描述含锡前驱物与形成含锡薄膜的方法。锡前驱物具有锡

本文描述的实施例总体上涉及沉积薄膜的方法，并且更具体地，涉及沉积金属薄膜。本文的方法提供了无成核转化(nucleation free conversion；NFC)方法，此方法涉及在介电层之上形成非晶硅层，并执行NFC工艺，所述NFC工...

本实施方式公开了一种静电吸盘组件和一种静电吸盘制造方法，其中用于感测基板的基板感测部分和与用于向基板感测部分供电的电源设备连接的信号线已经被形成为嵌入在静电吸盘中。因此，本实施方式可提供为使得用于感测安装在静电吸盘上的基板的基板感测部分...

基板处理系统包括处理腔室，所述处理腔室包括定位在所述处理腔室中的基板支撑件。所述基板处理系统包括阀系统，所述阀系统流体耦接到所述处理腔室，并且被配置成控制进入所述处理腔室中的气体的流量。所述阀系统包括主流动线路和第一气体源流动线路，所述...

本公开内容涉及一种有助于基座的平面度测量的柔性支撑件。柔性支撑件具有第一支撑块，具有大体上平面的上表面和下表面，下表面具有形成在所述下表面中的第一孔。柔性支撑件进一步具有第二支撑块，具有大体上平面的下表面和上表面，上表面具有形成在所述上...

本公开内容的实施方式涉及气体减弱设备和流出物管理。这里描述的设备包括高压处理腔室和围绕处理腔室的容纳腔室。高压流体输送模块与高压处理腔室流体连通，且高压流体输送模块经构造以将高压流体输送到处理腔室。流出物管理模块包括用于降低流出物压力的...

描述了一种用于在真空腔室(210)中运输第一载体(10A)及第二载体(10B)的设备(100)。设备(100)包括第一运输系统(101)，包括用于非接触地保持第一载体(10A)的多个磁性轴承(120)及沿着第一运输路径(T1)移动第一载...

本公开内容的实施方式提供用于形成和图案化设置在基板上的膜堆叠中的特征的方法和设备。在一个实施方式中，一种用于图案化基板上的导电层的方法包括以下步骤：以第一流量供应包括含氯气体的气体混合物，以蚀刻设置在所述基板上的第一导电层；将第一气体混...

兹描述沉积膜的方法。具体而言，兹描述沉积金属氧化物膜的方法。通过将基板暴露于有机金属性前驱物，接着暴露于氧化剂，而相对于介电质层选择性地将金属氧化物膜沉积于金属层上。

公开形成硅帽的方法，所述硅帽大体上既不包括锗原子也不包括氧原子。还公开用于控制硅帽层的氧化的方法。还公开利用所公开的硅帽和受控的氧化而形成金属栅极替代物的方法。

提供了用于制造紧邻的良好控制的固态纳米孔及所述纳米孔的阵列的方法。在一个实施方式中，将多个井及一个或多个通道形成于基板中。井中的每一者均与通道相邻。每个井的侧壁的一部分均被暴露。暴露侧壁的该部分最接近相邻的该通道。每个井的暴露侧壁的该部...

本文描述的实施例总体上涉及具有同轴升降装置的工艺腔室。在一些实施例中，装置包括底部碗升降器和底座升降器两者。底部碗升降器支撑底部碗，并且被配置成将底部碗移动到减小工艺容积的位置。底部碗升降器与底座升降器同轴，并且底部碗升降器和底座升降器...

由扫描电子显微镜(SEM)的电子束扫描半导体装置。区域包括具有顶部开口和侧壁的三维(3D)特征。在改变所述电子束的能量值时，对所述3D特征进行成像。所述电子束撞击在所述半导体装置的所选择的区域内的第一点处并与所述侧壁进行相互作用，其中所...

保持环的一些实施方式具有内表面，所述内表面具有由多个平面刻面形成的第一部分和沿边界邻接第一部分的第二部分，并且保持环包括从外部朝内向下倾斜的截头圆锥形表面。保持环的一些实施方式具有锯齿状内表面或蜿蜒内表面和/或具有不同表面性质或不同倾斜...

一种用于涂覆颗粒的反应器包括：真空腔室，所述真空腔室经配置为保持待涂覆的颗粒；真空端口，所述真空端口用于经由所述真空腔室的出口从所述真空腔室排放气体；化学递送系统，所述化学递送系统经配置为使处理气体经由真空腔室上的气体入口流入所述颗粒中...

本文描述的实现方式一般涉及柔性显示装置，并且更具体地涉及柔性覆盖透镜膜。柔性覆盖透镜膜具有改善的强度、弹性、光透射率和耐磨性质，并且含有设置在基板层上的多层硬涂层。基板层具有2μm至100μm的厚度并且多层硬涂层具有1μm至30μm的厚...

本公开内容的实施方式一般地涉及隔板、包括上述隔板的诸如电池和电容器之类的高性能电化学装置，及制造所述隔板和电化学装置的方法。在一实施方式中，提供用于电池的隔板。隔板包括能传导离子的基板和能传导离子的至少一介电层。至少一介电层至少部分覆盖...

公开用于在物理气相沉积工艺中控制离子分数的方法和设备。在一些实施方式中，用于处理具有给定直径的基板的处理腔室包括：内部容积和待溅射靶材，内部容积包括中心部分和周边部分；可旋转磁控管，处于靶材上方以在周边部分中形成环形等离子体；基板支撑件...

描述了一种溅射装置。所述溅射装置包括：阴极布置，所述阴极布置为悬臂式的并且包括靶管，所述阴极布置沿轴向方向延伸并且具有第一侧和第二侧，所述第一侧为被支撑侧，所述第二侧为非被支撑侧；以及暗空间屏蔽件，所述暗空间屏蔽件设置在所述第二侧处并且...

本文中提供用于RF脉冲反射减少的方法。在一些实施例中，一种用于使用多电平脉冲RF功率在等离子体增强基板处理系统中处理基板的方法包括：接收用于处理基板的工艺配方，所述工艺配方包括来自多个RF发生器的多个脉冲RF功率波形；使用主RF发生器来...