在一方面，一种设备包括：腔室主体；区隔板，所述区隔板用于将工艺气体递送到气体混合容积中；以及面板，所述面板具有孔，混合气体通过所述孔来分布到衬底。在另一方面，所述面板可以包括第一区域，所述第一区域相对于第二区域具有凹陷部。在另一方面，所...

在一个实施方式中，提供一种用于清洁处理腔室的方法。所述方法包含将反应性物种引入具有残余的高介电常数介电材料的处理腔室中，所述残余的高介电常数介电材料形成在处理腔室的一个或多个内表面上。反应性物种由含卤素气体混合物形成，并且一个或多个内表...

一种用于处理工件的等离子体反应器，包括腔室，具有介电窗；工件支撑件，用以在腔室中保持工件；旋转耦合器，包含配置成耦合至微波源的固定台及具有旋转轴的可旋转台；微波天线，并覆盖腔室的介电窗；旋转致动器，用以旋转微波天线；和处理气体分配器，包...

一种在具有堆叠的电感器线圈的基板上形成磁芯的方法包含以下步骤：蚀刻多个聚合物层以形成穿过该多个聚合物层的至少一个特征，其中该至少一个特征被设置在形成于该基板上的堆叠的电感器线圈的中心区域内；及将磁性材料沉积在该至少一个特征内。

描述了形成自对准高深宽比特征的处理方法。所述方法包括在结构化基板上沉积金属膜、容积地扩张所述金属膜、在所扩张的柱体之间沉积第二膜、与可选地使所述柱体凹陷以及重复此处理以形成高深宽比结构。

本申请案的实施方式大体上涉及耦接到至少一个气相外延腔室的转移腔室及耦接至转移腔室的等离子体氧化物移除腔室，等离子体氧化物移除腔室包括具有混合腔室及气体分配器的盖组件；穿过盖组件的一部分形成并与混合腔室流体连通的第一气体入口；穿过盖组件的...

本文中提供待使用于等离子体辅助半导体制造腔室或等离子体增强半导体制造腔室中的抛光静电卡紧(ESC)基板支撑件的图案化表面的方法。具体地，本文中描述的实施例提供抛光方法，所述抛光方法将升高特征的边缘圆化并去毛边并且从图案化基板支撑件的非基...

清洁光掩模的方法可包括加热在光掩模的表面上的残留耦接材料。光掩模的特征可在于作用区域及边缘区域。残留耦接材料可位于光掩模的边缘区域的部分上。所述方法可包括施加蚀刻剂至残留耦接材料。所述方法还可包括从光掩模冲洗蚀刻剂。在此方法期间，光掩模...

本公开内容的实施方式总体涉及一种遮蔽框架，所述遮蔽框架包括相邻于两个相对的次侧面框架构件的两个相对的主侧面框架构件，用角支架将所述主侧面框架构件与所述次侧面框架构件耦接在一起，其中所述角支架包括具有多个支腿的角镶嵌件，这些支腿在彼此大致...

在一个实施方案中，处理系统包括第一转移腔室、第二转移腔室、过渡站、第一等离子体腔室、及装载锁定腔室，第一转移腔室耦接到至少一个外延处理腔室，过渡站设置于第一转移腔室与第二转移腔室之间，第一等离子体腔室耦接至第二转移腔室，以用于从基板的表...

本文提供了磁控管组件的实施方式和包含该磁控管组件的处理系统。在一些实施方式中，磁控管组件包括：沿磁控管组件的中心轴延伸的主体；冷却剂供给结构，沿中心轴延伸穿过主体以沿中心轴向冷却剂供给结构下方的区域提供冷却剂；和可旋转磁体组件，连接到主...

本公开的实施一般性地关于改进的真空处理系统。在一个实施中，真空处理系统包含：第一传送腔室，所述第一传送腔室耦接到至少一个气相外延处理腔室、第二传送腔室、过渡站，所述过渡站被设置在所述第一传送腔室与所述第二传送腔室之间、等离子体清洁腔室，...

提供一些方法，在一些实施方式中提供吸盘上的印刷板材的第一层的对准。举例来说，在一个实施方式中，捕获吸盘上的参考标记的影像，以确定吸盘上的这些参考标记的初始位置。从这些初始位置产生参考模型。捕获参考板材上的对准标记的影像，以及确定这些对准...

本发明涉及运用于化学机械抛光工艺中的保持环的轮廓及表面制备的方法和设备。一种用于在保持环上形成牺牲表面的固定装置包括：固定板，所述固定板被定尺寸以实质匹配所述保持环的外径；以及夹紧装置，所述夹紧装置适于提供侧向负载至所述保持环的下部部分...

在本文中提供用于处理例如电子器件中使用的光敏聚酰亚胺(PSPI)膜的方法和装置。在一些实施方式中，一种用于固化光敏聚酰亚胺(PSPI)膜的方法包括：在所选基板上沉积PSPI膜；以及在包含从约20ppm至200,000ppm的氧浓度的所选...

本公开内容提供一种沉积设备(100)，这种沉积设备用于沉积一个或多个层于基板(10)上。沉积设备包括：真空腔室(60)；输送系统(50)，用于输送掩模载体(23)，掩模载体配置为用于支撑掩模框架(21)，掩模框架具有掩模(22)，掩模安...

一种传输线RF施加器装置和用于将RF功率耦接至等离子体腔室中的等离子体的方法。装置包括内导体和一个或两个外导体。所述一个或两个外导体的每个外导体的主要部分包括多个孔，所述多个孔在外导体的内表面和外表面之间延伸。

描述了切割半导体晶片的方法。在一个示例中，一种对在其上具有多个集成电路的晶片进行切割的方法包含：将晶片切割成设置在切割带上的多个单切裸片(singulated die)。所述方法还包含在切割带上的多个单切裸片上方和之间形成材料层。所述方...

本技术的实施例可包括一种蚀刻方法。该方法可包括在腔室的第一部分中混合等离子体流出物与气体以形成第一混合物。该方法也可包括在腔室的第二部分中使第一混合物流到基板。第一部分和第二部分可包括镀镍材料。该方法可进一步包括使第一混合物与基板反应以...

在一个实施方式中，一种气体引入插件包括：气体分配组件，具有主体；复数个气体注入通道，形成于气体分配组件内，复数个气体注入通道的至少一部分邻接于在气体分配组件中形成的盲通道；和整流板，定界复数个气体注入通道和盲通道的一侧，整流板包括未穿孔...