选择性氧化铝膜沉积制造技术

兹描述沉积膜的方法。具体而言，兹描述沉积金属氧化物膜的方法。通过将基板暴露于有机金属性前驱物，接着暴露于氧化剂，而相对于介电质层选择性地将金属氧化物膜沉积于金属层上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】选择性氧化铝膜沉积
本专利技术的实施方式与电子器件制造的领域及用于器件图案化的方法有关。尤其是，本公开内容的实施方式提供了用于沉积氧化铝膜的方法。
技术介绍
半导体技术以极快的步调进步，并且器件尺寸随着技术进步而缩小，以提供每单位空间更快的处理及储存。随着尺寸达到7nm，使用微影术进行图案化不仅极具挑战性也非常昂贵。选择性沉积是一种替代方案，其可消除对昂贵的微影图案化的需求。最近，人们对介电质材料上的介电质阻挡感兴趣。一种现有的解决方案是使用微影术来遮蔽一个表面，但此方法受到对准误差的严格限制。另一种解决方案是使用选择性地吸附到介电质的自组装单层(self-assembledmonolayer；SAM)，以选择性地阻挡后续ALD生长。理想地，自组装单层(SAM)选择性地沉积在介电质基板上，只有少量生长在金属基板上，因而容许金属氧化物(例如，氧化铝等等)生长在金属上，同时没有金属氧化物生长在介电质上，因为SAM阻挡了他们的生长。然而，由于在金属氧化物膜沉积期间，在SAM或介电质的层中容易吸收某些金属前驱物和水而导致金属和水前驱物开本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种沉积膜的方法，所述方法包含以下步骤：/n将基板安置于处理腔室中，所述基板具有金属层及介电质层；/n将所述基板暴露于有机金属性前驱物，以相对于所述介电质层选择性地将金属膜沉积于所述金属层上；/n清理所述处理腔室的所述有机金属性前驱物，/n将所述基板暴露于氧化剂，以与所述金属膜反应，用以将金属氧化物膜形成于所述金属层上；及/n清理所述处理腔室的所述氧化剂。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180914 US 16/131,9311.一种沉积膜的方法，所述方法包含以下步骤：
将基板安置于处理腔室中，所述基板具有金属层及介电质层；
将所述基板暴露于有机金属性前驱物，以相对于所述介电质层选择性地将金属膜沉积于所述金属层上；
清理所述处理腔室的所述有机金属性前驱物，
将所述基板暴露于氧化剂，以与所述金属膜反应，用以将金属氧化物膜形成于所述金属层上；及
清理所述处理腔室的所述氧化剂。


2.如权利要求1所述的方法，其中所述有机金属性前驱物包含以下的一或多种：三-叔丁基铝(TTBA)、双(2-甲基-2-丙基)-(2-甲基-1-丙基)铝)、(2-甲基-2-丙基)双(2-甲基-1-丙基)铝)、三(2-甲基-l-丙基)铝)、三乙基铝(TEA)、三(新戊基)铝或异丙醇铝。


3.如权利要求1所述的方法，其中所述金属膜及所述金属氧化物膜包含铝。


4.如权利要求1所述的方法，其中所述介电质层包含以下的一或多种：氧化物、掺碳的氧化物、多孔二氧化硅(SiO2)、氧化硅(SiO)、氮化硅(SiN)、碳化物、氧碳化物、氮化物、氧氮化物、氧碳氮化物、碳氮化物、聚合物、磷硅酸盐玻璃、氟硅酸盐(SiOF)玻璃或有机硅酸盐玻璃(SiOCH)。


5.如权利要求1所述的方法，其中所述介电质层实质上无所述金属氧化物膜。


6.如权利要求1所述的方法，其中所述金属层包含以下的一或多种：钴(Co)、钨(W)、钌(Ru)、铜(Cu)、镍(Ni)、锰(Mn)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、铁(Fe)、钼(Mo)或铑(Rh)。


7.如权利要求1所述的方法，其中所述氧化剂包含以下的一或多种：水、氧、叔丁醇、3-丁烯-2-醇、2-甲基-3-丁烯-2-醇、2-苯基-2-丙醇或R-OH，其中R包含CF3或C1-20烷基、C1-20芳基、C1-20烯基或C1-20炔基。


8.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：重复所述方法以提供金属氧化物膜，所述金属氧化物膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴立其，阮鸿，巴斯卡尔·乔蒂·布雅，马克·沙丽，刘风全，戴维·汤普森，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US