多配置数字光刻系统技术方案

技术编号:25922940 阅读:65 留言:0更新日期:2020-10-13 10:44
本公开内容的实施方式总体提供一种数字光刻系统,所述数字光刻系统可处理大面积基板以及诸如晶片的半导体器件基板两者。大面积基板和半导体器件基板两者可在同一系统中被同时处理。另外地,所述系统可适应不同水平的曝光,以在所述基板上方形成特征。例如,所述系统可适应非常精确的特征图案化以及不太精确的特征图案化。不同曝光可在同一腔室中同时发生。因此,所述系统能够在同时处理所述半导体器件基板和所述大面积基板两者的同时,还同时适应非常精确的特征图案化和不太精确的特征图案化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多配置数字光刻系统
本公开内容的实施方式总体涉及用于处理一个或多个基板的设备、系统和方法,并且更具体地,涉及用于执行光刻工艺的设备、系统和方法。
技术介绍
光刻技术广泛地用来制造半导体器件和显示装置,诸如液晶显示器(LCD)。通常利用大面积基板进行LCD的制造。相反地,通常为圆形或至少部分圆形的较小基板被用于制造半导体器件,或者在一些情况下,制造比常规LCD小得多的器件。这些器件,无论是显示装置还是半导体器件,通常都具有在基板上方精确形成的小特征。已经采用微光刻技术来创建特征,以用于在基板上形成特征。根据这些技术,将光敏光刻胶施加到基板的至少一个表面。接着,图案生成器用光曝光作为图案的一部分的光敏光刻胶的选定区域,以导致选定区域中的光刻胶的化学变化,从而准备这些选定区域以进行后续材料去除和/或材料添加工艺,以形成电特征。为了继续以消费者需求的价格提供装置,需要在基板上精确地且成本有效地形成图案的新的设备和方法。
技术实现思路
本公开内容的实施方式总体提供一种数字光刻系统,所述数字光刻系统可处理大面积基板以及诸如晶片的半导体器件基板两者。所述大面积基板和所述半导体器件基板两者可在同一系统中被同时处理。另外地,所述系统可适应不同水平的曝光,以在所述基板上方形成特征。例如,所述系统可适应非常精确的特征图案化以及不太精确的特征图案化。不同曝光可在同一腔室中同时发生。因此,所述系统能够在同时处理所述半导体器件基板和所述大面积基板两者的同时,还同时适应非常精确的特征图案化和不太精确的特征图案化。在一个实施方式中,一种系统,包含:第一图像投影设备,其中所述第一图像投影设备能够将基板曝光至第一分辨率;第二图像投影设备,其中所述第二图像投影设备能够将所述基板曝光至与所述第一分辨率不同的第二分辨率;和基板支撑件,所述基板支撑件是能够移动的,以将所述基板定位在所述第一图像投影设备和所述第二图像投影设备下方。在另一个实施方式中,一种系统,包含:第一图像投影设备,其中所述第一图像投影设备能够将基板曝光至第一分辨率;第二图像投影设备,其中所述第二图像投影设备能够将所述基板曝光至与所述第一分辨率不同的第二分辨率;基板支撑件,所述基板支撑件是能够移动的,以将所述基板定位在所述第一图像投影设备和所述第二图像投影设备下方,其中所述第一分辨率是精细分辨率,并且所述第二分辨率是常规分辨率;和卡盘,所述卡盘设置在所述基板支撑件上。在另一个实施方式中,一种系统,包含:第一图像投影设备,其中所述第一图像投影设备能够将基板曝光至第一分辨率;第二图像投影设备,其中所述第二图像投影设备能够将所述基板曝光至与所述第一分辨率不同的第二分辨率;和基板支撑件,所述基板支撑件是能够移动的,以将所述基板定位在所述第一图像投影设备和所述第二图像投影设备下方,其中所述第一分辨率是精细分辨率,并且所述第二分辨率是常规分辨率,其中所述第一图像投影设备包括DMD。附图说明为了能够详细理解本公开内容的上述特征的方式,可参考实施方式来获得上文简要概述的本公开内容的更特定的描述,其中一些实施方式在附图中例示。然而,应注意,附图仅例示了本公开内容的典型实施方式,并因此不应视为对本公开内容的范围的限制,因为本公开内容可允许其他等效实施方式。图1A是根据本文中公开的实施方式的光刻系统的透视图。图1B是根据本文中公开的实施方式的光刻系统的透视图。图2A是根据本文中公开的实施方式的图像投影设备的透视示意图。图2B是根据本文中公开的实施方式的图像投影设备的透视示意图。图3是根据一个实施方式的光刻系统的示意图。为了便于理解,已经尽可能地使用相同的附图标记标示各图共有的相同元件。另外,一个实施方式中的元素可有利地适于在本文中描述的其他实施方式中使用。具体实施方式本公开内容的实施方式总体提供一种数字光刻系统,所述数字光刻系统可处理大面积基板以及诸如晶片的半导体器件基板两者。所述大面积基板和所述半导体器件基板两者可在同一系统中被同时处理。另外地,所述系统可适应不同水平的曝光,以在所述基板上方形成特征。例如,所述系统可适应非常精确的特征图案化以及不太精确的特征图案化。不同曝光可在同一腔室中同时发生。因此,所述系统能够在同时处理所述半导体器件基板和所述大面积基板两者的同时,还同时适应非常精确的特征图案化和不太精确的特征图案化。图1A是根据本文中公开的实施方式的光刻系统100的透视图。系统100包含基本框架110、平板120、台130和处理设备160。基本框架110搁置在制造设施的底板上并支撑平板120。被动式空气隔离器112定位在基本框架110与平板120之间。在一个实施方式中,平板120是一整块花岗岩,并且台130设置在平板120上。大体上示出并称为基板140的一个或多个基板由台130支撑。多个孔(未示出)形成在台130中以允许多个升降杆(未示出)从中延伸穿过。在一些实施方式中,升降杆上升到延伸位置以接收基板140,诸如从一个或多个传送机器人(未示出)处接收。一个或多个传送机器人用于从台130装载和卸载基板140。基板140包含用作平板显示器或半导体器件的一部分的任何合适的材料,例如石英或玻璃或半导体材料。当基板140用作平板显示器的一部分时,它将被称为平板基板。在其他实施方式中,基板140由其他材料制成。在一些实施方式中,基板140上形成有光刻胶层。光刻胶对辐射敏感。正性光刻胶包括光刻胶的一部分,当该部分暴露于辐射时,将分别可溶于在图案被写入光刻胶之后施加到光刻胶的光刻胶显影剂。负性光刻胶包含光刻胶的一部分,当该部分暴露于辐射时,将分别不可溶于在图案被写入光刻胶之后施加到光刻胶的光刻胶显影剂。光刻胶的化学组成决定了光刻胶是正性光刻胶还是负性光刻胶。光刻胶的示例包含但不限于重氮萘醌、酚醛树脂、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚(甲基戊二酰亚胺)和SU-8中的至少一种。以此方式,图案被创建在基板140的表面上以形成电子电路。系统100包含一对支撑件122和一对轨道124。该对支撑件122设置在平板120上,并且平板120和该对支撑件122是整块材料。该对轨道124由该对支撑件122支撑,并且台130在X方向上沿轨道124移动。在一个实施方式中,该对轨道124是一对平行磁性通道。如图所示,该对轨道124中的每个轨道124是线性的。在其他实施方式中,一个或多个轨道124是非线性的。编码器126耦接到台130,以便将位置信息提供到控制器(未示出)。处理设备160包含支撑件162和处理单元164。支撑件162设置在平板120上并包含供台130从处理单元164下方通过的开口166。处理单元164由支撑件162支撑。在一个实施方式中,处理单元164是图案生成器,其被构造为在光刻工艺中曝光光刻胶。在一些实施方式中,图案生成器被构造为执行无掩模光刻工艺。处理单元164包含多个图像投影设备(在图2A和图2B中示出)。在一个实施方式中,处理单元164包含多达84个图像投影设备。每个图像投影设备都本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种系统,所述系统包含:/n第一图像投影设备,其中所述第一图像投影设备能够将基板曝光至第一分辨率;/n第二图像投影设备,其中所述第二图像投影设备能够将所述基板曝光至与所述第一分辨率不同的第二分辨率;和/n基板支撑件,所述基板支撑件是能够移动的,以将所述基板定位在所述第一图像投影设备和所述第二图像投影设备下方。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180130 US 62/623,9681.一种系统,所述系统包含:
第一图像投影设备,其中所述第一图像投影设备能够将基板曝光至第一分辨率;
第二图像投影设备,其中所述第二图像投影设备能够将所述基板曝光至与所述第一分辨率不同的第二分辨率;和
基板支撑件,所述基板支撑件是能够移动的,以将所述基板定位在所述第一图像投影设备和所述第二图像投影设备下方。


2.如权利要求1所述的系统,其中所述第一分辨率是精细分辨率,并且所述第二分辨率是常规分辨率。


3.如权利要求1所述的系统,进一步包含设置在所述基板支撑件上的卡盘。


4.如权利要求3所述的系统,其中所述卡盘能够支撑多个基板。


5.如权利要求1所述的系统,其中至少一个基板是平板基板,并且至少一个基板不是平板基板。


6.如权利要求1所述的系统,其中所述第一图像投影设备包括DMD。


7.如权利要求1所述的系统,其中所述第一图像投影设备包括微型LED。


8.一种系统,所述系统包含:
第一图像投影设备,其中所述第一图像投影设备能够将基板曝光至第一分辨率;
第二图像投影设备,其中所述第二图像投影设备能够将所述基板曝光至与所述第一分辨率不同的第二分辨率;

【专利技术属性】
技术研发人员:赖建华陈清昌郭世豪杨旭辉王秀珍刘易生高家鸿
申请(专利权)人:应用材料公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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