本公开涉及使用增材制造工艺形成先进抛光垫的方法和设备。根据本公开的一或多个实施例，已发现具有改良特性的抛光垫可由诸如三维(3D)打印工艺之类的增材制造工艺来产生。因此，本公开的实施例可提供具有离散特征及几何形状、由至少两种不同材料形成的...

本公开涉及使用增材制造工艺形成先进抛光垫的方法和设备。根据本公开的一或多个实施例，已发现具有改良特性的抛光垫可由诸如三维(3D)打印工艺之类的增材制造工艺来产生。因此，本公开的实施例可提供具有离散特征及几何形状、由至少两种不同材料形成的...

本文中公开了一种用于在检查站中装载基板的方法和设备。在一个实施方式中，提供了一种用于基板检查系统的装载模块，所述装载模块包括：第一输送机模块；以及第二输送机模块，所述第二输送机模块具有与所述第一输送机模块的可移动表面基本上平行地定位的可...

本公开内容的实施方式涉及对经受真空处理的基板的检查。在一个实施方式中，处理腔室包括：第一观察口、第二观察口、电磁辐射发射器及检测器，第一观察口使电磁辐射的发射器能够照射处理腔室中的基板，第二观察口使检测器能够检测从基板散射的电磁辐射。

一种用于在处理腔室中检测陈化处理的终点的方法，该方法包括以下步骤：获得指示第一多个基板中的每一基板的陈化处理的进度的陈化进度数据，以及从设置在处理腔室中的多个传感器收集历史参数值。相对于第一多个基板中的特定基板的多个参数值，归一化第一多...

公开了在不使用阻挡层的情况下沉积金属膜的方法。一些实施方式包含形成包含硅或硼中的一或多种的非晶成核层，和在所述成核层上形成金属层。

在一个或多个实施例中，一种用于通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)来沉积碳硬掩模材料的方法包括：将容纳在工艺腔室内的基板加热到在从约100℃至约700℃的范围内的温度；以及用发出大于3kW的RF功率的功率发生器产生等离子体。在一些...

本公开内容的实施方式提供了使用固态发射器装置的改进的光刻系统和方法。所述固态发射器装置包括被布置成多个水平行和竖直列的固态发射器阵列。每组固态发射器的可变强度，例如整行固态发射器或整列固态发射器的可变强度，是可控制的，以改进场亮度均匀性...

本文描述的实施方式涉及具有亚波长尺寸的纳米结构的透反射滤光器。在一个实施方式中，所述透反射滤光器包括膜堆叠，所述膜堆叠透射一波长范围内的过滤光，并反射不在第一波长范围内的光。所述膜堆叠包括：第一金属膜，设置在基板上，具有第一厚度；第一介...

本公开的实施例涉及用于使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺将非晶碳层沉积到基板上、包括沉积在所述基板上的先前形成的层上方的方法，具体而言，本文中描述的方法利用RF AC功率和脉冲DC功率的组合来产生等离子体，所述等离子体以sp...

本发明的实施例总体上涉及在厚膜沉积期间在等离子体处理腔室中减少电弧的装置。在一个实施例中，当在基板上沉积厚(大于两微米)层时，使用包括比基板的外径大约0.28英寸至约0.38英寸的内径的边缘环。层可以是介电层，诸如碳硬掩模层，例如非晶碳...

描述了一种用于在基板装载模块中支撑基板载体的设备(100)。所述设备包括载体锁定机构(140)，所述载体锁定机构被配置为在所述基板载体的一侧接合所述基板载体(210)，所述载体锁定机构包括主体(145)和接合所述载体的所述一侧的可移动的...

本文描述了一种处理基板的系统。包括：腔室主体，在所述腔室主体中限定处理空间，基板支撑组件，所述基板支撑组件设置在所述处理空间中，所述基板支撑组件具有静电卡盘和加热器；第一传感器；和控制器，所述控制器接收来自所述第一传感器的信号，所述信号...

在本文描述的一些实施方式中，提供一种可偏压准直器。使所述准直器偏压的能力允许控制溅射物质所穿过的电场。在本公开内容的一些实施方式中，提供了一种具有高有效深宽比，同时维持沿所述准直器的六边形阵列的所述准直器周边的低深宽比的准直器。在一些实...

本公开涉及使用增材制造工艺形成先进抛光垫的方法和设备。根据本公开的一或多个实施例，已发现具有改良特性的抛光垫可由诸如三维(3D)打印工艺之类的增材制造工艺来产生。因此，本公开的实施例可提供具有离散特征及几何形状、由至少两种不同材料形成的...

公开了测量装置和压印设备。测量装置(100)适于测量像用于纳米压印光刻的光刻胶这样的待监控流体(200)的多个性质。测量装置(100)包括：流量电容器装置(101)，具有流体入口及流体出口，流量电容器装置(101)被构造成使待监控流体(...

此处系统及方法相关于使用硅晶圆、玻璃、或如基板的装置来形成光学装置，所述光学装置包含堆叠的光学元件层。可在暂时或永久基板上制造此处所讨论的光学元件。在一些范例中，制造光学装置以包含透明基板或装置，所述装置包含电荷耦合装置(CCD)、或互...

本文披露的实施方式包括一种用于消除在半导体工艺中产生的化合物的消除系统和方法。所述消除系统包括用于产生氧化等离子体的远程等离子体源，所述氧化等离子体用于处理来自在处理腔室中执行的沉积工艺的排放气体，所述处理辅助在排放冷却设备中捕获颗粒。...

物理气相沉积(PVD)腔室沉积具有高厚度均匀性的膜。PVD腔室包括电磁线圈，当用直流电力通电时，所述线圈可改变PVD腔室的处理区域的边缘部分中的等离子体。线圈设置在PVD腔室的真空容纳部分内并且位于PVD腔室的处理区域外部。

质量流量校验系统和设备基于压力衰减原理来校验质量流量控制器(MFC)的质量流率。实施方式包括用于在管线中耦合经校准的气体流量标准器或待测试的MFC以从气源接收气流的位置；串联耦合到管线中的所述位置以接收气流的控制体积；串联耦合到控制体积...