描述了电子装置制造设备和机器人设备。设备经配置以有效地拾取和放置基板，其中机器人设备包括上臂和独立可旋转的三个叶片B1、B2、B3。三个叶片经配置以服务第一双装载锁定和第二双装载锁定，其中每个双装载锁定包括不同的跨距。在一些实施方式中，...

提供用于在选择性沉积工艺之后去除残留物的方法。在一个实施方式中，所述方法包括执行选择性沉积工艺以在基板的第一位置处形成含金属的介电材料，以及执行残留物去除工艺以从所述基板的第二位置去除残留物。

本公开的实施例总体上涉及用于PECVD腔室的金属屏蔽件。金属屏蔽件包括基板支撑部分和轴部分。轴部分包括具有壁厚度的管状壁。管状壁具有嵌入其中的冷却剂通道的供应通道和冷却剂通道的返回通道。供应通道和返回通道中的各者是管状壁中的螺旋。螺旋供...

根据本技术的电镀系统可包括双浴槽电镀腔室，此双浴槽电镀腔室包括分隔器，配置成用以提供第一浴槽及第二浴槽之间的流体分离，此第一浴槽配置成用以在作业期间保持阴极电解液，此第二浴槽配置成用以在作业期间保持阳极电解液。此系统可包括阴极电解液槽，...

描述了一种用于在真空中将材料沉积在设置在沉积区域(A)中的基板(101)上的静态蒸发源(100)。所述静态蒸发源(100)包括：蒸发坩埚(110)，所述蒸发坩埚(110)被配置为蒸发至少一种材料；多个出口(120)，所述多个出口(120...

本文描述的实施方式涉及一种用于蒸发源(20)的屏蔽装置(200)。蒸发源(20)被配置成引导蒸发的源材料通过一个或多个出口(22)。屏蔽装置(200)包括一个或多个可移动屏蔽装置部分(205)，所述可移动屏蔽装置部分被配置成根据来自一个...

描述一种设备，用于从基板升离安装在掩模框架处的掩模。所述设备包括电永磁铁组件和磁铁布置，所述磁铁布置附接于所述掩模。

化学机械研磨可用于“修整研磨”，其中在基板的前表面的受限区域上执行研磨。研磨垫与基板之间的接触区域可基本上比基板的半径表面小。在研磨期间，研磨垫可经历轨道运动。在轨道运动期间，可将研磨垫维持在固定的角定向上。接触区域可以是弧形。可通过从...

本公开内容的各方面整体上涉及底座、其部件以及将其用于衬底处理腔室的方法。在一个实现方式中，一种用于在衬底处理腔室中进行设置的底座包括主体。所述主体包括支撑表面。所述主体还包括从所述支撑表面向上突出的台阶状表面。所述台阶状表面围绕所述支撑...

用于在半导体腔室中分裂基板的方法和设备。将半导体腔室压力调节至工艺压力，随后将基板加热至植入基板中的离子的成核温度，随后将基板的温度调节为低于离子的成核温度，以及保持温度直到发生基板的分裂。微波可用于针对工艺提供基板的加热。分裂传感器可...

本公开内容一般涉及使用掺杂的锡靶通过物理气相沉积制备的氧化锡膜。半导体膜可包括锡和氧，并且可在包括硅掺杂的锡靶的PVD腔室中形成。另外地，与没有掺杂的靶的类似地形成的膜相比，所述半导体膜可为平滑的。可通过对包括占总靶的0.5原子量％至5...

数种在电化学电镀期间减少半导体电化学电镀设备中或其一表面的数个不溶解沉积物的方法及设备，包括：从一电镀液移除电化学电镀设备或其一表面，其中残留电镀液系设置于电化学电镀设备或其一表面上，及其中残留电镀液系具有一第一酸碱度；接触残留电镀液于...

本文中所公开的实施方式涉及形成MOSFET器件。详细而言，在沉积金属硅化物层之前在基板上执行一种或多种预硅化物处理，以改善MOSFET中的金属硅化物层的密度及性能。用预硅化物处理形成的金属硅化物形成可以发生在MOSFET制造期间的金属栅...

公开了用于检测和校正进入基板变形的方法和设备。将基板定位在第一工艺腔室中，在第一工艺腔室中检测基板弯曲的存在和类型。基于基板弯曲检测、以及基板是否具有压缩弯曲或拉伸弯曲的确定，来选择用于执行的基板处理程序。可在第一工艺腔室中或在第二工艺...

本公开的实施例与具有零图案负载特性的介电层沉积方法相关。在一个实施例中，该方法包括以下步骤：通过在处理腔室中不存在等离子体的情况下将基板同时暴露于沉积前驱物和调整气体，来在具有图案化的区域和覆盖区域的基板上沉积保形介电层，其中该沉积前驱...

本公开的实施例总体上涉及用于工艺腔室的基板支撑件以及与其一起使用的RF接地配置。还描述了将RF电流接地的方法。腔室主体至少部分地在其中界定工艺容积。第一电极设置在工艺容积中。基座与第一电极相对地设置。第二电极设置在基座中。RF滤波器通过...

本公开的实施例涉及用于通过CVD工艺来改善沉积在基板上的膜的质量的设备。更具体地，分支气体馈送组件均匀地分配进入环形气室的工艺气体。具有基本上相等的流导率的第一多个导管中的每个导管与具有基本上相等的流导率的第二多个导管中的一个或多个导管...

本案提供一种用于提供具有金属膜的电子装置的设备和方法。本公开内容的一些实施方式利用金属钨层作为衬垫，该衬垫充满包含钴的金属膜。金属钨层具有对钴的良好粘附力，导致增强的钴缝隙填充效能。

本文提供了用于支撑基板的方法和设备。在一些实施例中，用于支撑多个基板的基板支撑件包括：多个基板支撑元件，其具有环形形状，且被配置为以垂直间隔关系支撑多个基板；以及多个基板举升元件，其与多个基板支撑元件交界，并且被配置为同时选择性地升高或...

本文中所述的实施方式提供了一种实现跨工件表面的温度均匀性的基板支撑组件。在一个实施例中，提供了一种基板支撑组件，所述基板支撑组件包括主体。所述主体由陶瓷制作。所述主体具有工件支撑表面及安装表面。所述工件支撑表面及粘合吸盘主体表面具有小于...