金属膜沉积制造技术

本案提供一种用于提供具有金属膜的电子装置的设备和方法。本公开内容的一些实施方式利用金属钨层作为衬垫，该衬垫充满包含钴的金属膜。金属钨层具有对钴的良好粘附力，导致增强的钴缝隙填充效能。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】金属膜沉积
本公开内容的实施方式涉及电子装置制造领域，且更特定而言涉及集成电路(integratedcircuit；IC)制造。特定而言，本公开内容的实施方式涉及使用含钨的CVD/ALD衬垫的钴填充集成工艺。
技术介绍
集成电路可通过在基板表面上产生复杂图案化材料层的工艺来制造。在基板上产生图案化材料需要用于沉积所需材料的受控方法。相对于不同表面而在一个表面上选择性沉积膜对图案化及其他应用是有用的。由CVD或ALD工艺沉积的钴层相对于由PVD工艺沉积的类似钴层具有更大电阻率。大体上，更大电阻率部分归因于由CVD或ALD工艺沉积的薄钴层的显著碳含量(例如，约5原子百分比)以及高表面粗糙度。此种高碳含量和表面粗糙度显著影响作为P型金属的钴层的功函数，并且大体导致整个集成栅极堆叠或在其中含有钴层的其他装置的高电阻。由PVD沉积的钴层常常为非共形的且具有影响装置效能及稳定性的其他不规则性。此外，高深宽比特征通常在由PVD或CVD沉积钴材料期间产生孔隙。用于诸如ECP及电解的钴的非气相沉积工艺，大体需要在将钴层沉积在基板上时，将基板及其上的所有层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，包括以下步骤：/n在基板的顶表面上形成至少一个特征；/n在所述顶表面和所述至少一个特征上形成金属钨层；/n在所述金属钨层的顶表面上形成金属膜；和/n使所述基板退火。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180504 US 62/667,1201.一种方法，包括以下步骤：
在基板的顶表面上形成至少一个特征；
在所述顶表面和所述至少一个特征上形成金属钨层；
在所述金属钨层的顶表面上形成金属膜；和
使所述基板退火。


2.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：在形成所述金属钨层的步骤之前在所述基板的所述顶表面上方形成介电层。


3.如权利要求1所述的方法，其中所述金属钨层通过将所述基板暴露于由第一气体形成的等离子体而形成。


4.如权利要求3所述的方法，其中所述第一气体包括金属钨前驱物气体。


5.如权利要求3所述的方法，其中所述第一气体从以下组成的组中选出：无氟钨氧卤化物前驱物、无氯卤化钨前驱物、无氟无氯钨前驱物。


6.如权利要求3所述的方法，其中所述第一气体进一步包括从由以下组成的组中选出的反应气体：氢气(H2)、氨气(NH3)和联氨(N2H4)。


7.如权利要求3所述的方法，其中所述第一气体进一步包括从由以下组成的组中选出的载气：氩气(Ar)、氦气(He)、氮气(N2)。

【专利技术属性】
技术研发人员：雷雨，李相协，克里斯·帕贝里可，徐翼，河泰泓，唐先民，朴金河，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US