【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于基板处理腔室的气体输入系统
本公开的方面大致上是关于用于将气体引入基板处理腔室中的方法和设备。
技术介绍
在当前的半导体制造工业中，于处理腔室中使用气体处理基板。当在处理腔室内处理基板时，这些气体可以在彼此之间循环。此外，用于处理基板的某些气体可能彼此不兼容，这是由于这些气体不应在处理腔室内混合，或者甚至不应在通往处理腔室的导管或路径内混合。该体的混合可能导致颗粒形成或产生粉尘，这些颗粒或粉尘可能堆积在受处理的基板上。颗粒的形成可能导致不均匀的基板以及基板的污染，从而降低了基板的质量与良率。为了避免不兼容气体的混合，使用载气或净化(purge)气体将气体净化，诸如从处理腔室及导管与气体输送路径净化离开。可以在基板上的不同层的膜沉积之间净化气体。但是，净化可能会降低基板处理的效率或处理量，并且更进一步地可能残留有可污染受处理的基板的残余气体。因此，需要一种气体输入或输送系统，该系统减少留在系统和处理腔室内的残余气体的量，并且可减少净化时间。
技术实现思路
本公开的方面大致上是关于用于将气体引入基...
【技术保护点】
1.一种控制气体的流量的阀系统，所述阀系统包括：/n主流动线路；/n第一气体源流动线路，所述第一气体源流动线路通过第一气体源阀流体耦接到所述主流动线路；以及/n第二气体源流动线路，所述第二气体源流动线路通过第二气体源阀流体耦接到所述主流动线路，所述第一气体源阀和所述第二气体源阀串联式定位在所述主流动线路内。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180905 US 62/727,2911.一种控制气体的流量的阀系统，所述阀系统包括：
主流动线路；
第一气体源流动线路，所述第一气体源流动线路通过第一气体源阀流体耦接到所述主流动线路；以及
第二气体源流动线路，所述第二气体源流动线路通过第二气体源阀流体耦接到所述主流动线路，所述第一气体源阀和所述第二气体源阀串联式定位在所述主流动线路内。
2.如权利要求1所述的阀系统，其中所述第一气体源阀与所述第二气体源阀被配置成相对于所述主流动线路处于通常(normally)开启的位置，所述第一气体源阀包括三向阀，并且所述第二气体源阀包括双向阀。
3.如权利要求2所述的阀系统，其中所述第二气体源阀定位在所述主流动线路内并且相对于所述第一气体源阀定位在上游处。
4.如权利要求1所述的阀系统，其中：
第一气体源被配置成与所述第一气体源流动线路流体耦接，并且第二气体源被配置成与所述第二气体源流动线路流体耦接；
所述第一气体源包括反应物气体，并且所述反应物气体包括下述的一者或多者：氧气(O2)、正硅酸乙酯(tetraethylorthosilicate(TEOS)(Si(OC2H5)4))、或甲硅烷(SiH4)；并且
所述第二气体源包括提供至所述第二气体源流动线路的载气，并且所述载气包括下述的一者或多者：氩气(Ar)、氦气(He)、或氮气(N2)。
5.如权利要求4所述的阀系统，其中所述第一气体源流动线路流体耦接到第一气体源转向器流动线路，所述第一气体源转向器流动线路通过第一气体转向器阀流体耦接到所述第一气体源流动线路，并且其中所述第一气体转向器阀包括双向阀，所述双向阀被配置成相对于所述第一气体源转向器流动线路处于通常关闭的位置。
6.如权利要求5所述的阀系统，其中所述第一气体源阀被配置成在源开启位置与源关闭位置之间移动，其中，在所述源开启位置，所述反应物气体被配置成流至所述主流动线路，并且在所述源关闭位置，所述反应物气体被配置成流至所述第一气体源转向器流动线路。
7.如权利要求6所述的阀系统，其中：
所述第二气体源阀被配置成在源开启位置与源关闭位置之间移动，其中，在所述源开启位置，所述载气被配置成流至所述主流动线路，并且在所述源关闭位置，防止所述载气流至所述主流动线路；并且
当所述第一气体源阀在所述源开启位置时，所述第二气体源阀处于所述源开启位置。
8.如权利要求1所述的阀系统，其中所述主流动线路流体耦接到处理腔室的入口通口，并且所述处理腔室进一步包括出口通口，所述出口通口有真空泵，所述真空泵流体耦接到所述出口通口并且被配置成将气体泵送出所述处理腔室。
9.如权利要求1所述的阀系统，其中所述阀系统进...
【专利技术属性】
技术研发人员：T·乌拉维，T·布里彻，A·K·班塞尔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。