无阻挡层的钨沉积制造技术

公开了在不使用阻挡层的情况下沉积金属膜的方法。一些实施方式包含形成包含硅或硼中的一或多种的非晶成核层，和在所述成核层上形成金属层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】无阻挡层的钨沉积
本公开内容一般地涉及沉积薄膜的方法。特别地，本公开内容涉及沉积钨膜或含钨膜的方法。
技术介绍
半导体处理工业持续需求更大的生产产量，同时增加在具有更大表面积的基板上所沉积的层的均匀性。这些相同的因素与新材料的结合还在每单位面积的基板上提供更高的电路集成度。随着电路集成度增加，对于关于层厚度的更大均匀性和工艺控制的需求上升。结果，已开发以成本有效的方式在基板上沉积层同时保持对层特性的控制的各种技术。化学气相沉积(Chemicalvapordeposition；CVD)是用于在基板上沉积层的最普遍的沉积工艺。CVD是一种通量依赖的沉积技术，所述技术需要对基板温度和引入处理腔室中的前驱物精确控制以产生具有均匀厚度的所需层。随着基板尺寸增加，这些要求变得越来越关键，这样需要更复杂的腔室设计和气流技术以保持足够的均匀性。展示优异阶梯覆盖的CVD的变体是循环沉积或原子层沉积(atomiclayerdeposition；ALD)。循环沉积基于原子层外延(atomiclayerepitaxy；ALE)并且采用化学吸附技术以连续本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种处理方法，包含：/n将基板表面暴露于硼前驱物以形成非晶硼层，所述基板表面实质上无阻挡层；/n将所述非晶硼层暴露于第一金属前驱物以将所述非晶硼层转变为第一金属层；/n通过将所述第一金属层暴露于第二金属前驱物，在所述第一金属层上形成第二金属层。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180424 US 15/961,3631.一种处理方法，包含：
将基板表面暴露于硼前驱物以形成非晶硼层，所述基板表面实质上无阻挡层；
将所述非晶硼层暴露于第一金属前驱物以将所述非晶硼层转变为第一金属层；
通过将所述第一金属层暴露于第二金属前驱物，在所述第一金属层上形成第二金属层。


2.如权利要求1所述的方法，其中所述硼前驱物包含具有通式BcHdXeRf的一或多个物种，其中每一X是独立地选自F、Cl、Br和I的卤素，每一R是独立选择的C1-C4烷基，c是大于或等于2的任何整数，d、e和f中的各个小于或等于c+2并且d+e+f等于c+2。


3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一金属前驱物和所述第二金属前驱物独立地包含WF6、WCl6、WCl5、W(CO)5、MoF6、MoCl5或Mo(CO)6中的一或多种。


4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一金属前驱物实质上不包含氟。


5.如权利要求1所述的方法，其中所述第二金属层是通过将所述基板表面分别暴露于第二金属前驱物和反应物而形成。


6.一种处理方法，包含：
将基板表面暴露于硅前驱物以形成非晶硅层，所述基板表面实质上无阻挡层；
将所述非晶硅层暴露于第一金属前驱物以将所述非晶硅层转变为第一金属层；
通过将所述第一金属层暴露于第二金属前驱物，在所述第一金属层上形成第二金属层。


7.如权利要求6所述的方法，其中所述硅前驱物包含具有通式SigHhXi的一或多个物种，其中每一X是独立地选自F、Cl、Br和I的卤素，g是大于或等于1的任何整数，h和i各自小于或等于2g+...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈一宏，巫勇，秦嘉政，斯里尼瓦·甘迪科塔，凯尔文·陈，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US