隔离的背侧氦输送系统技术方案

此处所述的实施例提供一种防止惰性气体形成寄生等离子体的背侧气体输送组件。背侧气体输送组件包括第一气体通道，所述第一气体通道设置于基板支撑组件的杆中。基板支撑组件包括基板支撑件，所述基板支撑件具有从第一气体通道延伸的第二气体通道。背侧气体输送组件进一步包括：多孔塞，所述多孔塞设置于第一气体通道内，定位于杆与基板支撑件的界面处；气源，所述气源连接至第一气体通道，配置成将惰性气体输送至设置于基板支撑件的上表面上的基板的背侧表面；以及气体管道，所述气体管道在第一气体通道中，延伸至定位于杆与基板支撑件的界面处的多孔塞。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】隔离的背侧氦输送系统
技术介绍

本公开内容总的来说涉及处理腔室，并且涉及在所述处理腔室中使用的背侧气体输送组件。相关技术的描述在集成电路和其他电子器件的制造中，等离子体工艺通常用于各种材料层的沉积或蚀刻。诸如射频(RF)功率之类的高频功率通常用以例如在工艺腔室内部产生等离子体。当将RF功率施加至基板支撑件时，通常也将直流(DC)偏压施加至基板支撑件，以在处理期间将基板夹持至基板支撑件。为了在处理期间改进基板支撑件与基板之间的热均匀性及传热，诸如氦之类的惰性气体通过背侧气体输送组件输送至基板的背侧。然而，在处理期间，流动通过背侧气体输送组件的惰性气体由于背侧气体输送组件靠近施加至基板支撑件的RF功率，从而可沿着背侧气体输送组件的各个点离子化。离子化的惰性气体可形成寄生等离子体，所述寄生等离子体传播通过整个背侧输送气体组件，且在不期望的基板的背侧表面上沉积例如金属之类的污染物。因此，需要防止惰性气体形成寄生等离子体的改进的背侧气体输送组件。
技术实现思路
在一个实施例中，提供一种背侧气体输送组件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背侧气体输送组件，包括：/n第一气体通道，所述第一气体通道设置于基板支撑组件的杆中，所述基板支撑组件包括基板支撑件，所述基板支撑件具有从所述第一气体通道延伸的第二气体通道；以及/n多孔塞，所述多孔塞设置于所述第一气体通道内，并且定位于所述杆与所述基板支撑件的界面处。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180323 US 62/647,1021.一种背侧气体输送组件，包括：
第一气体通道，所述第一气体通道设置于基板支撑组件的杆中，所述基板支撑组件包括基板支撑件，所述基板支撑件具有从所述第一气体通道延伸的第二气体通道；以及
多孔塞，所述多孔塞设置于所述第一气体通道内，并且定位于所述杆与所述基板支撑件的界面处。


2.如权利要求1所述的背侧气体输送组件，进一步包括气源，所述气源连接至所述第一气体通道。


3.如权利要求1所述的背侧气体输送组件，其中所述背侧气体输送组件配置成将惰性气体输送至设置于所述基板支撑件的上表面上的基板的背侧表面。


4.如权利要求1所述的背侧气体输送组件，其中所述第一气体通道延伸通过RF垫圈。


5.如权利要求4所述的背侧气体输送组件，其中所述RF垫圈连接至电接地。


6.如权利要求5所述的背侧气体输送组件，进一步包括在所述第一气体通道中的气体管道，所述气体管道延伸至定位于所述杆与所述基板支撑件的所述界面处的所述多孔塞。


7.如权利要求6所述的背侧气体输送组件，其中所述气体管道连接至电接地。


8.如权利要求6所述的背侧气体输送组件，其中所述气体管道结合至所述第一气体通道的内表面。


9.如权利要求6所述的背侧气体输送组件，其中所述气体管道焊接至所述第一气体通道的第一部分，所述第一部分定位于所述RF垫圈之前。


10.如权利要求6所述的背侧气体输送组件，其中所述气体管道具有介于约0.025英寸与0.075英寸之间的内直径。


11.如权利要求10所...

【专利技术属性】
技术研发人员：L·布恩卡特，A·坎古德，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US