本揭露内容的某些方面提供了用于对组织载玻片中的肿瘤区域进行自动检测和分类的技术。方法通常包括从组织载玻片数据库获得数字化的组织载玻片，以及基于来自组织分类模块的输出来确定数字化的组织载玻片中所示的组织的类型。所述方法进一步包括基于来自针...

此处提供处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，处理腔室包含：腔室主体，该腔室主体具有内部空间；基板支撑件，该基板支撑件设置于该内部空间中；靶，该靶设置于该内部空间内且相对于该基板支撑件；处理屏蔽件，该处理屏蔽件设置于该内部空间中且具有环...

本公开内容提供用于清洁在制造OLED装置中使用的真空系统的方法(100)。此方法(100)包括执行预清洁以清洁真空系统的至少一部分，和使用远程等离子体源执行等离子体清洁。

提供一种用于利用至少一个阴极组件(10)涂布基板(100)的方法，至少一个阴极组件(10)具有三个或更多个可旋转靶(20)，三个或更多个可旋转靶(20)各包括位于其中的磁体组件(25)。所述方法包括：旋转磁体组件(25)至相对于平面(2...

公开了用于在具有金属表面和介电质表面的基板顶上选择性沉积层的方法和设备，包括：(a)使该金属表面接触一或多种金属卤化物、诸如金属氯化物或金属氟化物，以形成暴露的金属表面；(b)在该介电质表面顶上生长基于有机硅烷的自组装单层；及(c)在该...

公开了一种选择性地和共形地掺杂半导体材料的方法。一些实施方式利用通过热分解选择性地沉积在半导体材料上的共形掺杂剂膜。一些实施方式涉及掺杂非视线性(non

本公开内容的实施方式总体提供使用数字微镜装置(DMD)的改进的光刻系统和方法。DMD包括与基板相对设置的微镜的列和行。光束从微镜反射至基板上，产生图案化基板。微镜的列和行的某些子集可定位至“关闭”位置，使得这些子集废弃光，以便校正图案化...

一种用于清洁晶片的清洁模块包含晶片夹持装置，所述晶片夹持装置被配置为在垂直定向上支撑晶片并且包含接取杯和夹持器组件。接取杯包含具有环形内表面的壁，该环形内表面限定处理区域并且具有成角度部分，所述成角度部分关于晶片夹持装置的中心轴对称。夹...

一种用于涂布颗粒的反应器包括一个或更多个马达；旋转真空腔室，所述旋转真空腔室经配置以保持待涂布的颗粒，其中所述旋转真空腔室耦接至所述马达以使所述旋转真空腔室围绕所述旋转真空腔室的圆柱形部分的轴向轴线在第一方向上旋转；真空端口，所述真空端...

一种电子装置制造系统包括运动控制系统，所述运动控制系统通过将这些部件表面移动成彼此直接接触来校准处理腔室或装载锁定机构部件的表面之间的间隙。部件表面可包括基板和/或基板支撑件的表面和处理传送设备的表面，所述处理传送设备可为例如：图案掩模...

本发明公开了隔板，诸如电池和电容器的包括前述隔板的高性能电化学装置，用于制造所述隔板的系统及方法。在一个实现方式中，提供了一种隔板。所述隔板包括聚合物基板(131)，所述聚合物基板能够传导离子，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面...

说明了一种用以在真空腔室中沉积材料于基板上的材料沉积设备。这种材料沉积设备包括掩模传送轨道，掩模传送轨道的至少一部份设置于真空腔室中，掩模传送轨道经装配以支撑掩模载体来支承掩模组件，掩模组件具有掩模框架及掩模；掩模平台，经装配以支撑掩模...

本文描述的实施例涉及用于在处理腔室中使用的具有高电阻率的涂层材料。为了抵消导热支撑件的顶表面附近的高电荷，导热支撑件的顶表面可涂覆有高电阻率层。所述层的高电阻率减少了在导热元件的顶表面处的电荷量，大大减少或防止了电弧放电事件，同时减少了...

本公开内容涉及用于沉积腔室的喷头的方法和设备。在一个实施方式中，提供一种用于等离子体沉积腔室的喷头，所述喷头包括：多个穿孔砖，每个穿孔砖耦接于多个支撑构件中的一者或多者；和位于喷头内的多个电感耦合器，其中所述多个电感耦合器中的一个电感耦...

提供用于产生一流量的自由基的设备和方法。离子阻断器位于与远程等离子体源的面板相距一距离处。离子阻断器具有开口以允许等离子体流过。相对于位于离子阻断器的相对侧上的喷淋头极化离子阻断器，使得实质上没有等离子体气体离子通过喷淋头。

本公开内容一般涉及一种用于装载、处理、及卸载基板的方法及设备。一种处理系统包括耦接至光刻系统的装载/卸载系统。此装载/卸载系统包括具有第一高度及第一宽度的第一组轨道以及具有第二高度及第二宽度的第二组轨道，第二高度不同于第一高度，第二宽度...

本公开内容的实施方式一般涉及全面、可扩充基板检测系统。检测系统包括多个测量单元，这些测量单元经调适以检测、探测或测量基板的一或更多个特征，这些特征包括厚度、电阻率、锯痕、几何形状、污点、碎屑、微裂纹、晶体分数及光致发光。可使用检测系统鉴...

描述了用以提供图案化的基板的装置及方法。通过以下步骤来形成多个图案化及隔开的第一线及碳材料线于基板表面上：选择性地沉积及蚀刻在第一方向上延伸的膜及在第二方向上延伸的膜，该第二方向与该第一方向交叉以图案化下层的结构。

描述了蚀刻膜堆叠以形成具有均匀宽度的间隙的方法。通过硬掩模蚀刻膜堆叠。在间隙中沉积保形的衬垫。衬垫的底部被移除。相对于衬垫选择性地蚀刻膜堆叠。移除衬垫。方法可被重复到预定深度。

本文中所公开的实施例包括一种校准处理腔室的方法。在实施例中，该方法包括以下步骤：将传感器晶片放置到处理腔室中的支撑表面上，其中在Z方向上能移位的工艺套件定位在支撑表面周围。在实施例中，该方法进一步包括以下步骤：用该传感器晶片的边缘表面上...