用于基板支撑件的处理配件制造技术

于此提供用于处理基板的方法及设备。在一些实施方式中，用于基板支撑件的处理配件包含：上边缘环，所述上边缘环由石英制成且具有上表面及下表面，其中所述上表面实质为平面且所述下表面包含阶梯状下表面以界定所述上边缘环的径向最外部分及径向最内部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于基板支撑件的处理配件
本揭示案的实施方式大体涉及基板处理设施，且更特定地，针对用于基板支撑件的处理配件及使用该处理配件的方法。
技术介绍
可使用基板处理系统(例如等离子体反应器)在基板上沉积、蚀刻或形成层或以其他方式处理基板表面。对控制该基板处理的一些方面有用的一个技术为使用射频(RF)能量以控制接近基板的等离子体，例如通过将RF能量耦合至设置于基板(设置于基板支撑件上)下的电极。专利技术人于此提供基板处理系统的实施方式，其可提供改良的基板处理系统的RF能量控制，及晶片边缘附近的等离子体鞘的灵活控制。
技术实现思路
于此提供用于处理基板的方法及设备。在一些实施方式中，用于基板支撑件的处理配件包含：上边缘环，所述上边缘环由石英制成且具有上表面及下表面，其中所述上表面实质为平面且所述下表面包含阶梯状下表面以界定所述上边缘环的径向最外部分及径向最内部分。在一些实施方式中，一种基板支撑件包含：下边缘环，其中所述下边缘环为传导性的；及上边缘环，所述上边缘环具有被配置为与所述下边缘环界面配合(interface)的波本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于基板支撑件的处理配件，包括：/n上边缘环，所述上边缘环由石英制成且具有上表面及下表面，其中所述上表面实质为平面且所述下表面包含阶梯状下表面以界定所述上边缘环的径向最外部分及径向最内部分。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180119 US 62/619,473;20190116 US 16/249,7161.一种用于基板支撑件的处理配件，包括：
上边缘环，所述上边缘环由石英制成且具有上表面及下表面，其中所述上表面实质为平面且所述下表面包含阶梯状下表面以界定所述上边缘环的径向最外部分及径向最内部分。


2.如权利要求1所述的处理配件，进一步包括下边缘环，其中所述下边缘环被配置为与所述上边缘环的所述阶梯状下表面界面配合。


3.如权利要求2所述的处理配件，其中所述下边缘环具有沿着上及外周边边缘的凹口，其中所述上边缘环的所述阶梯状下表面被配置为与所述凹口界面配合。


4.如权利要求2所述的处理配件，其中所述上边缘环具有小于所述下边缘环的内径的内径及大于所述下边缘环的外径的外径。


5.如权利要求2所述的处理配件，其中所述下边缘环为传导性的。


6.如权利要求1所述的处理配件，其中所述径向最外部分具有大于所述径向最内部分的厚度的厚度。


7.如权利要求1至6的任一项所述的处理配件，其中所述上边缘环包含弯曲的上周边边缘，所述上周边边缘连接所述上表面至所述上边缘环的外周边壁或至所述上边缘环的所述下表面。


8.如权利要求1至6的任一项所述的处理配件，其中所述上边缘环具有约1.5英寸至约2.0英寸的宽度。


9.如权利要求1至6的任一项所述的处理配件，其中所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：穆罕纳德·穆斯塔法，穆罕默德·M·拉希德，雷雨，阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯，维卡什·班西埃，维克多·H·卡尔德隆，陶世伟，李永新，阿尼迪塔·森，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US