阶段的申请号为201480042642.6，题为“稀土氧化物基单片式腔室材料”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术的实施例大体而言关于抗等离子体的稀土氧化物基(rare-earthoxidebased)材料，并且尤其是关于由抗等离子体的稀土氧化物基材料形成的固体烧结陶瓷制品。
技术介绍
在半导体工业中，通过众多用于生产尺寸日益缩小的结构的制造工艺来制造器件。一些制造工艺(诸如，等离子体蚀刻和等离子体清洁工艺)使基板暴露于高速的等离子体流中以蚀刻或清洁基板。等离子体可能是高度腐蚀性的，并且可能腐蚀处理腔室以及暴露于等离子体的其他表面。此腐蚀可能产生频繁地污染正在经处理的基板的粒子，从而导致器件缺陷。另外，此腐蚀可能使来自腔室部件的金属原子污染经处理的基板(例如，经处理的晶片)。随着器件几何形状缩小，对缺陷和金属污染的敏感性增加，并且粒子污染物规范和金属污染物规范变得更加严格。因此，随着器件几本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制品，所述制品包含：/n抗等离子体的陶瓷材料，所述抗等离子体的陶瓷材料包含至少一种固溶体，其中所述至少一种固溶体包括：约30摩尔％至约60摩尔％的浓度的Y

【技术特征摘要】
20131112 US 61/903,215;20141103 US 14/531,7851.一种制品，所述制品包含：
抗等离子体的陶瓷材料，所述抗等离子体的陶瓷材料包含至少一种固溶体，其中所述至少一种固溶体包括：约30摩尔％至约60摩尔％的浓度的Y2O3；35摩尔％至约60摩尔％的浓度的Er2O3；以及约0摩尔％至约30摩尔％的浓度的ZrO2、Gd2O3或SiO2中的至少一者。


2.如权利要求1所述的制品，其特征在于，所述制品包含用于等离子体蚀刻反应器的腔室部件，所述腔室部件选自由以下各项组成的组：静电夹盘、盖、喷嘴、气体分配板、喷淋头、静电夹盘部件以及处理套环。


3.如权利要求1所述的制品，其特征在于，所述至少一种固溶体包含高达20摩尔％的浓度的ZrO2、高达10摩尔％的浓度的Gd2O3以及高达30摩尔％的浓度的SiO2。


4.如权利要求1所述的制品，其特征在于，所述制品是固体烧结陶瓷制品。


5.如权利要求1所述的制品，其特征在于，所述至少一种固溶体包含约40摩尔％的浓度的Y2O3、约5摩尔％的浓度的ZrO2、35摩尔％的浓度的Er2O3、约5摩尔％的浓度的Gd2O3以及约15摩尔％的浓度的SiO2。


6.如权利要求1所述的制品，其特征在于，所述至少一种固溶体包含约45摩尔％的浓度的Y2O3、约5摩尔％的浓度的ZrO2、35摩尔％的浓度的Er2O3、约10摩尔％的浓度的Gd2O3以及约5摩尔％的浓度的SiO2。


7.如权利要求1所述的制品，其特征在于，所述至少一种固溶体包含约40摩尔％的浓度的Y2O3、约5摩尔％的浓度的ZrO2、约40摩尔％的浓度的Er2O3、约7摩尔％的浓度的Gd2O3以及约8摩尔％的浓度的SiO2。


8.如权利要求1所述的制品，其特征在于，所述至少一种固溶体包含约37摩尔％的浓度的Y2O3、约8摩尔％的浓度的ZrO2以及约55摩尔％的浓度的Er2O3。


9.如权利要求1所述的制品，其特征在于，所述至少一种固溶体包含约40摩尔％的浓度的Y2O3、约10摩尔％的浓度的ZrO2、35摩尔％的浓度的Er2O3以及约20摩尔％的浓度的Gd2O3。


10.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·Y·孙，B·P·卡农戈，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US