描述一种用于生产多层压印母版的方法。所述方法包括：提供基板(10)，所述基板具有主表面(10A)，所述主表面提供第一平面(11)；及在基板(10)中产生第一组特征(21)。第一组特征(21)提供低于第一平面(11)的第二平面(12)。此...

描述了一种用于在运输方向(T)上运输载体(10)的磁悬浮系统(100)。磁悬浮系统包括一个或多个磁性轴承(120)，所述一个或多个磁性轴承具有一个或多个第一致动器(121)，用于在载体运输空间(15)中非接触地保持载体(10)。另外，磁...

提供了一种保持器(120)，所述保持器(120)被构造成附接到用于保持基板(101)的承载体的承载体主体(160)。所述保持器(120)包括固定部分(122)，所述固定部分被构造成附接到承载体主体(160)；和浮动部分(123)，所述浮...

在一些实施例中，半导体处理装置包含：导电支撑件，包含网；导电轴，包含导电杆；以及多个连接组件。多个连接组件并列地耦接到网并且在单个接面处连接到杆。多个连接组件有助于散布RF电流，从而减少基板中的局部加热，导致更均匀的膜沉积。此外，使用合...

本公开内容的实施方式提供一种热处理腔室，包含基板支撑件、设置于基板支撑件的上方或下方的第一多个加热元件、及设置于基板支撑件上的点加热模块。点加热模块被用于在处理期间提供设置于基板支撑件上的基板上的区域的局部加热。基板的局部加热改变了温度...

本文的实施例能够有利地在数字直写式光刻系统中同时处理多个基板。在一个实施例中，一种处理多个基板的方法包括：将多个基板定位在处理系统的基板载体上，将基板载体定位在多个光学模块下面，独立地对多个基板中的每一者进行水平校准，判定多个基板中的每...

本公开的实施例涉及薄膜的原位沉积和处理以改善阶梯覆盖率的方法。一个实施例中，提供用于处理基板的方法。该方法包括：通过将基板暴露至第一前驱物与第二前驱物的气体混合物、同时等离子体存在于工艺腔室中，而在基板的多个图案化特征上形成介电层，其中...

描述用来处理一个或多个晶片的装置和方法。基板暴露于复数个工艺站以用小增量沉积、退火、处理和可选地蚀刻膜，以提供基板表面上的膜的自对准生长。

描述一种在真空系统中处理掩模的方法。所述方法包括(a)在真空系统中沿着传送路径以非水平定向(V)传送运载第一掩模(11)的掩模载体(10)；(b)将运载第一掩模(11)的掩模载体(10)的定向从非水平定向(V)改变为基本上水平的定向(H...

本文提供用于增强处理均匀性和减少基板滑动的基座。在一些实施方式中，基板支撑件包括：基座板，所述基座板具有顶表面；凹槽，所述凹槽形成于顶表面内，其中所述凹槽由边缘界定；和多个倾斜支撑元件，所述多个倾斜支撑元件设置于凹槽内，且所述多个倾斜支...

本公开内容提供在处理系统中的载体(212)的热处理的装置(200)。装置包括载体(212)，所述载体(212)被配置以在基板接收区域(232)中支撑基板(230)，所述载体(212)具有延伸到基板接收区域(232)之外的一个或多个边缘部...

描述了一种用于在真空腔室(210)中运输载体(10)的设备(100)。设备(100)包括在运输方向(T)上沿着第一运输路径(T1)设置的第一运输系统(101)。第一运输系统(101)包括第一下部轨道区段(11L)和第一上部轨道区段(11...

公开的实施方式描述了一种系统，该系统包括：沉积腔室；产生入射光束的光源，其中该入射光束用于照射沉积腔室的区域；和相机，收集源自沉积腔室的照射区域的散射光，其中当第一入射光束与沉积腔室的照射区域内的微粒相互作用时，产生散射光。所描述的系统...

本文讨论的磁性隧道结(MTJ)结构的实施方式采用了铬(Cr)、NiCr、NiFeCr、RuCr、IrCr或CoCr或前述的组合的一或多个层的种晶层。这些种晶层与一或多个钉扎层组合使用，与该种晶层接触的第一钉扎层可含有钴的单层，或可含有钴...

本公开一般关于用于半导体处理的基板支撑件。在一个实施例中，提供了基板支撑件。基板支撑件包括：主体，包含基板夹持表面；电极，设置在主体内；多个基板支撑特征，形成在基板夹持表面上，其中基板支撑特征的数量从基板夹持表面的中心到基板夹持表面的边...

电子器件处理设备包括具有净化气体加热的工厂界面腔室净化设备。工厂界面腔室净化设备包括一个或多个加热器件，其被配置为加热净化气体。在一些实施方式中，在为工厂界面维护打开进出门之后，向腔室过滤器组件提供加热的净化气体可以快速减少水气污染。在...

本公开内容的实施方式总的来说提供改进的方法，所述方法用于清洁真空腔室以在腔室陈化工艺之前从真空腔室移除吸附的污染物，同时将所述腔室维持在所期望的沉积处理温度下。所述污染物可由清洁气体与腔室部件以及真空腔室的壁反应而形成。

公开了半导体处理系统部件。示例性的半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与所述处理腔室耦接的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括耦接在所述远程等离子体单元和所述处理腔室之间的混合歧管。所述混合歧管可以由第一端部和与所述第一端部相...

本文的系统和方法的实施方式涉及经由ALD或CVD在处理腔室的多个内部部件上原位形成保护膜。涂布有保护膜的内部部件包括腔室侧壁、腔室底部、基板支撑基座、喷头、和腔室顶部。保护膜可为具有包括非晶Si、碳硅烷、多晶硅、SiC、SiN、SiO

本文讨论的磁性隧道结(MTJ)结构的实施方式采用第一钉扎层及第二钉扎层，且两者之间设置有合成反铁磁层。与种晶层接触的第一钉扎层可含有单独的铂或钯的单层，或者铂或钯的单层与钴和以下项的一或多个双层结合：铂(Pt)、镍(Ni)或钯(Pd)或...