本文描述的实施方式涉及控制沉积在大基板上的SiN膜的均匀性的方法。当通过向腔室施加射频(RF)功率来激励所述腔室中的前驱物气体或气体混合物时，流过等离子体的RF电流在电极间间隙中产生驻波效应(SWE)。当基板或电极尺寸接近RF波长时，S...

提供了半导体基板处理设备和方法。本文所述的实施例包括一种处理工具，所述处理工具包括被配置为用于处理压力的快速和稳定的变化。在一个实施例中，所述处理工具可以包括腔室主体。在一个实施例中，所述腔室主体是真空腔室。所述处理工具可以进一步包括吸...

本文提供用于在基板支撑件中使用的工艺配件部件的实施方式以及结合有所述实施方式的基板支撑件。在一些实施方式中，所述基板支撑件可以包括：主体；接地外壳，所述接地外壳由围绕所述主体设置的导电材料形成；衬里，所述衬里由围绕所述接地外壳设置的导电...

一种选择性蚀刻包括多种金属氧化物的基板表面的工艺包括：将该基板表面暴露于卤化剂，且然后将该基板表面暴露于配位基转移剂。所述多种金属氧化物中的金属的蚀刻速率实质上一致。

描述用于沉积更高氮含量的氮化硅膜的方法。某些方法包括：将基板暴露于硅氮前驱物及氨等离子体，以形成可流动聚合物；和，然后固化该聚合物以形成氮化硅膜。某些方法在没有使用UV固化工艺的情况下固化可流动聚合物。也描述由上述方法生成的膜。

本公开的实施例总体上涉及适于在一个时间同时固化多个基板的批量处理腔室。批量处理腔室包括各自独立地温度受控制的多个处理子区域。批量处理腔室可包括第一与第二子处理区域，第一与第二子处理区域各自由在批量处理腔室外的基板传送装置服务。此外，安装...

提供了用于确定处理腔室内的气体浓度的方法和系统。在一个或多个实施方式中，一种方法包括将第一气体引入气体监测模块的第一空腔中，其中所述第一空腔热耦接到所述气体监测模块的第二空腔，并且其中所述第一空腔包含第一入口并且所述第一气体经由所述第一...

本文描述了包括侧储存舱的电子装置处理系统。一个电子装置处理系统具有：侧储存舱，所述侧储存舱具有经配置成接收侧储存容器的第一腔室；具有面板开口的面板；面板经配置成耦接在侧储存容器和设备前端模块之间；在第一腔室中接收的侧储存容器；及排气管道...

公开了一种用于处理腔室的面板。所述面板具有主体，所述主体具有多个孔隙，所述多个孔隙穿过所述主体形成。挠曲件形成在所述主体中，部分地包围所述多个孔隙。切口在与所述挠曲件的公共半径上穿过所述主体形成。一个或多个孔口从所述切口的径向内表面延伸...

本文的实施方式涉及用于处理腔室中的具有多件式设计的腔室衬里。所述多件式设计可以具有内部部分和外部部分。所述外部部分的内表面的一部分可以被设计为在单个接合点处与所述内部部分的外表面接触，这样在所述内部部分与所述外部部分之间产生热阻挡，从而...

描述了光吸收掩模和对半导体晶片进行切片的方法。在一示例中，一种对包括多个集成电路的半导体晶片进行切片的方法包含在所述半导体晶片上方形成掩模。所述掩模包括基于固体组分和水的水溶性基质、以及遍布所述水溶性基质中的光吸收剂物种。用激光刻划工艺...

用于在半导体处理系统中的气体输送的设备的实施方式使用具有多个气体通路的气体分配板，其中通路具有平均粗糙度小于或等于约10Ra的表面。在一些实施方式中，气体分配板具有一个或更多个内部流体通路，所述内部流体通路能够流体耦接至一个或更多个流体...

在此所描述的具体实施方式一般地涉及用于对准预热构件的装置。在一个具体实施方式中，提供对准组件用于处理腔室。所述对准组件包括：下衬垫；预热构件；在所述预热构件的底表面上形成的对准机构；以及在所述下衬垫的顶表面内形成且经配置以与所述对准机构...

描述了一种用于处理半导体基板的方法和设备。公开了一种基板处理设备，包括：处理腔室；基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述处理腔室内；多个灯，所述多个灯布置在灯头中并靠近所述基板支撑件而定位；气源，所述气源用于在跨越所述基板支撑件的侧向流动...

提供一种包封有机发光二极管(OLED)的方法。所述方法包括在工艺腔室中产生第一等离子体，当OLED器件定位在所述工艺腔室内时，所述第一等离子体具有至少10

本文所述的实施方式大体涉及用于从基板处理腔室的一或多个内表面原位去除不需要的沉积累积物的方法和装置。在一实施方式中，提供一种用于清洁处理腔室的方法。所述方法包含将反应性物种引入具有残余的含ZrO

提供了一种沉积设备。沉积设备包括第一沉积源和第二沉积源，经构造为用于在基板接收面积中沉积材料。沉积设备包括掩蔽元件。掩蔽元件经构造为用于掩蔽在第一方向上延伸的基板边缘区域。掩蔽元件经构造以在至少第一方向上移动以补偿沉积材料在掩蔽元件上的...

在此揭示的多个具体实施方式提供了一种用于处理基板的快速热处理(RTP)系统。RTP腔室具有辐射源，所述辐射源经配置以供应辐射至安置于处理空间中的基板。一个或多个高温计耦接至所述腔室主体，与所述辐射源相对。在一个范例中，所述辐射源安置于所...

在一个实施方式中，提供了一种在基板上选择性地沉积硅锗材料的方法。所述方法包括：将所述基板定位在基板处理腔室内，所述基板上具有介电材料和含硅单晶；将所述基板维持在约450℃或更低的温度处；将所述基板暴露于工艺气体，所述工艺气体包括：硅源气...

本文描述的实施方式涉及用于消除半导体工艺中产生的化合物的热交换器。当热流出物流动至热交换器中时，可使冷却剂流动至热交换器之内的热交换表面的壁。热交换表面可以是产生多级交叉流动路径的弯曲形状，以便热流出物从热交换器流下。此流动路径迫使热流...