处理基板的系统技术方案

本文描述了一种处理基板的系统。包括：腔室主体，在所述腔室主体中限定处理空间，基板支撑组件，所述基板支撑组件设置在所述处理空间中，所述基板支撑组件具有静电卡盘和加热器；第一传感器；和控制器，所述控制器接收来自所述第一传感器的信号，所述信号对应于所述静电卡盘的电阻率的变化，且响应于接收到所述信号以将所述加热器控制到第一温度设定点。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】处理基板的系统
本公开内容的实现一般涉及用于处理基板(例如半导体基板)的设备。更具体地，涉及用于半导体基板的处理室的温度控制。
技术介绍
在处理室中的基板处理中，将基板放置在处理室中的基板支撑件上，同时在处理室中维持合适的处理条件，以在基板的表面上沉积、蚀刻、形成层或以其他方式处理基板的表面。可以使用高温等离子体处理环境在处理室中处理基板。在处理期间对于基板的关键特性重要的一个处理条件是基板温度。基板温度为在处理室中被处理的基板的温度。基板温度需要维持在目标基板温度，以实现正在制造的基板的高公差。随着基板的特征尺寸减小并且处理室中的温度增加，越来越需要将处理的基板的基板温度维持在目标基板温度。基板的处理对处理期间的温度波动高度敏感，并且控制基板的基板温度对于实现被处理基板的高公差是必要的。处理室中的基板支撑件可包括加热器设备，所述加热器设备用于加热处理室的处理空间和由基板支撑件支撑的基板。加热器设备具有加热器温度设定点，该加热器温度设定点确定加热器设备的热输出。控制加热器设备以具有选定的加热器温度设定点，以将基板温度维持在目标基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种处理基板的系统，其特征在于，包括：/n腔室主体，在所述腔室主体中限定处理空间，/n基板支撑组件，所述基板支撑组件设置在所述处理空间中，所述基板支撑组件具有静电卡盘和加热器；/n第一传感器；和/n控制器，所述控制器接收来自所述第一传感器的信号，所述信号对应于所述静电卡盘的电阻率的变化，且响应于接收到所述信号以将所述加热器控制到第一温度设定点。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170727 US 62/537,893;20170925 US 62/562,863;20181.一种处理基板的系统，其特征在于，包括：
腔室主体，在所述腔室主体中限定处理空间，
基板支撑组件，所述基板支撑组件设置在所述处理空间中，所述基板支撑组件具有静电卡盘和加热器；
第一传感器；和
控制器，所述控制器接收来自所述第一传感器的信号，所述信号对应于所述静电卡盘的电阻率的变化，且响应于接收到所述信号以将所述加热器控制到第一温度设定点。


2.如权利要求1所述的系统，其中所述第一传感器是漏电流传感器。


3.如权利要求2所述的系统，其中对应于所述电阻率的变化的所述信号包括：
确定流过所述静电卡盘的第一漏电流；和
将所述第一漏电流与流过所述静电卡盘的经确定的第二漏电流进行比较。


4.如权利要求1所述的系统，...

【专利技术属性】
技术研发人员：赫门特·P·芒吉卡，加内什·巴拉萨布拉曼尼恩，铃木洋一，阿卜杜勒·阿齐兹·卡哈，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：新型
国别省市：美国;US