【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于CVD腔室的气体箱
技术介绍
本公开的实施例涉及一种用于制造基板的处理设备。更具体地，本公开涉及一种气流设备。相关技术说明通常通过一系列工艺操作来制造半导体基板，在所述工艺操作中，将层沉积在基板上，并且将所沉积的材料蚀刻成期望的图案。工艺操作通常包括物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强CVD(PECVD)和其他等离子体处理。工艺操作可涉及将工艺气体递送到工艺腔室并且利用动力喷头在工艺腔室中生成等离子体。基板的处理中遇到的一个问题是与建立进入到工艺腔室中的均匀气流相关联的困难。不均匀气流导致工艺气体的混合不充分，从而导致基板的不均匀处理。不均匀气流和混合导致不均匀层被沉积在基板上。因此，本领域中需要的是用于改善工艺腔室中的气流对称性和等离子体分配的设备。
技术实现思路
在一个实施例中，提供了一种设备，所述设备包括盖和腔室主体，在盖和腔室主体中限定工艺空间。盖具有穿过盖形成的端口。所述设备包括气体馈送管，气体馈送管包括第一端和第二端。在气体馈送管的...
【技术保护点】
1.一种设备，包括：/n盖和腔室主体，在所述盖和所述腔室主体中限定工艺空间，所述盖具有穿过所述盖形成的端口；/n气体馈送管，所述气体馈送管具有第一端和第二端，在所述第一端处的开口与所述端口流体连通；/n第一多个导管，所述第一多个导管具有基本上相等的流导率，所述第一多个导管与所述气体馈送管流体连通，所述第一多个导管中的每个导管终止于第一多个出口中的一个出口处；/n第二多个导管，所述第二多个导管具有基本上相等的流导率，所述第二多个导管中的每个导管与所述第一多个出口中的一个出口流体连通，所述第二多个导管中的每个导管终止于第二多个出口中的一个出口处；以及/n气室主体，在所述气室主体...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180731 US 62/712,8521.一种设备，包括：
盖和腔室主体，在所述盖和所述腔室主体中限定工艺空间，所述盖具有穿过所述盖形成的端口；
气体馈送管，所述气体馈送管具有第一端和第二端，在所述第一端处的开口与所述端口流体连通；
第一多个导管，所述第一多个导管具有基本上相等的流导率，所述第一多个导管与所述气体馈送管流体连通，所述第一多个导管中的每个导管终止于第一多个出口中的一个出口处；
第二多个导管，所述第二多个导管具有基本上相等的流导率，所述第二多个导管中的每个导管与所述第一多个出口中的一个出口流体连通，所述第二多个导管中的每个导管终止于第二多个出口中的一个出口处；以及
气室主体，在所述气室主体中限定环形气室，所述气室主体具有在所述气室主体中形成的多个入口端口，所述第二多个出口中的每个出口与所述多个入口端口中的至少一个入口端口流体连通，所述多个入口端口围绕所述气室主体的中心轴等距隔开，所述气体馈送管具有与所述环形气室流体连通的至少一个孔。
2.如权利要求1所述的设备，其中所述至少一个孔是连续的环形开口。
3.如权利要求1所述的设备，其中所述至少一个孔包括围绕所述中心轴的多个径向分配的开口。
4.如权利要求1所述的设备，进一步包括：
喷头，所述喷头设置在所述工艺空间与在所述气体馈送管的所述第一端处的所述开口之间，所述喷头具有穿过所述喷头形成的多个通道，所述多个通道与所述气体馈送管和所述工艺空间流体连通。
5.如权利要求1所述的设备，其中所述第二多个出口围绕所述气室主体的所述中心轴等距隔开。
6.一种设备，包括：
盖和腔室主体，在所述盖和所述腔室主体中限定工艺空间，所述盖具有穿过所述盖形成的端口；
气体馈送管，所述气体馈送管具有第一端和第二端，在所述第一端处的开口与所述端口流体连通；
第一气室主体，在所述第一气室主体中限定第一气室，所述第一气室主体具有与所述气体馈送管流体连通的第一入口，所述第一气室主体具有至少第一出口和第二出口，所述至少第一出口和第二出口各自具有基本上相等的流导率；
第二气室主体，在所述第二气室主体中限定第二气室，所述第二气室主体具有至少第二入口和第三入口，所述第二入口和所述第三入口与所述至少第一出口和第二出口流体连通，所述第二气室主体具有至少第三出口、第四出口、第五出口和第六出口，所述至少第三出口、第四出口、第五出口和第六出口各自具有基本上相等的流导率；以及
第三气室主体，在所述第三气室主体中限定环形气室，所述第三气室主体具有在所述第三气室主体中形成的多个入口端口，所述多个入口端口围绕所述第三气室主体的中心轴等距隔开并且与所述第三出口、所述第四出口、所述第五出口和所述第六出口中的至...
【专利技术属性】
技术研发人员：T·乌拉维，A·K·班塞尔，N·帕塔克，A·巴拉克里希纳，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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