形成纳米孔的方法及生成的结构技术

提供了用于制造紧邻的良好控制的固态纳米孔及所述纳米孔的阵列的方法。在一个实施方式中，将多个井及一个或多个通道形成于基板中。井中的每一者均与通道相邻。每个井的侧壁的一部分均被暴露。暴露侧壁的该部分最接近相邻的该通道。每个井的暴露侧壁的该部分均被朝向相邻的通道侧向蚀刻。形成将所述井连接到相邻通道的纳米孔。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】形成纳米孔的方法及生成的结构
本文中所公开的方面涉及在基板中制造良好控制的固态纳米孔及良好控制的固态纳米孔的阵列的方法。
技术介绍
纳米孔广泛地用于例如脱氧核糖核酸(DNA)及核糖核酸(RNA)测序的应用。在一个示例中，纳米孔测序是使用电检测法来执行的，该电检测法大致包括以下步骤：将未知的试样输送通过纳米孔，该试样浸入在导电流体中；和跨纳米孔施加电势。测量由通过纳米孔的离子的导通所造成的电流。跨纳米孔表面的电流密度的大小取决于纳米孔尺度及当时占据纳米孔的试样(例如DNA或RNA)的组成。不同的核苷酸造成跨纳米孔表面的电流密度的特性改变。这些电流改变被测量且用来将DNA或RNA试样测序。已经将各种方法用于生物及大分子测序。通过合成进行的测序、或第二代测序用来识别哪些碱基已经附接到单链DNA。第三代测序(其大致包括以下步骤：将整个DNA链穿过单个孔)用来直接读取DNA。一些测序方法需要将DNA或RNA试样切碎然后重组。此外，一些测序方法使用生物膜及生物孔，其具有保存期限且必须在使用之前保持冷却。最近已经将固态纳米孔(其为形成于自立型本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于形成多个纳米孔的方法，包括以下步骤：/n在基板上沉积第一层；/n在所述第一层及所述基板中形成多个井及一个或多个通道，所述多个井中的每一者均与所述一个或多个通道中的通道相邻；/n侧向蚀刻暴露侧壁的一部分以将所述多个井连接到相邻的所述通道；和/n形成将所述多个井中的每一者连接到相邻的所述通道的纳米孔。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180914 US 62/731,6651.一种用于形成多个纳米孔的方法，包括以下步骤：
在基板上沉积第一层；
在所述第一层及所述基板中形成多个井及一个或多个通道，所述多个井中的每一者均与所述一个或多个通道中的通道相邻；
侧向蚀刻暴露侧壁的一部分以将所述多个井连接到相邻的所述通道；和
形成将所述多个井中的每一者连接到相邻的所述通道的纳米孔。


2.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：在暴露所述多个井中的每一者的所述侧壁的所述部分之前，在所述第一层、所述多个井及所述一个或多个通道上沉积第二层以涂覆每个暴露面。


3.如权利要求2所述的方法，进一步包括以下步骤：在侧向蚀刻所述暴露侧壁的所述部分之前从所述暴露侧壁的所述部分选择性地蚀刻所述第二层。


4.如权利要求3所述的方法，其中所述第二层是含氧化物层，或
其中选择性地蚀刻所述第二层的步骤包括液体酸性蚀刻，或
其中形成所述纳米孔的步骤包括以下步骤：施加电压。


5.如权利要求1所述的方法，其中所述基板包括晶体结构，并且其中侧向蚀刻所述多个井的所述暴露侧壁的所述部分的步骤包括沿着所述基板的所述晶体结构的碱性湿蚀刻。


6.如权利要求1所述的方法，其中在所述第一层及所述基板中形成多个井及一个或多个通道的步骤包括以下步骤：在所述第一层及所述基板中形成第一井、第二井及通道，所述通道被设置在所述第一井及所述第二井附近，
其中侧向蚀刻暴露侧壁的所述部分以将所述多个井连接到相邻的所述通道的步骤包括以下步骤：在所述第一层下方形成第一隧道，所述第一隧道延伸于所述第一井与所述通道之间，并且在所述第一层下方形成第二隧道，所述第二隧道延伸于所述第二井与所述通道之间，并且
其中形成将所述多个井中的每一者连接到相邻的所述通道的纳米孔的步骤包括以下步骤：形成将所述第一隧道连接到所述通道的...

【专利技术属性】
技术研发人员：威廉·J·杜兰德，约瑟夫·R·约翰逊，罗杰·奎恩，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US