描述一种平版印刷术设备，具有：基板扫描系统，经配置以扫描基板；图案发生器，经配置以接收输入信号和产生输出信号，所述输出信号与图案相关；和光源，所述光源连接到所述图案发生器，其中所述光源是至少一个微发光二极管阵列，其中所述阵列经配置以接收...

描述了用于前驱物的稳定化的方法及设备，这些方法及设备可用于沉积含锰膜。某些方法及设备涉及经添加衬里的安瓿和/或2

一种增材制造设备包括：平台；分配器，经构造以在平台上输送多个连续的进料层；至少一个能量源，用于选择性熔融平台上的层中的进料；和气刀供应单元。气刀供应单元包括：管，具有沿着管的长度间隔开的多个孔洞；定位于管中的多槽螺旋螺钉；气体入口，经构...

论述了沉积具有高纯度的金属膜的方法。一些实施方式利用包含烷基卤化物及金属前驱物的热ALD工艺。一些实施方式优先于介电表面而在金属表面上选择性沉积具有高纯度的金属膜。一些实施方式优先于金属表面而在介电表面上选择性沉积具有高纯度的金属膜。一...

本公开内容的实施方式关于用于磁性隧道结堆叠的制造的系统及方法。此制造可经由包括以下步骤中的一或多个的方法发生：(1)在种晶层的沉积之前，在缓冲层沉积在基板上之后加热该基板；(2)在结构阻挡层的沉积之前，在第二钉扎层的沉积之后冷却该基板；...

提供一种用于产生光栅结构的光刻系统，这种光刻系统具有多列成像系统，多列成像系统位于能够在交叉扫描方向中移动的桥上；掩模，具有位于成像系统的物平面中的具有固定空间频率的光栅图案；多线对准标记，与光栅图案对准并且具有固定空间频率；工作台，配...

本公开的实施例涉及用于填充沟槽的工艺。所述工艺包括在层的表面上沉积第一非晶硅层，并在所述层中形成的沟槽的一部分中沉积第二非晶硅层，并且所述沟槽的侧壁的部分是暴露的。去除所述第一非晶硅层。所述工艺进一步包括在所述层的所述表面上沉积第三非晶...

本公开内容的实施方式提供了用于阴影掩模的方法和设备。在一个实施方式中，提供了一种阴影掩模，并且所述阴影掩模包括：框架，所述框架由金属材料制成；以及一个或多个掩模图案，所述一个或多个掩模图案耦接到所述框架，所述一个或多个掩模图案包括具有小...

描述了一种用于导引柔性基板(10)的滚轴装置(100)。滚轴装置(100)包括支撑表面(110)，支撑表面(110)用于接触柔性基板(10)，支撑表面(110)具有涂层(120)，涂层(120)包括负电性聚合物。此外，描述了一种包括滚轴...

一种增材制造设备包括：平台；分配器，所述分配器被配置为将多个连续的馈给材料层输送到所述平台上；至少一个光源，所述至少一个光源被配置为生成第一光束和第二光束；多面镜扫描仪；致动器；和振镜扫描仪。所述多面镜扫描仪被配置为接收所述第一光束并将...

本公开文本的实施例总体上涉及集成电路的制造。更特定而言，本文所述的实施提供用于沉积高品质间隙填充物的技术。一些实施例利用化学气相沉积、等离子体气相沉积、物理气相沉积及其组合来沉积所述间隙填充物。所述间隙填充物为高品质的且在性质方面类似于...

描述沉积具有强铁电性的氧化铪薄膜的方法。在第一工艺循环中形成氧化铪单层，第一工艺循环包括使基板顺序暴露于铪前驱物、净化气体、第一氧化剂和净化气体。在第二工艺循环中形成掺杂氧化铪单层，第二工艺循环包括使基板顺序暴露于铪前驱物、净化气体、掺...

一种用于确定沉积于晶片上的导电膜层的厚度的系统及方法，包括：至少两个涡流传感器，用来在由机器手臂运输所述晶片时对所述晶片上的所述导电膜层进行电阻率测量；温度传感器，用来在所述电阻率测量期间确定所述晶片的温度改变；及处理设备，用来基于所确...

描述了一种用于使基板相对于具有纵轴的一或多个沉积源移动的摆动设备。所述摆动设备包括：支撑主体，所述支撑主体用于保持所述基板；旋转机构，所述旋转机构耦接至所述支撑主体以使基板围绕旋转轴移动一角度，以将基板取向从传递或水平取向改变为处理区域...

本发明提供用以降低在等离子体蚀刻室中的粒子缺陷的方法及设备。本发明还提供用于使用原位沉积的腔室涂层的等离子体处理系统的原位低压腔室清洁及气体喷嘴设备。用于导体蚀刻应用的某些腔室清洁实施例包括基于NF3的等离子体清洁，所述等离子体清洁在低...

本文公开了用于在集成基板处理系统中安排基板处理序列的方法、系统、及非暂时性计算机可读取介质。处理装置针对一批半导体基板产生处理模型。该处理模型针对该集成基板处理系统中的每个处理腔室中的每个半导体基板定义对应的开始时间。一个或多个图形处理...

提供了含锂阳极、包括前述含锂电极的高性能电化学装置，以及制造所述含锂阳极和电化学装置的方法，所述高性能电化学装置诸如二次电池。在一个实现方式中，提供了一种阳极电极。所述阳极电极包括第一扩散阻挡层，所述第一扩散阻挡层形成在铜箔上。所述第一...

描述了具有多个处理站和各个晶片支撑表面的处理腔室。处理站和晶片支撑表面布置成使得存在相等数量的处理站和加热器。RF发生器连接到第一站中的第一电极和第二站中的第二电极。底部RF路径经由第一支撑表面和第二支撑表面之间的连接件形成。面之间的连...

本案公开一种沉积系统及其操作方法。此沉积系统包括阴极组件，此阴极组件包含旋转磁体组件，此旋转磁体组件包含围绕内周磁体的多个外周磁体。外周磁体。外周磁体。

本文所述的实施方式提供了一种用于执行基于块的(BB)工作流程以求解与半导体制造环境相关的约束编程(CP)模型的技术。实施方式包括接收包含多个块的至少一个BB工作流程。多个块可以指定一组操作。实施方式包括访问对应于多个块的多个块定义。实施...