【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】针对原位电磁感应监测的边缘重建中的基板掺杂的补偿
本公开涉及化学机械研磨，且更具体而言涉及在化学机械研磨期间监测导电层。
技术介绍
通常通过将导电层、半导体层或绝缘层按顺序沉积在硅晶片上而在基板上形成集成电路。多种制造工艺需要使基板上的层平坦化。例如，一个制造步骤包括在非平面的表面之上沉积填料层并平坦化该填料层。对于某些应用而言，平坦化填料层直至暴露了图案化层的顶表面为止。例如，可在图案化的绝缘层上沉积金属层以填充绝缘层中的沟槽及孔。在平坦化之后，在图案化的层的沟槽及孔中的金属的剩余部分形成通孔、插塞及接线，以提供基板上的薄膜电路之间的导电路径。化学机械研磨(CMP)为一种公认的平坦化方法。此平坦化方法通常需要将基板安装在承载头上。通常抵靠旋转研磨垫放置基板的暴露表面。承载头在基板上提供可控负载以将基板推抵研磨垫。通常将具有磨料颗粒的研磨浆料供应至研磨垫的表面。CMP中的一个问题在于确定研磨工艺是否完成，即，是否已将基板层平坦化至所需平整度或厚度，或何时已移除了所需量的材料。浆料成分、研磨垫条件、研磨垫与基板...
【技术保护点】
1.一种研磨基板的方法，包括：/n存储或产生经修改的参考迹线，所述经修改的参考迹线表示通过神经网络修改的由原位电磁感应监测系统对裸掺杂的参考半导体晶片的测量，/n使具有安置在半导体晶片之上的导电层的基板与研磨垫接触；/n产生所述基板与所述研磨垫之间的相对运动；/n当研磨所述导电层时利用所述原位电磁感应监测系统来监测所述基板，以产生取决于所述导电层的厚度的测得迹线；/n将所述测得迹线的至少一部分应用于神经网络以产生经修改的测得迹线；/n产生经调整迹线以至少部分地补偿所述半导体晶片的电导率对所述测得迹线的贡献，包括自所述经修改的测得迹线中减去所述经修改的参考迹线；以及/n进行基...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种研磨基板的方法，包括：
存储或产生经修改的参考迹线，所述经修改的参考迹线表示通过神经网络修改的由原位电磁感应监测系统对裸掺杂的参考半导体晶片的测量，
使具有安置在半导体晶片之上的导电层的基板与研磨垫接触；
产生所述基板与所述研磨垫之间的相对运动；
当研磨所述导电层时利用所述原位电磁感应监测系统来监测所述基板，以产生取决于所述导电层的厚度的测得迹线；
将所述测得迹线的至少一部分应用于神经网络以产生经修改的测得迹线；
产生经调整迹线以至少部分地补偿所述半导体晶片的电导率对所述测得迹线的贡献，包括自所述经修改的测得迹线中减去所述经修改的参考迹线；以及
进行基于所述经调整迹线暂停研磨或修改研磨参数中的至少一者。
2.如权利要求1所述的方法，包括：利用原位电磁感应监测系统的传感器来扫描所述裸掺杂的参考半导体晶片，以产生具有原始信号值的初步参考迹线，将所述初步参考迹线中的原始信号值转换为厚度值以产生初始参考迹线，以及将所述初始参考迹线的至少一部分应用于所述神经网络以产生所述经修改的参考迹线。
3.如权利要求1所述的方法，其中产生所述经修改的参考迹线的步骤包括：横跨所述裸掺杂的参考半导体晶片扫描原位电磁感应监测系统的传感器。
4.如权利要求1所述的方法，其中产生所述经调整迹线包括：缩放所述经修改的参考迹线与所述经修改的测得迹线之间的差。
5.如权利要求4所述的方法，其中计算所述经调整迹线A(x)以使得
A(x)＝(T(x)-S(x)-b)/k
其中T(x)为所述经修改的测得迹线，S(x)为所述经修改的参考迹线，且b及k为常数。
6.如权利要求1所述的方法，其中应用于所述神经网络的所述测得迹线的所述至少一部分包括对应于所述基板的边缘区域的部分。
7.如权利要求1所述的方法，包括：用多个训练迹线训练所述神经网络，所述多个训练迹线表示一个或更多个训练基板的测量，所述一个或更多个训练基板具有在未掺杂的半导体晶片上的导电层，其中不同训练迹线对应于所述导电层的不同厚度及不同的边缘轮廓。
8.一种有形地体现在非暂态计算机可读介质中的计算机程序产品，包括指令以使得一个或多个计算机用于：
存储或产生经修改的参考迹线，所述经修改的参考迹线表示通过神经网络修改的由原位电磁感应监测系统对裸掺杂的参考半导体晶片的测量；
当研磨基板上的导电层时，自原位电磁感应监测系统接收取决于所述导电层的厚度的测得迹...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·A·伊万诺夫，许昆，D·M·盖奇，H·Q·李，H·G·伊拉瓦尼，D·E·本内特，K·L·什里斯塔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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