于此提供用于处理基板的方法及设备。在一些实施方式中，用于基板支撑件的处理配件包含：上边缘环，所述上边缘环由石英制成且具有上表面及下表面，其中所述上表面实质为平面且所述下表面包含阶梯状下表面以界定所述上边缘环的径向最外部分及径向最内部分。

产生用于训练神经网络的训练光谱的方法，该方法包括以下步骤：从一或更多个样本基板测量第一多个训练光谱；针对该多个训练光谱中的每个训练光谱测量表征值以产生多个表征值，其中每个训练光谱具有相关联的表征值；在一或更多个虚设基板的处理期间测量多个...

在本文中描述的实施方式总的来说涉及集成电路的制造。更具体地，在本文中描述的实施方式提供了用于在基板上沉积非晶碳膜的技术。在一个实施方式中，提供了一种形成非晶碳膜的方法。方法包括在第一处理区域中的位于基座上的底层上沉积非晶碳膜。方法进一步...

一种利用自适应机器学习进行自动缺陷筛选的系统，包括了自适应模型控制器、缺陷/干扰点档案库以及用于执行资料模型化分析的模块。其中的自适应模型控制器具有前馈路径以及反馈路径，前馈路径接收晶圆检测中取得的多个候选缺陷，反馈路径接收晶圆检测后由...

描述了一种用于热处理腔室的支撑构件。所述支撑构件于至少一个表面上具有溶胶涂层。所述溶胶涂层含有阻挡预期波长或光谱的辐射的材料，使得所述辐射无法透过所述支撑构件的材料。所述溶胶涂层可为多层结构，除了辐射阻挡层以外，所述多层结构可还包含粘接...

本公开内容的实施方式总体涉及一种形成用于显示应用的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的方法。所述方法包括：在基板上方形成金属电极；及在处理腔室中将所述金属电极暴露于含氮等离子体。在将所述金属电极暴露于所述含氮等离子体时，维持所述基板在范...

描述了蚀刻金属氧化物膜而蚀刻残留物较少的处理方法。所述方法包括：用金属卤化物蚀刻剂蚀刻金属氧化物膜；以及将所述蚀刻残留物暴露于还原剂以去除所述蚀刻残留物。一些实施方式涉及蚀刻氧化钨膜。一些实施方式利用卤化钨蚀刻金属氧化物膜。一些实施方式...

提供结构的共形自由基氧化的方法。在一个实施方式中，方法包括以第一流率将氢流入处理腔室，其中处理腔室具有定位在其中的基板。方法进一步包括以第二流率将氧流入前驱物活化器。方法进一步包括以第三流率将氩流入前驱物活化器。方法进一步包括在前驱活化...

本发明涉及用于处理基板的方法。所公开的技术用于在处理腔室中提高击穿电压、同时在超过约300摄氏度的温度下大幅减少静电夹盘的电压泄漏的方法和设备。

本公开内容的实施方式总体涉及一种层堆叠，所述层堆叠包括电介质层，所述电介质层具有高k值，能够改善半导体显示装置电气性能。在一个实施方式中，所述层堆叠包括基板、设置在所述基板上的沟道层、和栅极绝缘层。所述栅极绝缘层包括设置在所述沟道层上的...

本文中提供了一种桥接前开式标准舱(FOUP)。在一些实施例中，所述桥接FOUP包括：底部底板、侧壁、顶壁、及背壁，形成具有前开口的包壳容积；多个支撑件，被耦接到所述侧壁且延伸到所述包壳容积中，其中所述多个支撑件被配置为支撑基板载具；基部...

本文所公开的实施方式总体涉及一种具有部分阳极化的气体分配喷头的设备，所述喷头包括主体，所述主体具有从上游侧穿过所述主体延伸到下游侧的多个气体通道，所述主体具有中心区域和周边区域，所述周边区域具有设置在所述上游侧和所述下游侧上的阳极化层。

本文描述的实施方式涉及一种用于蒸发源材料(150)的蒸发装置(100)，所述蒸发装置包括蒸发坩埚(110)和支撑布置(120)，所述支撑布置(120)具有多个材料托盘(125)，所述多个材料托盘(125)用于在所述多个材料托盘(125)...

增材制造装置包括：平台；配置为将多个连续的进料材料层输送到平台上的分配器；用于产生第一光束和第二光束的光源组件；光束组合器，被配置为将第一光束和第二光束组合成公共光束；和镜面扫描仪，配置为将公共光束引导朝向平台，以沿着最外层的进料材料上...

描述了优先于介电表面而在导电表面上选择性沉积阻挡层的方法。在一些实施方式中，将羧酸暴露于基板以选择性地形成阻挡层。在一些实施方式中，将酰肼暴露于基板，以选择性形成阻挡层。在一些实施方式中，将烷基膦酸暴露于基板，以选择性地形成阻挡层。在一...

本文描述通过在高压下进行氧化来处理薄膜的多种方法。方法总体上是在大于2巴的压力下执行的。方法能够在低温下执行，且所具有的暴露时间短于在较低压力下执行的类似方法。一些方法涉及将钨膜氧化以形成自对准的柱状物。

一种化学机械抛光设备包括压板、载体、分配器和温度控制系统，压板保持抛光垫，载体在抛光工艺期间保持基板抵靠抛光垫的抛光表面，分配器向抛光表面供应抛光液，温度控制系统包含主体，所述主体经配置以接触抛光表面或抛光表面上的抛光液。主体支撑定位在...

一种化学机械研磨的方法包含以下步骤：使得具有设置在半导体晶片上的导电层的基板与研磨垫接触；产生基板与研磨垫之间的相对运动；当导电层被研磨时，利用原位电磁感应监控系统来监控基板以产生取决于导电层的厚度的一序列信号值；基于一序列信号值来确定...

本文描述包含工厂接口环境控制的电子器件处理系统。一个电子器件处理系统具有工厂接口，所述工厂接口具有工厂接口腔室、与所述工厂接口耦接的装载锁定装置、与所述工厂接口耦接的一个或更多个基板载具及与所述工厂接口耦接的环境控制系统，且所述环境控制...

本文所公开的实施方式大致涉及一种等离子体处理腔室和用于发弧事件的检测设备。在一个实施方式中，本文公开一种发弧检测设备。发弧检测设备包含探针、检测电路和数据记录系统。探针定位为部分地暴露于等离子体处理腔室的内部空间。检测电路配置成从探针接...