加热的陶瓷面板制造技术

公开一种用于在处理腔室内分配气体的装置。所述装置具有主体，所述主体由分配部分形成，所述分配部分被耦接部分环绕。加热器设置在所述分配部分内，以将所述主体加热到高温。桥接件延伸在所述耦接部分与所述分配部分之间。所述桥接件限制所述分配部分与所述耦接部分之间的热传递。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】加热的陶瓷面板
技术介绍

本公开内容总的来说涉及用于在工艺腔室中分配气体的装置，并更具体地，涉及一种被加热的陶瓷面板。相关技术的描述在集成电路的制造中，诸如化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)之类的沉积工艺用于在半导体基板上沉积各种材料的膜。在其它操作中，使用诸如蚀刻之类的层改变工艺来暴露层的一部分以进一步沉积。通常，这些工艺以重复的方式用来制造电子器件(诸如半导体器件)的各个层。随着对改进的器件的需要持续增长，对制造这种器件所用方法的需要也随之增长。在新的工艺中使用的化学物质(诸如前驱物气体)不断需要增加的工艺控制(诸如温度控制)以进行此类工艺。因此，本领域中需要能够为器件制造和处理提供增加的温度控制的工艺腔室部件。
技术实现思路
在一个实施方式中，一种面板具有主体，所述主体由加热器层和电极层形成。所述电极层的外径限定所述主体的分配部分。多个孔径在所述分配部分内穿过所述主体形成，以用于使气体从其中通过。加热器设置在所述加热器层内以加热所述主体。桥接件环绕所述分配部分并将所述分配部分耦接到耦本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于处理基板的面板，包括：/n主体，所述主体由加热器层和电极层形成，其中所述电极层的外径限定所述主体的分配部分；/n多个孔径，所述多个孔径被形成为在所述分配部分内穿过所述主体；/n加热器，所述加热器设置在所述加热器层内；和/n桥接件，所述桥接件环绕所述分配部分，其中所述桥接件将所述分配部分耦接到耦接部分。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180417 US 62/658,7261.一种用于处理基板的面板，包括：
主体，所述主体由加热器层和电极层形成，其中所述电极层的外径限定所述主体的分配部分；
多个孔径，所述多个孔径被形成为在所述分配部分内穿过所述主体；
加热器，所述加热器设置在所述加热器层内；和
桥接件，所述桥接件环绕所述分配部分，其中所述桥接件将所述分配部分耦接到耦接部分。


2.如权利要求1所述的面板，其特征在于，进一步包括电极，所述电极设置在所述电极层内。


3.如权利要求1所述的面板，其特征在于，进一步包括接地电极，所述接地电极设置在所述加热器层内。


4.如权利要求1所述的面板，其特征在于，所述主体包括陶瓷材料。


5.如权利要求4所述的面板，其特征在于，所述陶瓷材料是氮化铝。


6.如权利要求1所述的面板，其特征在于，进一步包括粘结层，所述粘结层设置在所述加热器层与所述电极层之间。


7.如权利要求1所述的面板，其特征在于，所述桥接件是热扼流圈并且具有比所述耦接部分的厚度和所述分配部分的厚度要小的厚度。


8.一种用于处理基板的面板，包括：
主体，其中所述主体包括：
电极层；
加热器层；
接地层；和
粘结层，所述粘结层设置在所述电极层与所述加热器层之间和所述加热器层与所述接地层之间；
多个孔径，所述多个孔径被形成为穿过所述主体，所述多个孔径具有第一端和第二端，其中所述第一端位于所述主体的外表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·C·罗查阿尔瓦雷斯，D·H·考齐，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US