描述一种用于处理基板的真空处理设备。所述真空处理设备包括真空腔室；与真空腔室相邻的并操作性地与真空腔室耦接的至少两个处理站，当基板在不同处理站进行处理时，基板的表面具有不同的定向，并且至少一个处理站包括具有纵向轴的线性源以用于处理基板；...

本发明涉及抗等离子体腐蚀的稀土氧化物基薄膜涂层。制品包含主体和至少一个保护层，所述保护层位于所述主体的至少一个表面上。所述至少一个保护层是具有小于约20微米的厚度、并包含陶瓷的薄膜，所述陶瓷选自由以下各项组成的组：Y

一种通过原位电磁感应监测系统补偿半导体晶片的电导率对测得迹线的贡献的方法包括存储或产生经修改的参考迹线。经修改的参考迹线表示通过神经网络修改的由原位电磁感应监测系统对裸掺杂的参考半导体晶片的测量。通过原位电磁感应监测系统来监测基板，以产...

提供了用于产生等离子体产物的示例性磁感应等离子体系统。磁感应等离子体系统可包括第一等离子体源，第一等离子体源包括多个第一部分和多个第二部分，多个第一部分和多个第二部分以交替的方式布置且彼此流体地耦合，使得在第一等离子体源内产生的等离子体...

本公开内容的实施方式一般涉及一种图像投影系统。该图像投影系统包括有源矩阵固态发射器(SSE)装置。该有源矩阵固态发射器包括基板、硅层和发射器基板。该硅层经沉积在具有多个晶体管形成于其中的该基板之上。该发射器基板经定位在该硅层与该基板之间...

本公开内容的实施方式提供了用于从设置在基板上的膜堆叠形成磁隧道结(MTJ)结构的方法，以用于磁随机存取存储器(MRAM)应用和相关联的MTJ器件。本文描述的方法包括从膜堆叠形成材料层的膜特性以产生具有足够高垂直磁各向异性(PMA)的膜堆...

一种电子器件封装制造的方法，包括：将平坦化液体分配至从基板突出的相邻特征之间的区域中。该平坦化液体随后经处理以在相邻特征之间的区域中提供硬化、基本上固体的材料。一些示例中，平坦化液体能够是用在形成多阶层重分布层中的介电材料或是用于封装半...

本公开内容的实施方式总体涉及用于高深宽比结构的保形氧化的处理腔室。处理腔室包括腔室主体，腔室主体具有第一侧和与第一侧相对的第二侧，和设置在第一侧的流动组件。流动组件包括分流器，以引导流体流动远离设置在处理腔室的处理区域中的基板的中心。分...

一种用于在多个部件的内部上施加涂层的气体分配组件包括支撑件，在所述支撑件内形成有多个部件空腔。每个部件空腔对应于相应部件以与所述相应部件的内部流体耦接。第一气源流动管线与所述部件空腔中的每个部件空腔流体耦接以将来自第一气源的第一气体提供...

描述了一种用于防护罩的瓦、防护罩和沉积设备，其中所述防护罩被构造为在真空处理腔室中遮罩沉积源的材料。所述瓦包括瓦主体；所述瓦主体的第一侧部，所述第一侧部被构造为面向所述沉积源；所述瓦主体的第二侧部，所述第二侧部与所述第一侧部相对，所述第...

本公开涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体壳层的方法和设备。改变跨在基板组件内的内部电极和外部电极的电压/电流分布促成等离子体跨基板的空间分布。所述方法包括：将第一射频功率提供到嵌入在基板支撑组件中的中心电极；将第二射频功率提供到嵌入在...

一种化学机械抛光装置，包括：平台，用以保持抛光垫；载具，用以在抛光工艺期间保持基板抵靠抛光垫的抛光表面；和温度控制系统，所述温度控制系统包括流体介质的源和一个或多个开口，所述一个或多个开口定位在平台之上并与抛光垫分开，且配置用于使流体介...

用于在晶片级封装兼容工艺中形成嵌入式反熔丝的方法及设备。在一些实施例中，用于形成嵌入式反熔丝的方法包括：在第一聚合物层上形成第一重新分配层；在所述第一重新分配层上沉积反熔丝介电层；在所述反熔丝介电层上形成第二聚合物层；使用平版印刷工艺与...

本公开内容涉及用于热处理腔室的支撑环。支撑环具有多晶硅涂层。多晶硅涂层使用等离子体喷涂沉积工艺而形成。

示例性蚀刻方法可包含将含氟前驱物流入半导体处理腔室的基板处理区域中。方法可包含将含氢前驱物流入基板处理区域中。方法可包含将容纳在基板处理区域中的基板与含氟前驱物和含氢前驱物接触。基板可包含沟槽或凹陷特征，并且沿沟槽或特征的侧壁可形成间隔...

描述了等离子体源组件、包括等离子体源组件的气体分配组件和产生等离子体的方法。等离子体源组件包括供电电极，具有与第一侧相邻的接地电极和与第二侧相邻的电介质。第一微波产生器经由第一馈电器而电耦合到供电电极的第一端，并且第二微波产生器经由第二...

在一个实例中，腔室入口组件包括腔室入口、用于输送管线的外部耦接件以及用于处理腔室的处理区域的内部耦接件。内部耦接件和外部耦接件分别在腔室入口的内端和外端上，其中内部耦接件的横截面面积大于外部耦接件的横截面面积。腔室入口组件还包括纵向剖面...

本文实施方式描述一种亚微米3D光学材料结构及用于形成该亚微米3D光学材料结构的方法。在第一实施方式中，提供一种在无需平坦化的情况下在基板上形成亚微米3D光学材料结构的方法。该方法包括在基板上沉积待被图案化的材料堆叠，在材料堆叠的一部分上...

在此所述的实施方式提供形成非晶或纳米结晶陶瓷膜的方法。方法包括使用物理气相沉积(PVD)工艺在基板上沉积陶瓷层；当陶瓷层具有预定的层厚度时中断PVD工艺；溅射蚀刻陶瓷层达预定的时段；和重复使用PVD工艺沉积该陶瓷层的步骤、中断PVD工艺...

本案描述切割半导体晶片的方法。在一实例中，切割在其上具有集成电路的半导体晶片的方法包括在半导体晶片上方形成掩模，所述掩模由覆盖并保护集成电路的层组成。接着利用多程激光划刻工艺图案化掩模以提供具有间隙的图案化掩模，所述间隙暴露在集成电路之...