本文讨论的系统与方法关于在光刻与微光刻期间图案化基板，以使用剂量形成一组或多组临界尺寸的特征。基于在制造期间捕获的图像产生剂量图，以说明在用于图案化基板的多个操作中的处理变化。剂量图与成像程序一起使用，以调节施加至基板的各个区域的电压，...

实施方式包括一种处理基板的方法。在一实施方式中，所述方法包括使一种或多种源气体流入处理腔室中，以及用在第一模式下操作的等离子体源从源气体诱发等离子体。在一实施方式中，所述方法可进一步包括用在第二模式下操作的DC电源来偏压基板。在一实施方...

本文提供了将介电氧化物层沉积在PVD腔室中设置的或经由PVD腔室处理的一个或多个基板顶部的方法。在一些实施方式中，此种方法包括：在源材料处于第一磨蚀状态时并且在将第一量的RF功率提供到靶组件时将源材料从靶组件溅射到第一基板上，以将介电氧...

论述了保形地掺杂三维结构的方法。一些实施例利用沉积在结构上的保形硅膜。在沉积后对硅膜进行掺杂以包含卤素原子。随后对结构进行退火以用来自掺杂的硅膜的卤素原子掺杂该结构。

本文中提供了用于降低半导体设备的至少接触垫中的接触电阻的基板处理的方法、装置及系统。在一些实施例中，一种用于降低接触垫的接触电阻的基板处理的方法包括：在底座的至少一个通道中循环冷却流体；以及将定位在所述底座上的所述基板的背侧暴露于冷却气...

公开了一种用于分类多个基板的设备和方法。该设备包括分类单元、可旋转支撑件、多个夹持器及空气喷嘴，分类单元能够支撑多个箱，可旋转支撑件设置在分类单元内，可旋转支撑件绕旋转轴是可旋转的，多个夹持器在相对于旋转轴的共同半径上耦接到可旋转支撑件...

本公开内容涉及一种用于沉积腔室的流体递送设备。所述流体递送装置包括流体流量计。所述流体流量计被包围在隔热箱中。在所述隔热箱上设有进气口，用于在所述流体流量计之上提供强制冷却气流。在所述隔热箱上设有排气口，强制冷却气体从所述排气口离开所述...

提供一种用于沉积非晶硅材料的方法，并且所述方法包括：在与工艺腔室流体连通的等离子体单元内产生等离子体；和使所述等离子体流动穿过离子抑制器以产生含有反应性物种和中性物种的活化流体。所述活化流体不含离子或者含有比所述等离子体更低浓度的离子。...

用于在处理腔室的狭缝阀处减少微波泄漏的方法和装置。在狭缝阀四周的多重频率共振扼流器防止来自频带的微波能量从狭缝阀逸出。多重频率共振扼流器可具有倾斜底部表面或锯齿底部表面，以使得多重频率能够在扼流器中共振，抵销由狭缝阀门所形成的间隙处的微...

用以清洁数个电镀系统部件的系统可包括与一电镀系统合并的一密封件清洁组件。密封件清洁组件可包括一臂，于一第一位置及一第二位置之间为可枢转的。臂可绕着臂的一中心轴为可旋转的。密封件清洁组件可包括一清洁头，耦接于臂的一远侧部。清洁头可包括一托...

此处所述的实施例提供一种防止惰性气体形成寄生等离子体的背侧气体输送组件。背侧气体输送组件包括第一气体通道，所述第一气体通道设置于基板支撑组件的杆中。基板支撑组件包括基板支撑件，所述基板支撑件具有从第一气体通道延伸的第二气体通道。背侧气体...

本公开内容涉及一种在基板上形成具有期望p功函数的p金属功函数氮化物膜的方法，包括：调节基板温度、一或多个时间上分开的气相脉冲的持续时间、钨前驱物与钛前驱物的比率、或反应的压力中的一或多项以将p金属功函数氮化物膜的功函数调谐为期望p功函数...

本公开内容提供了隐私应用设备及用于操作该隐私应用设备的方法。该隐私应用设备包括电泳或磁泳介质及控制器，其中该隐私应用设备可在透明状态与非透明状态之间切换。用于操作该隐私应用设备的该方法包括以下步骤：向该电泳或磁泳介质施加交流电压；控制该...

使用当SEM的电子束撞击到包括3D特征的选定区域时模拟所述3D特征内的电势分布的模型获得多个能量过滤器值。通过分析模拟的所述电势分布，提取所述多个能量过滤器值与所述3D特征沿纵向方向的相应深度之间的对应性。获得所述3D特征的与所述多个能...

增进工艺均匀性的方法及系统。半导体处理腔室可包含远程等离子体区域，及与远程等离子体区域流体耦接的处理区域。处理区域可被配置为在支撑基座上容纳基板。支撑基座可包含在基座的内侧区域处的第一材料。支撑基座也可包含与基座的远程部分耦接的或在基座...

本文描述的实施方式涉及制造具有光栅的波导结构的方法，此光栅具有小于约45°的前角与小于约45°的后角。此方法包括将印模压印至设置在基板上的纳米压印抗蚀剂。此纳米压印抗蚀剂经受固化处理。使用脱模方法将此印模以脱模角θ从此纳米压印抗蚀剂脱模...

用于电镀密封件检查的多个系统可包括一模块，经构造以支撑用于检查的一密封件。此模块可包括一组支撑件，经定位以接触密封件的一内边。此模块可经构造以绕着一中心轴旋转密封件。此系统也可包括位于此模块上的一检测器，检测器可经定位以扫描密封件的一外...

公开一种用于在处理腔室内分配气体的装置。所述装置具有主体，所述主体由分配部分形成，所述分配部分被耦接部分环绕。加热器设置在所述分配部分内，以将所述主体加热到高温。桥接件延伸在所述耦接部分与所述分配部分之间。所述桥接件限制所述分配部分与所...

此处的实施例提供一种使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺沉积非晶碳层的方法，及由此形成的硬掩模。在一个实施例中，一种处理基板的方法，包括以下步骤：将基板定位在基板支撑件上，基板支撑件安置于处理腔室的处理容积中；使包含碳氢化合物...

在一实施方式中，一种使用单颗粒感应耦合等离子体质谱分析术(spICPMS)来量测来自样本的纳米颗粒的方法包括通过以下步骤从样本表面分离纳米颗粒：将表面暴露于第一液体介质的第一暴露表面；及机械操纵第一液体介质；及使用spICPMS量测第一...