本公开的实施例关于物件、涂覆的腔室部件以及以低挥发性涂层涂覆腔室部件的方法。低挥发性涂层可包括涂覆部件(例如，高温加热器)的所有表面的含稀土金属层。

一种用于在半导体处理腔室中于基板上形成膜的方法，包括使用等离子体增强工艺以及氯基气体、氢气、和惰性气体的气体混合物在基板上形成第一层。之后净化所述处理腔室，且以氢基前驱气体热浸泡所述第一层。之后再次净化所述处理腔室，且可用所述等离子体增...

描述了包含使用水作为氧化剂通过原子层沉积形成金属氧化物膜的方法。金属氧化物膜被暴露于去耦等离子体以降低金属氧化物膜的湿式蚀刻速率，所述去耦等离子体包含He、H2或O2的一或多种。

在本文中描述的实施例总体而言涉及等离子体辅助处理腔室或等离子体增强处理腔室。更具体地，在本文中的实施例涉及被配置为向基板提供脉冲DC电压的静电吸盘(ESC)基板支撑件，和在等离子体辅助半导体制造工艺或等离子体增强半导体制造工艺期间使用脉...

提供了一种用于在等离子体辅助处理腔室中将基板偏压的区域的方法和设备。将基板(或基板的区域)偏压增加了在基板与处理腔室中形成的等离子体之间的电位差，从而将来自等离子体的离子加速朝向基板区域的活性表面。在本文中的多个偏压电极以有利于管理跨越...

一种用于转送微波空腔中的微波场强度的设备。在一些实施方式中，所述设备包括微波可穿透的基板，所述微波可穿透的基板具有至少一个射频(RF)检测器，所述RF检测器能够检测微波场并产生信号，所述信号与检测到的所述微波场的微波场强度相关联，及传送...

本文所述的实施例涉及整合研磨(IA)抛光垫，以及制造IA抛光垫的方法，所述方法在增材制造工艺(诸如3D喷墨打印工艺)中至少部分使用表面官能化的研磨颗粒。在一个实施例中，形成抛光制品的方法包括：分配第一前驱物的第一多个液滴；固化所述第一多...

本公开的实施例提供包括至少一终点检测(EPD)窗口设置穿过抛光垫材料的抛光垫及其形成方法。在一实施例中，形成抛光垫的方法包括通过分配第一前驱物组成物和窗口前驱物组成物，以形成抛光垫的第一层，第一层包含第一抛光垫元件和窗口特征中的每一者的...

本公开内容整体涉及一种用于处理基板的工艺腔室和静电吸盘。所述静电吸盘包括：设施板；以及绝缘体，所述绝缘体设置在冷却基部与接地板之间。支撑主体耦接到所述冷却基部以用于在所述支撑主体上支撑基板。环被配置为环绕所述绝缘体。所述环由耐受因暴露于...

描述一种用于处理基板的真空处理设备。所述真空处理设备包括：真空腔室；和沉积源，所述沉积源设置在所述真空腔室中。所述设备进一步包括第一轨道布置，所述第一轨道布置具有适于输送基板的第一输送轨道和适于输送掩模的第二输送轨道。此外，所述设备包括...

描述了用于以无缝钨填充物来填充基板特征的方法。所述方法包括沉积钨膜、将钨膜氧化成氧化钨柱、将氧化钨膜还原成无缝钨间隙填充物，且可选地在钨间隙填充物上沉积额外的钨。

本公开内容的实施方式涉及选择性金属硅化物沉积方法。在一个实施方式中，加热具有含硅表面的基板，以及该含硅表面为氢封端。将基板暴露于MoF

一种用于等离子体处理的处理工具包括腔室主体、工件支撑件、致动器、气体分配器、电极组件与第一RF电源，腔室主体具有内部空间，内部空间提供等离子体腔室，腔室主体具有顶板以及与顶板相对的一侧上的开口，工件支撑件固持工件，使得工件的前表面的至少...

公开了用于消除CVD和图案化HVM系统的晶片弯曲的方法和设备。公开了一种用于在基板上形成背面涂层以抵消来自先前沉积的膜的应力的方法和设备。在一个实施方式中，一种用于使弯曲基板变平的方法包括：提供基板，所述基板具有形成在所述基板的第一主表...

本公开涉及AC电力连接器、溅射设备及其方法。提供一种用于将AC电源(20)与装置(30)连接的AC电力连接器。AC电力连接器包括可与AC电源连接的至少一个第一元件(11)以及可与装置连接的至少一个第二元件(12)，所述第一元件与所述第二...

公开了一种用于处理腔室的面板。所述面板具有主体，所述主体具有多个孔隙，所述多个孔隙穿过所述主体形成。挠曲件形成在所述主体中，部分地包围所述多个孔隙。切口在与所述挠曲件的公共半径上穿过所述主体形成。一个或多个孔口从所述切口的径向内表面延伸...

提供了用于斜面蚀刻处理的方法和设备，并且包括将衬底放置在容纳设置在所述衬底上方的掩模的处理腔室中，其中所述衬底具有边缘和中心并含有沉积的层。所述方法包括：使等离子体沿着所述掩模的外表面并向所述衬底的所述边缘流动；以及使所述边缘暴露于所述...

本发明涉及增加用于静电夹盘的气体效率。通过入口接收气体。气体的部分供应至静电夹盘。气体的部分通过压缩器再循环。增加气体的第二部分的压力。将气体的第二部分储存在气体储存器中。

公开了可移动并且可移除的处理配件。本公开的各方面大体涉及用于调整边缘环位置并且用于移除或更换处理腔室的处理配件的一个或多个部件的方法和装置。处理配件包括边缘环、支撑环、滑环和其他自耗的或可降解的部件中的一个或多个。

于此公开用于处理腔室的腔室部件、用于处理腔室的屏蔽的设计膜以及处理腔室。在一个实施方式中，用于处理腔室的腔室部件具有基底部件主体。所述基底部件主体具有外部表面，所述外部表面经配置以面对所述处理腔室的处理环境。纹理化表层顺应于所述外部表面...