基板变形检测和校正制造技术

技术编号:26772425 阅读:60 留言:0更新日期:2020-12-18 23:55
公开了用于检测和校正进入基板变形的方法和设备。将基板定位在第一工艺腔室中,在第一工艺腔室中检测基板弯曲的存在和类型。基于基板弯曲检测、以及基板是否具有压缩弯曲或拉伸弯曲的确定,来选择用于执行的基板处理程序。可在第一工艺腔室中或在第二工艺腔室中执行基板处理程序,以在基板的进一步处理之前或期间校正或减轻弯曲。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板变形检测和校正
技术介绍

本公开的实施例总体上涉及用于制造基板的工艺腔室,并且更具体地,涉及用于在工艺腔室中的基板变形检测和校正的方法和设备。相关技术说明可从供货商接收具有变形轮廓或具有平坦轮廓的基板。在一些示例中,在各种处理操作之后,基板可能变形或进一步变形(包括弯曲)。变形可能降低处理精度并且导致基板损坏。可以处理进入(incoming)基板,以减少或去除这种弯曲。然而,这些处理经常导致过度校正变形或欠校正变形,从而无法充分解决弯曲问题。因此,需要能够检测和校正进入基板变形。
技术实现思路
本公开总体上涉及检测和校正进入基板变形。在一个示例中,一种用于基板处理的方法包括:在第一工艺腔室中生成等离子体,同时基板被定位在第一工艺腔室中;以及基于在第一工艺腔室中的多个传感器来生成基板的指纹。所述方法可进一步包括将指纹与多个存储的指纹模型进行比较,以确定基板是否变形;以及基于确定基板是变形的,选择用于基板的基板处理程序以校正基板变形。在另一示例中,一种用于基板处理的方法包括:生成定位在第一工艺腔室中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于基板处理的方法,包括:/n在第一工艺腔室中生成等离子体,同时将基板定位在所述第一工艺腔室中;/n基于在所述第一工艺腔室中的多个传感器来生成所述基板的指纹;/n将所述指纹与多个存储的指纹模型进行比较,以确定所述基板是否变形;以及/n基于确定所述基板是变形的,选择用于所述基板的基板处理程序以校正所述基板变形。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180507 US 62/668,1751.一种用于基板处理的方法,包括:
在第一工艺腔室中生成等离子体,同时将基板定位在所述第一工艺腔室中;
基于在所述第一工艺腔室中的多个传感器来生成所述基板的指纹;
将所述指纹与多个存储的指纹模型进行比较,以确定所述基板是否变形;以及
基于确定所述基板是变形的,选择用于所述基板的基板处理程序以校正所述基板变形。


2.如权利要求1所述的方法,进一步包括:
在所述第一工艺腔室中执行所选择的基板处理程序;以及
响应于执行所选择的基板处理程序,校正所述基板变形。


3.如权利要求2所述的方法,进一步包括:
在校正所述基板变形之后,将所述基板传送到第二工艺腔室,所述第二工艺腔室经由传送腔室耦合到所述第一工艺腔室;以及
在所述第二工艺腔室中执行第二操作。


4.如权利要求1所述的方法,进一步包括:
将所述基板传送到第二工艺腔室;
在所述第二工艺腔室中执行所选择的基板处理程序;以及
响应于执行所选择的基板处理程序,校正所述基板变形。


5.如权利要求1所述的方法,其中所述多个传感器被配置为检测低频反射功率或高频反射功率。


6.如权利要求1所述的方法,其中所述基板变形是压缩弯曲或拉伸弯曲中的一者,并且每个指纹模型与压缩弯曲或拉伸弯曲相关联。


7.一种用于基板处理的方法,包括:
生成定位在第一工艺腔室中的基板的指纹;
将所述指纹与多个存储的指纹模型进行比较,其中每个指纹模型与所述基板的弯曲的种类相关联;以及
基于所述比较来选择用于所述基板的基板处理程序,以校正基板弯曲。


8.如权利要求7所述的方法,进一步包括:基于在所述第一工艺腔室中的多个传感器来生成所述指纹,所述多个传感器被配置为检测低频反射功率或高频反射功率以确定所述基板弯曲。

【专利技术属性】
技术研发人员:M·嘉德瑞
申请(专利权)人:应用材料公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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