具有零负载的基于CVD的间隔物沉积制造技术

本公开的实施例与具有零图案负载特性的介电层沉积方法相关。在一个实施例中，该方法包括以下步骤：通过在处理腔室中不存在等离子体的情况下将基板同时暴露于沉积前驱物和调整气体，来在具有图案化的区域和覆盖区域的基板上沉积保形介电层，其中该沉积前驱物起反应以形成化学反应副产物，且该化学反应副产物与该调整气体相同，并且其中该沉积前驱物和该调整气体是以大于沉积反应在该图案化的区域和该覆盖区域处发生所需的量提供的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有零负载的基于CVD的间隔物沉积
本公开的实施例大致与用于半导体处理的方法相关。具体而言，本公开的实施例与用于沉积保形介电膜的方法相关。
技术介绍
已经将介电层用于例如现代半导体组件制造中的阻挡层或间隔物的应用。可以使用沉积处理(例如原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD))将介电层沉积在图案化的基板中的特征(例如沟槽或通孔)上方。接着各向异性地蚀刻介电层以在特征的任一侧上形成间隔物。虽然使用ALD处理来沉积间隔物的方法可以由于ALD处理的自限性质在特征上方提供保形层，但由于热CVD的反应机制，使用热CVD处理用零图案负载跨图案化的基板和覆盖基板形成高度保形的介电层一直是有挑战性的。因此，本领域中需要提供一种改善的热CVD方法以供用减少的图案负载在高的深宽比沟槽中沉积介电层。
技术实现思路
本公开的实施例大致与具有减少的(例如零)图案负载特性的介电层沉积方法相关。在一个实施例中，该方法包括以下步骤：通过在处理腔室中不存在等离子体的情况下将基板同时暴露于沉积前驱物和调整气体，来在具有图案化的区域和覆盖区域的基板上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于处理基板的方法，包括以下步骤：/n通过在处理腔室中不存在等离子体的情况下将具有图案化的区域和覆盖区域的所述基板同时暴露于至少沉积前驱物和调整气体，来在所述基板上沉积保形介电层，其中所述沉积前驱物起反应以形成化学反应副产物，并且所述化学反应副产物与所述调整气体相同，并且其中所述沉积前驱物和所述调整气体是以大于沉积反应在所述图案化的区域和所述覆盖区域处发生所需的量提供的。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180731 US 62/712,815;20190717 US 16/514,5341.一种用于处理基板的方法，包括以下步骤：
通过在处理腔室中不存在等离子体的情况下将具有图案化的区域和覆盖区域的所述基板同时暴露于至少沉积前驱物和调整气体，来在所述基板上沉积保形介电层，其中所述沉积前驱物起反应以形成化学反应副产物，并且所述化学反应副产物与所述调整气体相同，并且其中所述沉积前驱物和所述调整气体是以大于沉积反应在所述图案化的区域和所述覆盖区域处发生所需的量提供的。


2.如权利要求1所述的方法，其中沉积前驱物包括硅，并且所述调整气体和所述沉积前驱物是以约1:2到约1:6的体积流量比(调整气体:沉积前驱物)提供的。


3.如权利要求1所述的方法，其中所述介电层的沉积进一步包括以下步骤：将所述基板暴露于n型或p型掺杂气体。


4.如权利要求1所述的方法，其中沉积前驱物包括硅，并且所述调整气体和所述沉积前驱物是以比可以在所述图案化的区域和所述覆盖区域处消耗的所述调整气体和所述沉积前驱物的量大至少20％的量提供的。


5.如权利要求4所述的方法，进一步包括以下步骤：选择性地从所述基板的水平面移除所述保形介电层，以在从所述水平面延伸的多个特征的垂直面上形成侧壁间隔物。


6.如权利要求1所述的方法，其中所述沉积前驱物包括含碳前驱物。


7.如权利要求6所述的方法，其中所述含碳前驱物包括碳氢化合物。


8.一种处理基板的方法，包括以下步骤：
将沉积前驱物和调整气体共流到处理腔室中，所述调整气体包括所述沉积前驱物的反应副产物；
将所述基板的...

【专利技术属性】
技术研发人员：程睿，K·嘉纳基拉曼，黄祖滨，D·N·凯德拉亚，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US