【技术实现步骤摘要】
灯头中的多分区灯控制和单独灯控制
本文公开用于半导体处理的方法和设备。更具体地，本文公开的实施方式涉及用于控制外延工艺中的颗粒污染的方法和设备。
技术介绍
外延是广泛地用于半导体处理以在半导体基板上形成非常薄的材料层的工艺。这些层通常限定半导体器件的最小特征中的一些，并且如果期望结晶材料的电特性，那么它们可以具有高质量的晶体结构。为了形成这些层，将沉积前驱物提供到处理腔室，所述处理腔室具有基座，基板设置在所述基座上，并且基板被加热到有利于具有期望性质的材料层的生长的温度。由于在基板上形成的半导体器件的小特征尺寸，基板上的颗粒量必须保持最小。然而，颗粒可能在待处理的基板被传送到处理腔室中期间粘附到待处理的基板上。例如，在处理气体被提供在基板的一侧处以流过基板表面的处理中，在待处理的基板的传送期间流入腔室的气体可能产生落在待处理的基板上的颗粒。颗粒可以从腔室壁脱落，然后被夹带到气流中。另外，基座的温度可能是不均匀的，使得基板在与基座的初始接触时翘曲。在基板上的用于颗粒的保留区域可以更大或更小，这取决于基板的翘曲轮廓相对于...
【技术保护点】
1.一种基板处理设备，包括：/n处理腔室；/n基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述处理腔室内；/n多个灯，所述多个灯布置在灯头中并靠近所述基板支撑件而定位；/n气源，所述气源用于在跨越所述基板支撑件的侧向流动路径中提供净化气体；以及/n控制器，所述控制器基于所述流动路径的方向而差分地调整提供到所述多个灯中的单独灯的功率。/n
【技术特征摘要】
20180803 US 62/714,1591.一种基板处理设备，包括：
处理腔室；
基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述处理腔室内；
多个灯，所述多个灯布置在灯头中并靠近所述基板支撑件而定位；
气源，所述气源用于在跨越所述基板支撑件的侧向流动路径中提供净化气体；以及
控制器，所述控制器基于所述流动路径的方向而差分地调整提供到所述多个灯中的单独灯的功率。
2.如权利要求1所述的基板处理设备，其中所述多个灯设置在至少两个分区中，并且所述分区中的每个包括两个或更多个灯。
3.如权利要求2所述的基板处理设备，其中所述至少两个分区是同心的，并且包括内部分区、中心分区和外部分区，所述外部分区对应于所述基板支撑件的周边。
4.如权利要求2所述的基板处理设备，其中所述流动路径限定所述基板支撑件的前缘和后缘，并且所述控制器控制提供到定位在所述前缘或所述后缘处的一个或多个选择灯分区中的任一个的功率。
5.如权利要求4所述的基板处理设备，其中定位在所述前缘或所述后缘处的所述一个或多个选择灯分区是同心布置的一部分。
6.如权利要求4所述的基板处理设备，其中所述控制器向所述前缘处的任何选择灯分区提供比其它任何地方更高或更低的功率。
7.如权利要求4所述的基板处理设备，其中所述控制器向所述前缘和所述后缘处的任何选择灯分区提供比其它任何地方更高或更低的功率。
8.如权利要求3所述的基板处理设备，其中所述流动路径限定所述基板支撑件的前缘和后缘，并且所述控制器控制定位在所述前缘和所述后缘处的外同心分区中所述灯的功率。
9.如权利要求2所述的基板处理设备，其中与提供到其它灯的功率相比，所述控制器将更高的功率提供到所述前缘处的灯。
10.如权利要求2所述的基板处理设备，其中与提供到其它灯的功率相比，所述控制器将更高的功率提供到所述前缘和所述后缘处的灯。
11.一种基板处理设备，包括：
处理腔室；
基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述处理腔室内；
灯阵列，所述灯阵列布置在灯头中并靠近基板支撑件而定位，所述灯阵列至少包括内部分区和外部分区，所述外部分区对应于所述基板...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄奕樵，埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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