本文提供用于检测基板中的翘曲的方法和设备。在一些实施例中，一种用于检测基板中的翘曲的翘曲检测器包括：一个或多个光源，所述一个或多个光源在存在时照射一个或多个基板；相机，所述相机用于在存在时捕捉一个或多个基板的暴露部分的图像；运动组件，所...

本文所公开的实施方式包括用于消除在半导体工艺中产生的化合物的消除系统。消除系统包括位于等离子体源下游的排放冷却设备。排放冷却设备包括板和设置在所述板下游的冷却板。在操作期间，在板上收集的材料与清洁自由基反应以形成气体。板的温度高于冷却板...

在一个实现方式中，提供了一种在处理腔室中的衬底上形成非晶硅层的方法。所述方法包括在衬底上沉积预定厚度的牺牲介电层。所述方法还包括通过去除所述牺牲介电层的部分以暴露所述衬底的上表面来在所述衬底上形成图案化特征。所述方法还包括对所述图案化特...

本文描述在形成互连中使用的用于沉积低电阻率硅化镍层的方法和使用所述方法形成的电子装置。在一个实施方式中，一种用于沉积层的方法包括：将基板定位在处理腔室中的基板支撑件上，所述处理腔室具有设置在所述处理腔室中的镍靶材和硅靶材，所述镍靶材和硅...

本文描述的实施方式整体涉及一种波导和一种产生波导的方法。在一个实施方式中，本文公开了一种形成波导的方法。形成反转母衬底，所述反转母衬底具有从所述反转母衬底延伸的多个凸起。在所述反转母衬底的顶表面上形成高折射率材料。在所述高折射率材料的顶...

沉积具有受控制量的碳的氮化铝钛膜的方法。所述方法包括将基板表面暴露于钛前驱物、氮反应物和铝前驱物，其中在每次暴露之间进行净化。

本公开内容总体上涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体鞘层的设备和方法。所述设备涉及处理腔室和/或基板支撑件，所述处理腔室和/或所述基板支撑件包括具有边缘环电极的边缘环组件和具有夹持电极的静电吸盘。所述边缘环组件定位为与所述静电吸盘相邻，...

本文中的实施方式提供用于在基板上形成磁性隧道结(MTJ)结构的膜堆叠，包含：缓冲层；种晶层，设置在所述缓冲层上；第一钉扎层，设置在所述种晶层上；合成亚铁磁体(SyF)耦合层，设置在所述第一钉扎层上；第二钉扎层，设置在所述SyF耦合层上；...

示例性清洁或蚀刻方法可包括使含氟前驱物流入半导体处理腔室的远程等离子体区域中。方法可包括在远程等离子体区域内形成等离子体，以产生含氟前驱物的等离子体流出物。方法还可包括使等离子体流出物流入半导体处理腔室的处理区域中。基板可位于处理区域内...

与用于处理在工件上的钨膜的工艺相关的方法和系统包括：将工件支撑在腔室中；将氢气引入腔室中且建立至少5个大气压的压力；并且当腔室中的压力是至少5个大气压时，将工件上的钨膜暴露于氢气。

本文所述的实施方式涉及一种用于在基板上沉积蒸发材料的蒸发源。所述蒸发源包括具有多个喷嘴的分配管，其中所述多个喷嘴中的至少一个喷嘴包括第一喷嘴区段和第二喷嘴区段，所述第一喷嘴区段被配置为朝向所述基板释放蒸发材料的羽流，所述第二喷嘴区段被配...

本文描述基板支撑组件以及用于处理基板的设备。本公开一般涉及用于处理腔室中的电场、气流及热分布中的对称性以实现处理均匀性的设备及方法。本公开的实施例包括等离子体处理腔室，该等离子体处理腔室具有沿着同一中心轴对准的等离子体源、基板支撑组件和...

描述半导体器件(例如，3D‑NAND)中字线分离的方法。金属膜沉积在字线中及在间隔开的氧化物层的堆叠的表面上。通过高温氧化及蚀刻氧化物，或通过以单层方式氧化表面及蚀刻氧化物的低温原子层蚀刻，来移除金属膜。在移除金属覆盖层之后，字线被金属...

本公开的实施例总体涉及用于干式剥除沉积在半导体基板上的碳化硼层的方法。在一个实施方案中，该方法包括：将具有碳化硼层的基板装载到压力容器中；将基板暴露于包括氧化剂的处理气体，所述氧化剂的压力在约500托与60巴之间；将压力容器加热到大于处...

用于形成3D‑NAND器件的方法包括使多晶Si层凹陷到间隔的氧化物层下方的某一深度。在所述间隔的氧化物层上而不是在凹陷的多晶Si层上形成衬垫。在所述衬垫上的间隙中沉积金属层以形成字线。

本文描述的实现方式一般地涉及用于处理系统中处理基板的方法和装置。所述方法包括：在耦接至处理系统的传送腔室的缓冲腔室中，识别已在缓冲腔室中长于预定持续时间的第一基板；并且识别对于第一基板的处理系统的第一目标腔室。在识别第一基板之后，执行缓...

涉及处理在工件上的氮化硅膜的工艺的方法和系统，包括：在腔室中支撑工件，将胺气引入腔室中且建立至少5个大气压的压力；并且当腔室中的压力是至少5个大气压时，将工件上的氮化硅膜暴露于胺气。

一种积层制造设备，包含：平台；分配器，用于输送多个进料层；一或更多个光源，被配置为发射第一光束与第二光束；以及多边形束扫描器，包含可旋转镜，可旋转镜具有多个反射面以将第一光束与第二光束重定向为朝向平台，以传递能量至进料最上层。镜被定位并...

本文所述的实施方式大体涉及针对在III‑V族沟道材料的外延生长之前清洁基板的改善的方法和解决方案。使用第一处理气体以从基板表面移除原生氧化物层，第一处理气体包括惰性气体和氢源。随后使用第二处理气体Ar/Cl

本公开内容涉及用在半导体工艺腔室中的可旋转扩散器装置。所述装置包括扩散器板，所述扩散器板具有设置在横跨所述板的区域中的孔。设置为穿过动态流体密封件的轴允许所述板旋转，同时维持所述腔室内的所期望的压力。可以旋转所述板以使所述区域中的孔对准...