公开了一种石墨烯阻挡层。一些实施例涉及能够防止从填充层扩散到基板表面中和/或反之亦然的石墨烯阻挡层。一些实施例涉及防止氟从钨层扩散到下面的基板中的石墨烯阻挡层。附加实施例涉及包含石墨烯阻挡层的电子装置。

公开一种具有光栅结构的设备和用于形成所述设备的方法。所述光栅结构包括在光栅层中形成凹部。在所述光栅层中形成多个通道，以在所述光栅层中限定斜向光栅结构。所述凹部和斜向光栅结构是使用选择性蚀刻工艺形成的。

本公开内容的实施方式一般提供用于真空腔室的气体扩散器支撑结构的设备和方法。气体扩散器支撑结构包括背板，具有穿过所述背板而形成的中心通孔；整合十字形结构，形成于中心通孔中；及气体偏转器，由单一固定件耦接至十字形结构。

本文所述的实施例提供通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺来形成具有高硬度的低k碳掺杂氧化硅(CDO)层的方法。此方法包括以载气流率提供载气和以前驱物流率将CDO前驱物提供到工艺腔室。以一功率水平和一频率将射频(RF)功率施加至...

公开了一种物理气相沉积(PVD)腔室及一种操作该PVD腔室的方法。描述了腔室及方法，所述腔室及所述方法提供了一种腔室，该腔室包括减少颗粒缺陷的轮廓、温度控制和或测量、和和/或电压颗粒捕集器中的一个或多个以减少处理缺陷。

描述了一种用于涂覆基板的系统。所述系统包括：运输布置，所述运输布置用于移动所述基板；和第一涂覆单元，所述第一涂覆单元被配置为用第一材料涂覆所述基板。所述系统进一步包括控制器，所述控制器被配置为在所述第一涂覆单元的活动状态期间使所述基板的...

使用HiPIMS PVD工艺形成膜层的方法包括以下步骤：在工艺腔室的处理区域中向基板提供偏压，基板包含表面特征且工艺腔室的处理区域包括溅射靶；将至少一个能量脉冲输送到溅射靶，以在处理区域中产生溅射气体的溅射等离子体，所述至少一个能量脉冲...

提供了一种操作沉积设备之方法。所述方法包括：通过从蒸发源(20)的一个或多个出口(22)导引蒸发的源材料朝向基板(10)而在基板(10)上沉积蒸发的源材料，其中部分的蒸发的源材料由屏蔽装置(30)阻挡并且附接于所述屏蔽装置，所述屏蔽装置...

本文公开的实施例包含一种传感器晶片。在实施例中，传感器晶片包括基板，其中所述基板包括第一表面、与第一表面相对的第二表面、以及第一表面和第二表面之间的边缘表面。在实施例中，传感器晶片进一步包括沿着边缘表面形成的多个传感器区域，其中每个传感...

此处公开的实施例包含一种确定传感器晶片相对于基座的位置的方法。在实施例中，该方法包括以下步骤：将传感器晶片放置于该基座上，其中该传感器晶片包括由该基座支撑的第一表面、与该第一表面相对的第二表面、及将该第一表面连接至该第二表面的边缘表面，...

提供了一种用于增加基板上的铝层的反射率的方法及设备。在一些实施方式中，一种在基板上沉积铝层的方法，包括以下步骤：利用化学气相沉积(CVD)工艺在基板上沉积钴或钴合金层或钛或钛合金层；若损害钴或钴合金层的顶表面，则在约400摄氏度的温度下...

在此提供用于输送具有期望的乙硼烷浓度的处理气体至处理腔室的处理容积的系统与方法。在一实施例中，系统包括硼烷浓度传感器。硼烷浓度传感器包括主体与多个窗口。在此，多个窗口的各窗口安置在主体的相对端且主体与多个窗口共同地界定单元容积。硼烷浓度...

本文中公开的实施例包括一种传感器晶片。在一实施例中，传感器晶片包括基板，其中基板包括：第一表面；第二表面，所述第二表面与第一表面相对；以及边缘表面，所述边缘表面位于第一表面和第二表面之间。在一实施例中，传感器晶片进一步包括多个传感器区域...

描述了沉积高密度介电膜以用于图案化应用的技术。更具体来说，提供了处理基板的方法。所述方法包括使含有前驱物的气体混合物流动到处理腔室的处理容积中，所述处理腔室具有在静电卡盘上定位的基板。将基板维持在约0.1毫托(mTorr)与约10托(T...

本公开内容涉及一种用于聚合物膜的表面处理方法，以及根据此方法的经表面处理的聚合物膜在包装材料、特别是食品包装的生产中的运用。用于聚合物膜的表面处理方法包括：向表面处理装置(102)提供关于至少聚合物膜的信息；基于此信息(103)，在表面...

一种用于化学机械抛光的承载头，包含：基座组件连接至所述基座组件的膜组件。所述膜组件包含：膜支撑件、固定至所述膜支撑件的内膜、和固定至所述膜支撑件并且在所述内膜下方延伸的外膜，其中所述内膜在膜的上表面与所述膜支撑件之间形成多个可单独加压的...

提供了一种密封构件，该密封构件包括多个节点及多个腹点。每个密封构件可以被旋转以暴露未损伤的叶状物以供进行密封，且防止密封构件掉出叶状沟槽。提供了一种腔室，该腔室包括沟槽，密封构件被安置在该沟槽中。提供了一种旋转及安置密封构件的方法，该方...

本文揭示了在基板上形成硅化镍材料的方法。所述方法包括在约15℃至约27℃的温度下在基板顶部沉积第一硅化镍种晶层，在400℃或更低，诸如超过350℃的温度下，使第一硅化镍种晶层退火；以及在约15℃至约27℃的温度下，在第一硅化镍种晶层上沉...

提供了光刻胶组合物、制造光刻胶组合物的方法以及使用光刻胶组合物的方法。在一个实现方式中，所述光刻胶组合物包含酚醛(酚醛树脂)树脂、重氮萘醌(DNQ)阻溶剂、双(叠氮)交联剂和浇铸溶剂。在一个实现方式中，所述双(叠氮)交联剂在325纳米与...

描述用于极紫外(EUV)光刻的方法及膜堆叠。所述膜堆叠包括具有硬掩模的基板、底层、中间层及光刻胶。所述光刻胶的蚀刻对于所述中间层有高度选择性，且所述中间层的改质容许相对于所述底层的高选择性蚀刻。于所述底层的高选择性蚀刻。于所述底层的高选...