本案描述的实施方式提供了一种在数字光刻工艺期间偏移掩模图案数据的方法，以减少曝光图案的线波动。所述方法包括将具有多个曝光多边形的掩模图案数据提供给数字光刻系统的处理单元。处理单元具有多个图像投射系统，其接收掩模图案数据。每个图像投射系统...

掩模板包括：左框架，设置于左侧；右框架，设置于右侧；上框架，将左框架的上端部和右框架的上端部彼此连接；以及下框架，将左框架的下端部和右框架的下端部彼此连接。上框架包括：上直线框架，在水平方向中具有线性形状；以及上弯曲框架，与上直线框架间...

本文公开的实施方式总体涉及响应于覆盖误差来调整基板的曝光参数。方法包括将基板划分为一个或多个区段。每个区段对应于图像投影系统。确定沉积在基板上的第一层的总覆盖误差。针对每个区段，计算区段覆盖误差。针对其中两个或多个区段重叠的每个重叠区域...

在具有微波等离子体源的处理反应器中，微波辐射器被安装于旋转微波耦合件上，以用于连续的旋转。续的旋转。续的旋转。

深度测量设备包括：(1)相机和镜头组件，该相机和镜头组件捕捉包括多个深度级别的目标的图像序列的图像数据；(2)运动台，相机和镜头组件或目标定位在该运动台上；(3)马达，该马达连接到运动台，该马达在定义的增量值处引起相机和镜头组件与目标之...

清洁基板或电镀系统组件可包括在一半导体电镀室清洗一基板的方法。此方法可包括将一头部自一电镀槽移动到一第一位置。头部可包括与头部耦接的一基板。此方法可包括在一第一期间内旋转头部以将槽液甩落回到电镀槽中。一残留量的槽液可能会残留。此方法可包...

本公开内容提供一种可连接至阴极组件(190)的阴极驱动单元(100)和一种用于在基板上沉积材料的沉积设备(10)。阴极驱动单元(100)包括冷却剂排放通道(150)。阴极驱动单元(100)包括第一密封件(110)。第一密封件(110)设...

本公开描述了用于在基板上沉积非晶碳层的方法。基板被暴露于具有式(I)的结构的碳前驱物。本公开还描述了蚀刻基板的方法，所述方法包括通过将基板暴露于具有式(I)的结构的碳前驱物来在基板上形成非晶碳硬掩模。前驱物来在基板上形成非晶碳硬掩模。前...

本公开内容的实施方式提供了使用固态发射器阵列的改进的光刻系统和方法。固态发射器阵列包括以行和列布置的固态发射器装置，其中每个固态发射器装置包括两个或更多个子像素。每个固态发射器装置包括一个程序栅极，其可将电压传送到状态存储节点。状态存储...

本公开内容的实施方式一般涉及用于形成光学部件的方法，光学部件例如用于虚拟现实或扩增实境显示设备。在一个实施方式中，方法包含在基板上形成第一层的步骤，第一层具有第一折射率。方法进一步包含以下步骤：将具有图案的印模按压至第一层上，及将印模的...

公开用于在多阴极处理腔室中使用的工艺配件、多阴极处理腔室和用于在多阴极处理腔室中使用的工艺配件部件。工艺配件包括以下中的一个或多个：锥形屏蔽物、可旋转的屏蔽物、护罩、内部沉积环、外部沉积环或盖环。在一些实施方式中，工艺配件包括：可旋转的...

本文中描述的实施方式提供改进被沉积的膜或待蚀刻的膜的均匀性的气体分布组件。所述气体分布组件的一个实施方式包括扩散器，所述扩散器具有顶部扩散板和设置在所述顶部扩散板中的多个第一气体通道区段。各第一气体通道与设置在所述顶部扩散板中的至少一个...

本文所述的实施方式提供一种用于执行基于块的(block

本文所述的实施方式涉及用于工艺腔室中的机械隔离和热绝缘的装置和技术，具体为一种用于工艺腔室的装置。在一个实施方式中，绝缘层被设置在圆顶组件和气体环之间。绝缘层被配置以维持圆顶组件的温度并且防止从圆顶组件到气体环的热能传递。绝缘层提供圆顶...

本公开的实施例涉及制品、被涂覆的制品，所述制品包括：主体；含稀土金属的氟化物涂层，所述含稀土金属的氟化物涂层在所述主体的表面上；以及缓冲层，所述缓冲层在所述主体的所述表面上，其中所述含稀土金属的氟化物涂层覆盖所述缓冲层。

一般而言，本文描述的实施方式涉及用于制造半导体装置的互连结构的方法，诸如双减法蚀刻工艺。一个实施方式为用于半导体处理的方法。氮化钛层形成于基板上方。硬掩模层形成于氮化钛层上方。将硬掩模层图案化成图案。将图案转印至氮化钛层，其中转印步骤包...

在此描述的实施方式一般涉及一种用于制造用于等离子体处理腔室的腔室部件的方法和设备。在一个实施方式中，提供在等离子体处理腔室内使用的腔室部件，腔室部件包括：金属基底材料，金属基底材料包含粗糙的非平面第一表面，其中粗糙的非平面表面具有在4微...

本文的实施例提供对使用可流动化学气相沉积(flowable chemical vapor deposition；FCVD)工艺沉积的非晶硅层进行等离子体处理的方法。在一个实施例中，处理基板的方法包括通过以下步骤等离子体处理非晶硅层：使实...

本公开的实施例通常关于沉积用于图案化应用的高密度膜的技术。在一个实施例中，提供了一种处理基板的方法。该方法包括：在基板上形成的膜堆叠上方沉积碳硬模，其中基板被定位在处理腔室中设置的静电夹盘上；将离子植入碳硬模，其中沉积碳硬模和将离子植入...

一种用于处理半导体的设备，所述设备包括处理腔室，所述处理腔室具有设置在顶部适配器组件中的多个阴极。具有磁控管组件的多个阴极包括：用于支撑磁控管组件的分流板；环磁极组件，所述环磁极组件耦接至分流板且具有环磁极、线性磁极和中心磁极，线性磁极...