在本文中提供了用于处理减小尺寸的基板的工艺配件的实施例。在一些实施例中，工艺配件包括：沉积环，具有环形主体；和多个突起，从环形主体向上延伸并围绕环形主体的中心轴线设置且离环形主体的中心轴线的距离相等，其中第一突起与第二突起之间的角度在约...

公开一种基板处理系统，包括耦接到传送腔室的基板输入/输出腔室，以及耦接到传送腔室的一个或多个处理腔室，其中基板输入/输出腔室包括多个堆叠载体保持器，并且载体保持器中的一者包括用于在其上支撑基板的基板载体。

于此提供于图案化基板的表面上选择性地沉积掩模层的方法和自对准图案化掩模。于一个实施方式中，选择性沉积掩模层的方法包括以下步骤：将图案化基板定位于处理腔室的处理容积中的基板支撑件上；将图案化基板的表面暴露于聚对二甲苯单体气体；于图案化基板...

提供一种包括使用选择性外延生长形成的Si:As源极与漏极延伸部和Si:As或Si:P源极与漏极特征的装置及形成此装置的方法。通过同时的膜形成与膜蚀刻沉积本文用于源极与漏极延伸部和源极与漏极特征的外延层，其中以相较于将沉积材料沉积在基板的...

本公开内容提供在膜堆叠中形成材料层的方法以用于制造EUV应用及相移及二元光掩模应用中的光掩模。在一个示例中，在基板上形成介电材料的方法包含以下步骤：在处理腔室中在基板上供应含氧气体混合物，该基板包括设置于光学透明含硅材料上的介电材料；在...

本公开提供了处理不同尺寸的基板的方法和设备的实施例。在一些实施例中，用于处理不同尺寸的基板的设备包括：具有配置成支持具有第一尺寸的基板的第一组接触垫和配置成支持具有小于第一尺寸的第二尺寸的基板的第二组接触垫的一对终端受动器。

本文描述的实施方式涉及清洁装置和用于清洁物体的方法。在一个实施方式中，通过沿着物体的表面移动清洁头来清洁物体。超临界二氧化碳流体通过超临界二氧化碳流体容器被输送到物体表面。通过真空泵将超临界二氧化碳流体和污染物质从物体去除至检测器。通过...

用于清洁电镀系统部件的系统可包括密封件清洁组件，密封件清洁组件与电镀系统结合。密封件清洁组件可包括臂，臂于第一位置和第二位置之间为可枢转的。臂可绕着臂的中央轴为可旋转的。密封件清洁组件亦可包括清洁头，清洁头包括托架部，托架部与臂的远端部...

本发明描述了一种用于蒸发源材料(105)的蒸发器(100)。蒸发器包括坩埚(110)和第一加热器(121)，所述坩埚具有用于接收源材料(105)的内部容积(101)，所述第一加热器用于加热源材料(105)。在坩埚(110)的顶壁(111...

一种用于检测太阳能晶片的倒角边缘处的豁口缺陷的豁口缺陷检测系统，所述太阳能晶片是具有笔直边缘和倒角边缘的实质上矩形或方形的形状，所述豁口缺陷检测系统包括：(a)多个成像装置，所述多个成像装置用于拾取所述太阳能晶片的位置的图像并且水平地定...

公开了具有晶片边缘等离子体壳层调谐能力的半导体等离子体处理设备。本公开的实施例整体包括通过控制在等离子体处理期间在衬底(诸如半导体晶片)上形成的等离子体壳层的形状来改善跨衬底的表面的蚀刻速率均匀性的方法和设备。本公开的实施例将包括调整一...

本申请公开了稀土氧化物的顶部涂层的离子辅助沉积。制造制品的方法包含以下步骤：提供制品，所述制品诸如，用于蚀刻反应器的腔室部件。执行等离子体喷涂沉积工艺以在腔室部件的至少一个表面上方沉积第一保护层。所述第一保护层是具有大于约50微米的厚度...

本公开的实施例是关于具有可调谐化学特性、材料特性及结构特性的高级研磨垫，及制造所述研磨垫的新方法。根据本公开的一或多个实施例，已发现具有改善特性的研磨垫可由诸如三维(3D)打印工艺的积层制造工艺来产生。因此，本公开的实施例可提供具有离散...

本公开的实施例是关于具有可调谐化学特性、材料特性及结构特性的高级研磨垫，及制造所述研磨垫的新方法。根据本公开的一或多个实施例，已发现具有改善特性的研磨垫可由诸如三维(3D)打印工艺的积层制造工艺来产生。因此，本公开的实施例可提供具有离散...

本公开的实施例是关于具有可调谐化学特性、材料特性及结构特性的高级研磨垫，及制造所述研磨垫的新方法。根据本公开的一或多个实施例，已发现具有改善特性的研磨垫可由诸如三维(3D)打印工艺的积层制造工艺来产生。因此，本公开的实施例可提供具有离散...

本文描述的实施方式提供处理腔室，该处理腔室包含：用于处理容积的外壳；外壳内的可旋转支撑件，该支撑件具有延伸到外壳外部的轴，其中该轴具有位于处理容积外部的信号特征；外壳内的能量模块，其中该轴延伸通过该能量模块、耦合到外壳的一个或多个定向能...

于此描述的实施方式关于增强波导区域。增强波导区域通常包括具有工作周期和折射率的多个光栅。在某些实施方式中，工作周期不同，折射率不同，或工作周期和折射率都不同。于此还描述了用于形成增强波导区域的方法。

处理配件包括屏蔽件及环组件，用于在处理腔室中围绕基板支撑件定位，以减少处理沉积物在内部腔室部件及基板的悬伸边缘上的沉积。屏蔽件包括圆筒形带，该圆筒形带具有顶壁及底壁的倾斜部分，该顶壁被配置为围绕溅射靶材，该底壁的倾斜部分具有实质直的轮廓...

公开了用于形成硅化物膜的方法。公开了在被进一步处理以形成硅化物膜的硅表面上选择性地沉积含金属膜的方法。本公开的具体的实施方式涉及在FinFET结构上形成硅化物膜而不在电介质上形成金属层。

本公开内容的实施方式总的来说涉及硬掩模膜和用于沉积硬掩模膜的方法。更具体而言，本公开内容的实施方式总的来说涉及碳化钨硬掩模膜和用于沉积碳化钨硬掩模膜的工艺。在一个实施方式中，提供了形成碳化钨膜的方法。所述方法包括：在第一沉积速率下，在基...