用于远程等离子体氧化腔室的狗骨式入口锥形轮廓制造技术

本公开内容的实施方式总体涉及用于高深宽比结构的保形氧化的处理腔室。处理腔室包括腔室主体，腔室主体具有第一侧和与第一侧相对的第二侧，和设置在第一侧的流动组件。流动组件包括分流器，以引导流体流动远离设置在处理腔室的处理区域中的基板的中心。分流器包括新月形的第一侧、顶部和底部。处理腔室还包括邻近第二侧定位的分散式泵送结构。流动组件被设计为减少自由基的流动收缩，带来自由基浓度和通量增加。

Dog bone inlet conical profile for remote plasma oxidation chamber

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于远程等离子体氧化腔室的狗骨式入口锥形轮廓背景领域本公开内容的实施方式大致涉及半导体装置制造，并且具体地涉及用于高深宽比结构的保形(conformal)氧化的流动组件。相关技术的说明硅集成电路的生产对制造步骤提出了在芯片上减小最小特征尺寸的同时增加装置数量的难以满足的需求。此外，装置制造商的成本压力增加造成对增加半导体制造设施的产量的需要。结果，半导体制造工艺必须以极高的均匀性高速执行膜形成(formation)和改性(modification)操作。一种这样的工艺是在半导体基板上氧化膜。在这样的工艺中，氧化气体混合物以高速流入处理腔室中，并通过在基板的底层(underlyinglayer)中掺入氧来改变基板的底层，以形成膜的氧化物。气体进入处理腔室的速度和在排放之前于腔室内的短暂停留时间不允许气体有时间均匀地扩散在基板上，因而产生不均匀的膜厚度。因此，需要用于执行半导体基板氧化的改良的设备和方法。
技术实现思路
本公开内容的实施方式总体涉及半导体装置制造，并且具体地涉及用于高深宽比结构的保形氧化的流动组件。在一个或本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种处理腔室，包括：/n腔室主体，其中所述腔室主体包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；/n流动组件，设置在所述第一侧中，其中所述流动组件包括：/n分流器，其中所述分流器包括：/n出口端，所述出口端具有弯曲的面；/n入口端，所述入口端与所述出口端相对；/n与轮廓相符的顶部；和/n底部；和/n分散式泵送结构，所述分散式泵送结构与所述第二侧相邻。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180125 IN 2018410030451.一种处理腔室，包括：
腔室主体，其中所述腔室主体包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；
流动组件，设置在所述第一侧中，其中所述流动组件包括：
分流器，其中所述分流器包括：
出口端，所述出口端具有弯曲的面；
入口端，所述入口端与所述出口端相对；
与轮廓相符的顶部；和
底部；和
分散式泵送结构，所述分散式泵送结构与所述第二侧相邻。


2.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述与轮廓相符的顶部包括：
第一区段；
第二区段；和
第三区段。


3.如权利要求2所述的处理腔室，其中所述第一区段是三角形形状，所述第二区段是具有第一弯曲边的三角形形状，并且所述第三区段是具有第二弯曲边的三角形形状。


4.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述分流器在高度上变化。


5.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述分流器的所述第一侧具有第一长度，所述流动组件的所述第一侧具有第二长度，并且其中所述第一长度在所述第二长度的3/4与4/5之间。


6.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述流动组件包括凹槽。


7.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述流动组件包括管道，所述管道从所述入口横向到所述出口扩展，并且其中所述分流器设置在所述管道中。


8.一种处理系统，包括：
前驱物活化器；
处理腔室，所述处理腔室耦接到所述前驱物活化器，其中所述处理腔室包括：
腔室主体，其中所述腔室主体包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；
流动组件，所述流动组件设置在所述第一侧中，其中所述流动组件包括：
流动构件，所述流动构件具有入口侧，所述流动构件包括：
凹槽；
入口，所述入口在所述凹槽内；和
出口侧，所述出口侧与所述入口侧相对，其中所述出口侧是弯曲的并且具有出口；
分流器，其中所述分流器包括：
出口端，所述出口端具有弯曲的面，以匹配...

【专利技术属性】
技术研发人员：维希瓦·库马尔·帕迪，卡尔蒂克·萨哈，克里斯托弗·S·奥尔森，阿古斯·索菲安·查德拉，汉瑟·劳，庄野贤一，荷曼撒·拉朱，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US