用于金属氧化物在金属表面上的ALD的方法技术

描述了用于在金属表面上沉积金属氧化物层的方法。所述方法包括将基板暴露于分开剂量的金属前驱物和醇，所述金属前驱物不含有金属‑氧键。这些方法不会氧化下面的金属层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于金属氧化物在金属表面上的ALD的方法相关申请的交叉引用本申请要求2017年11月19日提交的美国临时申请第62/588,422号的优先权，该申请的全部公开内容以引用的方式并入本文。
本公开内容的实施方式涉及沉积薄膜的方法。具体地，本公开内容涉及用于在金属表面上沉积金属氧化物而不发生界面氧化的方法。
技术介绍
薄膜广泛地用于半导体制造的许多工艺。例如，金属氧化物(例如，氧化铝)的薄膜通常在图案化工艺中用作间隔件材料和蚀刻终止层。这些材料使得无需采用更昂贵的EUV光刻技术就能实现更小的装置尺寸。用于在基板表面上沉积金属氧化物的常用技术通常涉及氧化基板表面的一部分。氧化工艺，尤其是在金属表面上，可能有损装置性能。因此，本领域中需要的是在金属表面上沉积金属氧化物而不氧化金属表面的方法。
技术实现思路
本公开内容的一个或多个实施方式涉及沉积方法。所述方法包括提供具有第一金属表面的基板。第一金属包括钴、铜、镍、钌、钨或铂中的一种或多种。将所述基板分开地暴露于第二金属前驱物和醇以在所述第一金属表面上形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种沉积方法，包括：/n提供具有第一金属表面的基板，第一金属包括钴、铜、镍、钌、钨或铂中的一种或多种；和/n将所述基板分开地暴露于第二金属前驱物和醇以在所述第一金属表面上形成第二金属氧化物层，第二金属包括铝、铪、锆、镍、锌、钽或钛中的一种或多种，所述第二金属前驱物实质上不包括金属-氧键；/n其中所述方法实质上不产生所述第一金属表面的氧化。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171119 US 62/588,4221.一种沉积方法，包括：
提供具有第一金属表面的基板，第一金属包括钴、铜、镍、钌、钨或铂中的一种或多种；和
将所述基板分开地暴露于第二金属前驱物和醇以在所述第一金属表面上形成第二金属氧化物层，第二金属包括铝、铪、锆、镍、锌、钽或钛中的一种或多种，所述第二金属前驱物实质上不包括金属-氧键；
其中所述方法实质上不产生所述第一金属表面的氧化。


2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一金属基本上由钴组成。


3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一金属基本上由铜组成。


4.如权利要求1所述的方法，其中所述第二金属基本上由铝组成。


5.如权利要求1所述的方法，其中所述第二金属前驱物包括至少一种碳配体。


6.如权利要求5所述的方法，其中所述至少一种碳配体含有1至6个碳原子。


7.如权利要求5所述的方法，其中所述第二金属前驱物仅包括碳配体。


8.如权利要求5所述的方法，其中所述第二金属氧化物层实质上不含有碳。


9.如权利要求1的方法，其中所述第二金属前...

【专利技术属性】
技术研发人员：巴斯卡尔·乔蒂·布雅，马克·沙丽，大卫·汤普森，夏立群，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US