制造并使用具有平滑表面形态的氧化锡膜的方法技术

本公开内容一般涉及使用掺杂的锡靶通过物理气相沉积制备的氧化锡膜。半导体膜可包括锡和氧，并且可在包括硅掺杂的锡靶的PVD腔室中形成。另外地，与没有掺杂的靶的类似地形成的膜相比，所述半导体膜可为平滑的。可通过对包括占总靶的0.5原子量％至5原子量％的量的硅的硅掺杂的锡溅射靶施加电偏置来沉积所述半导体膜。与在没有掺杂的靶的情况下形成的类似地形成的氧化锡膜相比，所述半导体膜具有平滑表面形态。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制造并使用具有平滑表面形态的氧化锡膜的方法
本公开内容的实施方式一般涉及半导体材料以及用于沉积半导体材料的方法。
技术介绍
物理气相沉积(PVD)是电子器件制造中最常用的工艺之一。PVD是在真空腔室中执行的等离子体工艺，其中负偏置的靶被暴露于具有相对重的原子(例如，氩)的惰性气体或包含这种惰性气体的气体混合物的等离子体。惰性气体的离子对靶的轰击(或溅射)造成靶材的原子的喷射。喷射原子作为沉积膜积聚在放置在安置在腔室内的靶下方的基板底座上的基板上。本专利技术人已经发现，在基板上的沉积膜诸如氧化锡膜可能具有变化表面形态，从而在下游处理诸如光刻和蚀刻中造成不利影响。例如，在下游光刻处理期间，沉积膜的较粗糙表面可能对线侧壁的粗糙度有负面影响或导致较高线边缘粗糙度(LER)或较高线宽度粗糙度(LWR)，从而造成器件性能下降。因此，本专利技术人提供了用于形成具有基本上平滑的表面形态的一个或多个半导体层诸如氧化锡或富锡氧化锡的改进的半导体处理方法和腔室部件。
技术实现思路
本文中提供了用于沉积半导体材料的方法和设备。在一些本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种溅射方法，包括：/n使含氧气体和惰性气体流入具有包括锡和掺杂剂的溅射靶的物理气相沉积处理腔室中，其中所述掺杂剂构成所述溅射靶的0.5原子％至5原子％；/n对所述溅射靶施加电偏置以从所述溅射靶溅射原子；和/n在包括所述溅射原子的基板上沉积半导体层，所述半导体层包括锡、掺杂剂和氧。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180502 US 62/665,655;20190501 US 16/400,8501.一种溅射方法，包括：
使含氧气体和惰性气体流入具有包括锡和掺杂剂的溅射靶的物理气相沉积处理腔室中，其中所述掺杂剂构成所述溅射靶的0.5原子％至5原子％；
对所述溅射靶施加电偏置以从所述溅射靶溅射原子；和
在包括所述溅射原子的基板上沉积半导体层，所述半导体层包括锡、掺杂剂和氧。


2.如权利要求1所述的方法，其中所述半导体层包括氧化锡、SnOx、富锡氧化锡或二氧化锡。


3.如权利要求1或2所述的方法，其中所述掺杂剂是硅。


4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述半导体层的至少一部分包括氧化锡化合物和硅化合物。


5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述半导体层具有基本上平滑的表面形态，具有0.1纳米至0.4纳米的量的RMS值。


6.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述含氧气体和所述惰性气体在物理气相沉积处理腔室中混合之前是单独气体。


7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述物理气相沉积处理腔室处在约16℃至25℃的温度下。


8.如权利要求1至7中任一项所述的方法，其中所述物理气相沉...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾为民，曹勇，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US