用于清洁制造OLED装置中使用的真空系统的方法及用于制造OLED装置的设备制造方法及图纸

技术编号:27868397 阅读:28 留言:0更新日期:2021-03-31 00:07
本公开内容提供用于清洁在制造OLED装置中使用的真空系统的方法(100)。此方法(100)包括执行预清洁以清洁真空系统的至少一部分,和使用远程等离子体源执行等离子体清洁。

【技术实现步骤摘要】
用于清洁制造OLED装置中使用的真空系统的方法及用于制造OLED装置的设备本申请是申请日为2017年4月28日、申请号为201780008895.5、专利技术名称为“用于清洁在制造OLED装置中使用的真空系统的方法、用于在基板上真空沉积来制造OLED装置的方法及用于在基板上真空沉积来制造OLED装置的设备”的专利技术专利申请的分案申请。
本公开内容的实施方式涉及一种用于清洁真空系统的方法、用于在基板上真空沉积的方法、用于在基板上真空沉积的设备。本公开内容的实施方式特别涉及一种在有机发光二极管装置(organiclight-emittingdiode,OLED)的制造中使用的方法与设备。
技术介绍
用于在基板上层沉积的技术包括(例如)热蒸发、物理气相沉积(physicalvapordeposition,PVD)和化学气相沉积(chemicalvapordeposition,CVD)。经涂布的基板可用于多种应用和多种
例如,经涂布的基板可以用于有机发光二极管(OLED)装置的领域。OLED可以用于制造电视屏幕、计算机监视器、移动电话、其它手持装置、及用于显示信息的类似装置。例如OLED显示器的OLED装置可以包括一层或多层有机材料位于都沉积在基板上的两个电极之间。OLED装置可以包括多个有机材料的堆叠,所述堆叠例如在工艺设备的真空腔室中蒸发。有机材料使用蒸发源通过荫罩掩模(shadowmask)以顺序的方式被沉积在基板上。真空腔室内部的真空条件对于沉积材料层和使用这些材料层制造的OLED装置的质量是相当重要的。因此,需要一种方法和设备,所述方法和设备能够改善真空腔室内的真空条件。本公开内容特别旨在改善真空条件,以使沉积在基板上的有机材料层的质量可获得改善。
技术实现思路
鉴于上文,提供一种用于清洁在制造OLED装置中使用的真空系统的方法、用于在基板上真空沉积来制造OLED装置的方法、以及用于在基板上真空沉积来制造OLED装置的设备。本公开内容的其它方面、益处和特征从权利要求书、说明书和所附附图是显而易见的。根据本公开内容的一个方面,提供一种用于清洁在制造OLED装置中使用的真空系统的方法。此方法包括执行预清洁以清洁真空系统的至少一部分,及使用远程等离子体源执行等离子体清洁。根据本公开内容的另一方面,提供一种用于清洁在制造OLED装置中使用的真空系统的方法。此方法包括使用远程等离子体源来执行真空系统的至少一部分的等离子体清洁以作为最终清洁程序。根据本公开内容的又一方面,提供一种用于在基板上真空沉积来制造OLED装置的方法。此方法包括执行预清洁以用于清洁真空系统的至少一部分、使用远程等离子体源执行等离子体清洁以清洁真空系统的所述至少一部分、以及在基板上沉积一层或多层有机材料。根据本公开内容的另一方面,提供一种用于在基板上真空沉积来制造OLED装置的设备。此设备包括真空腔室、连接到真空腔室的远程等离子体源、以及连接到远程等离子体源的控制器,以执行等离子体清洁作为最终清洁程序。实施方式还涉及用于执行所公开的方法的设备,并且包括用于进行每个方法方面的设备部件。这些方法方面可以通过硬件元件、由适当软件编程的计算机、上述两者的任何组合、或以任何其它方式来执行。再者,根据本公开内容的实施方式还涉及用于操作所描述设备的方法。用于操作所描述设备的方法包括用于执行设备的每个功能的多个方法方面。附图说明以可以详细理解本公开内容的上述特征的方式,可以通过参考实施方式来获得上文简要总结的本公开内容的更具体的描述。所附附图涉及本公开内容的实施方式并且说明于下:图1绘示依照本文所述实施方式的用于清洁在制造OLED装置中使用的真空系统的方法的流程图。图2绘示依照本文所述实施方式的用于在基板上真空沉积来制造OLED装置的方法的流程图。图3绘示依照本文所述实施方式的用于在基板上真空沉积的设备来制造OLED装置的示意图。图4绘示依照本文所述实施方式的用于具有有机材料的装置的制造的系统的示意图。具体实施方式现在将参考本公开内容的各种实施方式进行详细说明,这些实施方式中的一个或多个示例在附图中示出。在以下对附图的描述中,相同的附图标记指示相同的元件。通常,仅描述关于各个实施方式的差异。每个示例以解释本公开内容的方式而被提供,而不意味着对本公开内容的限制。再者,作为一个实施方式的一部分所示出或所描述的特征,可以用在其它实施方式上或与其它实施方式结合使用,以产生又一个实施方式。本说明书旨在包括这样的修改和变化。真空腔室内的真空条件对于沉积在基板上的材料层的质量可能是很重要的。特别地,就OLED的大规模生产而言,所有真空元件的清洁是很重要的。即使是电子抛光表面对于OLED装置制造来说可能仍然是太脏的。本公开内容在预清洁程序之后使用远程等离子体源,例如作为真空系统的最终清洁程序。等离子体清洁可用于处置真空腔室及/或真空系统的部件或元件。作为示例,等离子体清洁可以在工艺开始或开始生产之前在真空中执行,以改善清洁水平。处置可以使用例如纯氧或含氮或氩的氧混合物的远程等离子体来执行一定时间。清洁水平可以显著提高,并且可以改善沉积在基板上的层的质量。图1绘示出依照本文所述实施方式的用于清洁在制造OLED装置中使用的真空系统的方法100的流程图。方法100包括执行预清洁以用于清洁真空系统的至少一部分(方块110),及使用远程等离子体源执行等离子体清洁(方块120)。等离子体清洁可以是在操作真空系统之前的最终清洁程序,所述操作真空系统例如是在基板上沉积一种或多种有机材料的层。术语“最终”应理解为在等离子体清洁之后不再执行进一步的清洁程序。在远程等离子体源中,气体通常在远程腔室内被激发,此远程腔室远离将要在其中执行清洁工艺的真空腔室。这种激发可以例如在远程等离子体源之中进行。在本公开内容实施方式中所使用的远程等离子体的示例,包括但不限于纯氧或具有氮或氩的氧混合物的远程等离子体。作为最终清洁程序的等离子体清洁可以显著改善真空系统的清洁水平。专利技术人已经发现,当使用标准气相色谱质谱联用(gaschromatography-massspectrometry,GCMS)程序测量时,作为最终清洁程序的等离子体清洁可以提供在小于10-9克/平方厘米的范围内的清洁物品的清洁水平。如此,真空条件以及由此的沉积在基板上的有机材料层的质量可以得到改善。根据可与本文描述的其它实施方式组合的一些实施方式,等离子体清洁可执行长达预定的一段时间。预定的一段时间可以经选择以使得10-8克/平方厘米或更小、具体地10-9克/平方厘米或更小、及更具体地10-10克/平方厘米或更小的清洁水平(使用标准GCMS程序)可被提供。清洁水平可以被定义为待被清洁的真空系统的部分的表面区域(例如真空系统的真空腔室的内部腔室壁的表面)每平方厘米中的一个或多个选定污染物的克数。用于清洁真空系统的至少此部分的预清洁、和使用远程等离子体源以清洁真空系统本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种用于清洁在制造OLED装置中使用的真空系统的方法,包括:/n执行预清洁,以清洁所述真空系统的至少一部分;以及/n使用远程等离子体源执行等离子体清洁,/n其中所述等离子体清洁使用含氩的氧混合物的等离子体,/n其中所述预清洁是在大气下执行的,且所述等离子体清洁是在真空下执行的,并且/n其中所述预清洁在执行所述等离子体清洁的相同腔室中执行,并且/n其中所述预清洁是在降低所述腔室中的压力以执行所述等离子体清洁之前被执行的。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于清洁在制造OLED装置中使用的真空系统的方法,包括:
执行预清洁,以清洁所述真空系统的至少一部分;以及
使用远程等离子体源执行等离子体清洁,
其中所述等离子体清洁使用含氩的氧混合物的等离子体,
其中所述预清洁是在大气下执行的,且所述等离子体清洁是在真空下执行的,并且
其中所述预清洁在执行所述等离子体清洁的相同腔室中执行,并且
其中所述预清洁是在降低所述腔室中的压力以执行所述等离子体清洁之前被执行的。


2.一种用于清洁在制造OLED装置中使用的真空系统的方法,包括:
执行预清洁,以清洁所述真空系统的至少一部分;以及
使用远程等离子体源执行等离子体清洁,
其中所述等离子体清洁使用含氩的氧混合物的等离子体,
其中所述预清洁是在大气下执行的,且所述等离子体清洁是在真空下执行的,
其中所述预清洁在执行所述等离子体清洁的相同腔室中执行,
其中所述预清洁是在降低所述腔室中的压力以执行所述等离子体清洁之前被执行的,并且
其中所述腔室的所述压力被降低至10-2毫巴或更低以执行所述等离子体清洁。


3.一种用于清洁在...

【专利技术属性】
技术研发人员:乔斯·曼纽尔·迭格斯坎波斯特凡·凯勒李宰源安治高志戴特尔·哈斯
申请(专利权)人:应用材料公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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