描述了用来处理一或多个晶片的装置及方法。围绕旋转轴用圆形配置布置了多个处理站。具有限定旋转轴的可旋转中心基部、从所述中心基部延伸的至少两个支撑臂、及所述支撑臂中的每个上的加热器的支撑组件被定位为与所述处理站相邻，使得可在各种处理站之间移...

说明一种用以支撑真空腔室(101)中的载体或部件的支撑装置(100)。支撑装置(100)包括一或多个电性可控制支撑元件(111)；壳体(112)，用以至少部分地容置此一或多个电性可控制支撑元件(111)，壳体具有容置部(113)，用于此...

本公开内容的实施方式提供一种衬垫组件，所述衬垫组件包括多个各自分开的气体通道。所述衬垫组件能实现遍及待处理的基板上的流动参数的可保持性，这些流动参数诸如速度、密度、方向和空间位置。可利用根据本公开内容的实施方式的衬垫组件，对遍及待处理的...

本发明涉及导电沟槽深度的感应监测。在制造具有带有多个导电互连件的层的集成电路时，抛光基板的层以提供所述集成电路的所述层。所述基板的所述层包括的导电线以提供导电互连件。所述基板的所述层包括由沟槽中的导电材料形成的封闭的导电环路。使用感应监...

本公开内容涉及处理腔室、等离子体筛设备以及基板支撑设备。本公开内容总体上涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体鞘层的设备。设备涉及包括具有边缘环电极的边缘环组件和具有夹持电极的静电吸盘的处理腔室和/或基板支撑件。边缘环组件定位为与静电吸盘...

本公开内容的实施方式一般地涉及隔板、包括上述隔板的诸如电池及电容器之类的高性能电化学装置、及用于制造该隔板及装置的方法。一个实施方式中，提供一种形成用于电池的隔板的方法。该方法包括，将金属材料暴露于蒸发工艺，该金属材料待沉积于定位在处理...

本文描述的具体实施方式，涉及在基板上形成具有不同倾斜角的光栅的方法，以及使用角度蚀刻系统在循序基板上形成具有不同倾斜角的光栅的方法。方法包括将保持在平台上的基板的部分定位在离子束的路径中。基板上设置有光栅材料。离子束经配置以相对于基板的...

一般地，本文所述的示例涉及用于在基板上的鳍片之间形成隔离结构(例如，浅沟槽隔离(STI))的方法和处理系统。在一个示例中，在基板上形成鳍片。在所述鳍片上和所述鳍片之间共形地形成衬里层。形成所述衬里层包括在所述鳍片上和所述鳍片之间共形地沉...

本公开总体涉及一种用于处理系统中的隔离装置。所述隔离装置具有主体，所述主体具有：入口开口，所述入口开口设置在第一端部处，所述入口开口耦接到处理系统部件，诸如远程等离子体源；以及出口开口，例如两个出口开口，所述出口开口设置在第二端部处，所...

用于在掺杂的非晶硅层上沉积金属膜作为衬底上的成核层和/或胶层的方法。一些实施方式还包括结合胶层以增加所述掺杂的非晶硅层和金属层粘附到所述衬底的能力。

公开了背面涂覆腔室和制造工具。在一个实施例中，背面涂覆腔室包括：台架，所述台架被配置为以面向下的取向接收基板，所述基板具有形成在所述基板的第一主表面上的膜堆叠；保持器，所述保持器耦接到所述台架，以用于由所述保持器的边缘来保持所述基板；以...

提供了基板支撑件和配备所述基板支撑件的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，基板支撑件包括：支撑主体，具有第一表面；一个或多个插孔，延伸穿过第一表面并且进入支撑主体；和一个或多个突起，分别设置在一个或多个插孔中的对应插孔内并且从第一表面...

此处公开的实施例总的来说涉及用于对时间序列数据中的异常值进行分类的方法、系统、以及非瞬态计算机可读取介质，由定位在基板处理腔室中的传感器来收集所述时间序列数据。客户装置从定位在基板处理腔室中的传感器来接收所述时间序列数据。客户装置将所述...

一般，本文描述的实施例涉及用于在形成为超晶格的一部分的修整的层上形成包覆层的集成解决方案。在一个实施例中，在处理系统的第一处理腔室中选择性地蚀刻第一材料。所述第一材料设置在处于基板上的沟道区域中的所述第一材料和第二材料的交替层内。在所述...

本发明涉及一种在ICP等离子体处理腔室中用于高产出、衬底极端边缘缺陷减少的单环设计。本新型的实施例提供了单环，所述单环包括具有内部表面的圆环状的主体，所述内部表面最接近所述主体的中心线附近；所述主体亦包括相对于所述内部表面的外部表面。所...

本公开的实施方式提供了一种加热支撑底座，所述加热支撑底座包括：主体，所述主体包括陶瓷材料；支撑臂，所述支撑臂从耦接到轴的所述主体的周边径向向外延伸；以及真空导管，所述真空导管设置在所述轴内并穿过所述主体以与所述主体的表面连接。

实施方式包括用于监测蚀刻速率或沉积速率或用于控制晶片制造工艺的操作的系统、设备和方法。在一个实施方式中，一种处理工具包括：处理腔室，具有围绕腔室容积的衬垫壁；和监测设备，具有经由衬垫壁中的孔暴露于腔室容积的传感器。所述传感器能够实时地测...

物件包含具有涂层的主体。涂层包含具有O/F摩尔比的M‑O‑F涂层，此可就物件接触的后续将来处理定制。

本公开总体涉及一种用于处理系统中的隔离装置。所述隔离装置包括主体，所述主体具有从中穿过而形成的流孔。在一个实施方式中，所述隔离装置设置在远程等离子体源与工艺腔室之间。关闭机构可枢转地设置在所述主体内。所述关闭机构可以被致动以启用或禁用在...

描述了一种利用带电粒子束装置检查样本(10)的方法。所述方法包括将样本(10)布置于载物台(20)上；确定物镜(150)的第一聚焦强度，第一聚焦强度适用于聚焦带电粒子束(101)于样本的第一表面区域(11)上，样本的第一表面区域在光轴(...