用于将射频(RF)功率供应至处理腔室的方法与设备。RF产生器经配置为具有能力以独立于参考频率由RF功率输出操作或使RF输出功率与参考频率同步。在频率位于解锁状态中时，使用时钟匀变改变RF输出功率的RF功率输出频率以与参考频率匹配。在RF...

提供一种为部件表面提供纹理的系统，所述部件使用在半导体处理腔室中。所述系统包含：外壳，所述外壳包含处理区域；设置在处理区域中的支撑件；用于产生光子流的光子光源；被可操作地耦合至光子光源的光学模块；以及透镜。所述光学模块包含光束调制器与光...

本发明涉及一种通过在化学气相沉积方法中使用二甲基二氯硅烷(DMS)作为硅烷源在石墨基板上沉积碳化硅(SiC)来制造涂覆SiC的主体的新的工艺。本发明的另一方面涉及可通过本发明的新的工艺获得的新的涂覆碳化硅的主体，以及涉及其用于制造以下项...

本发明涉及一种通过在化学气相沉积方法中使用二甲基二氯硅烷(DMS)作为硅烷源在石墨基板上沉积碳化硅(SiC)来制造涂覆SiC的主体的新的工艺。本发明的另一方面涉及可通过本发明的新的工艺获得的新的涂覆碳化硅的主体，以及涉及其用于制造以下项...

公开了半导体处理腔室多阶段混合设备。示例性的半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与所述处理腔室耦接的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括耦接在所述远程等离子体单元和所述处理腔室之间的混合歧管。所述混合歧管可以由第一端部和与所述...

公开了一种结合层结构。本公开是将静电吸盘结合到温度控制基部的方法。根据实施方式，在包括静电吸盘的介电主体与温度控制基部之间形成结合层。流孔延伸穿过介电主体并且与温度控制基部中的流孔对准。结合层还配置有开口，开口与介电主体和温度控制基部中...

公开一种双极静电卡盘。双极静电卡盘包括：底座；下部介电层，形成于底座的整个上部表面上；边缘电极部分，沿着边沿形成在下部介电层的上部侧上，边缘电极部分包括第一电极和第二电极，第二电极与第一电极分隔开且具有与第一电极的极性不同的极性；和上部...

一种晶片加工装置，可包括：晶片交换器，所述晶片交换器包括两个或更多个叶片，所述两个或更多个叶片中的每个叶片可以配置成接收晶片，所述两个或更多个叶片可以在单个水平平面上绕轴旋转，并且所述两个或更多个叶片可以在至少装载罩和机器人访问位置之间...

电子器件处理设备，包括具有环境控制的工厂接口腔室和允许净化腔室过滤器的净化控制设备。过滤器净化设备包括腔室过滤器和冲洗气体供应器，冲洗气体供应器经构造以在通向该工厂接口腔室的通道门被打开时将冲洗气体供应至该腔室过滤器，以允许通向该工厂接...

本发明涉及一种通过在化学气相沉积方法中使用二甲基二氯硅烷(DMS)作为硅烷源在石墨基板上沉积碳化硅(SiC)来制造涂覆SiC的主体的新的工艺。本发明的另一方面涉及可通过本发明的新的工艺获得的新的涂覆碳化硅的主体，以及涉及所述涂覆碳化硅的...

本发明涉及一种通过在化学气相沉积方法中使用二甲基二氯硅烷(DMS)作为硅烷源在石墨基板上沉积碳化硅(SiC)来制造涂覆SiC的主体的新的工艺。本发明的另一方面涉及可通过本发明的新的工艺获得的新的涂覆碳化硅的主体，以及涉及其用于制造以下项...

本发明涉及一种通过在化学气相沉积方法中使用二甲基二氯硅烷(DMS)作为硅烷源在石墨基板上沉积碳化硅(SiC)来制造涂覆SiC的主体的新的工艺。本发明的另一方面涉及可通过本发明的新的工艺获得的新的涂覆碳化硅的主体，以及涉及所述涂覆碳化硅的...

本发明涉及一种通过在化学气相沉积方法中使用二甲基二氯硅烷(DMS)作为硅烷源在石墨基板上沉积碳化硅(SiC)来制造涂覆SiC的主体的新的工艺。本发明的另一方面涉及可通过本发明的新的工艺获得的新的涂覆碳化硅的主体，以及涉及所述涂覆碳化硅的...

本文中公开了用于显示装置的子像素电路。所述子像素电路具有驱动TFT和至少一个开关TFT。所述至少一个开关TFT为氧化物TFT。所述子像素电路另外地具有至少一个存储电容器，其中所述存储电容器具有在约1飞法与约55飞法之间的电容。

本公开内容的实施方式总体提供一种数字光刻系统，所述数字光刻系统可处理大面积基板以及诸如晶片的半导体器件基板两者。大面积基板和半导体器件基板两者可在同一系统中被同时处理。另外地，所述系统可适应不同水平的曝光，以在所述基板上方形成特征。例如...

兹描述产生自对准结构的方法，所述自对准结构包含金属硫系化物。某些方法包含以下步骤：于基板特征中形成含金属膜，并将含金属膜暴露于硫系前驱物，以形成包含金属硫系化物的自对准结构。某些方法包含以下步骤：于基板特征中形成含金属膜；使含金属膜膨胀...

本发明提供用于改良的离子过滤的方法和设备的实施方式。在一些实施方式中，基板处理腔室包括：腔室主体和腔室盖，腔室盖安置在腔室主体上，界定腔室主体内于盖下方的处理区域；准直器，安置在处理区域中；电源，耦接至准直器；以及第一组磁体，所述第一组...

本文提供了用于处理缩小尺寸的基板的处理套件的实施例。在一些实施例中，处理套件包括具有袋部的基板载具，袋部被配置用于保持基板，其中袋部部分地延伸穿过基板载具的厚度；且其中袋部包含环形沟槽，环形沟槽设置在袋部的底板的周边处。

此处所述的实施方式涉及具有多个孔穴形成于其中的基板吸盘设备。在吸盘设备的主体中形成所述孔穴。在一个实施方式中，在主体的吸盘表面中形成第一多个通口且延伸至主体的底部表面。在另一实施方式中，在多个孔穴的底部表面中形成第二多个通口且延伸穿过主...

描述了加热器，加热器具有有顶部和底部的主体，加热器包括热解氮化硼(PBN)、第一加热器电极、和第二加热器电极。加热器电极可以封闭在电绝缘支座内并连接到单独的汇流条以提供电力。还描述了包括一个或多个加热器的加热器组件和包括该加热器组件的处...