用于处理基板的方法技术

本发明专利技术涉及用于处理基板的方法。所公开的技术用于在处理腔室中提高击穿电压、同时在超过约300摄氏度的温度下大幅减少静电夹盘的电压泄漏的方法和设备。

【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的方法本申请是申请日为2015年7月7日、申请号为201580044951.1、名称为“具有介电常数设计的原位电荷捕获材料的高温静电夹盘”的中国专利申请的分案申请。
本文所述的实施例总体上涉及用于形成半导体器件的方法和设备。更具体言之，本文所述的实施例总体上涉及用于在升高的温度下制造半导体器件的方法和设备。
技术介绍
可靠地生产纳米和更小的特征是半导体器件的下一代极大规模集成电路(VLSI)和超大规模集成电路(ULSI)的关键技术挑战之一。然而，随着电路技术的极限被推进，VLSI和ULSI互连技术的收缩尺寸已将额外的需求放在处理能力上。在基板上可靠地形成栅极结构对于VLSI和ULSI的成功及对于提高电路密度和单独基板与管芯的质量的持续努力是非常重要的。为了降低制造成本，集成芯片(IC)制造商要求处理的每个硅基板有更高的产量和更好的器件良率与性能。在目前的发展下一些正被探索用于下一代器件的制造技术需要在高于300摄氏度的温度下进行处理，这可能会不期望地导致基板弯曲超过200um。为了防止这种过度弯曲，将需要提高夹紧力来本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于处理基板的方法，包括：/n在基板上沉积硅系材料，所述基板被定位在真空腔室中的基板支撑组件上；/n从所述真空腔室移除所述基板；以及/n在所述基板支撑组件上沉积约

【技术特征摘要】
20140826 US 14/469,5731.一种用于处理基板的方法，包括：
在基板上沉积硅系材料，所述基板被定位在真空腔室中的基板支撑组件上；
从所述真空腔室移除所述基板；以及
在所述基板支撑组件上沉积约至的含硅和碳的材料，所述含硅和碳的材料在重量上具有少于约5％的碳含量。


2.如权利要求1所述的方法，其中使用化学气相沉积工艺、喷涂工艺、浸入工艺、或热工艺中的至少一者来沉积所述硅系材料。


3.如权利要求1所述的方法，其中沉积所述含硅和碳的材料包括执行碳清洗操作。


4.如权利要求3所述的方法，进一步包括：在沉积所述硅系材料和从所述基板支撑组件移除所述基板之后执行所述碳清洗操作。


5.如权利要求3所述的方法，其中执行所述碳清洗操作包括抽空所述真空腔室，以去除残余的工艺气体。


6.如权利要求3所述的方法，进一步包括：在所述基板支撑组件上沉积含硅和碳的材料的第二层，以补偿在所述碳清洗操作期间被去除的含硅和碳的材料。


7.如权利要求1所述的方法，其中沉积所述含硅和碳的材料包括执行多个碳清洗操作。


8.如权利要求1所述的方法，其中在一个或多个等离子体处理操作期间沉积所述含硅和碳的材料。


9.一种用于在真空处理腔室中处理基板的方法，所述方法包括：
当所述基板在基板支撑组件上时预夹持所述基板，其中，预夹持包括在所述真空处理腔室中使所述基板暴露于稳定的压力和氦气流；
将所述基板夹持于所述基板支撑组件；
在所述基板上沉积材料层；
解除对所述基板的夹持；以及
从所述真空处理腔室移除所述基板。


10.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·K·库尔施拉希萨，K·D·李，金柏涵，Z·J·叶，S·P·贝赫拉，G·巴拉苏布拉马尼恩，J·C·罗查阿尔瓦雷斯，J·J·陈，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US