用于处置具有缓冲腔室的处理系统中的基板的方法和装置制造方法及图纸

本文描述的实现方式一般地涉及用于处理系统中处理基板的方法和装置。所述方法包括：在耦接至处理系统的传送腔室的缓冲腔室中，识别已在缓冲腔室中长于预定持续时间的第一基板；并且识别对于第一基板的处理系统的第一目标腔室。在识别第一基板之后，执行缓冲腔室超时操作。缓冲超时操作包括暂停基板从负载锁定腔室至缓冲腔室的移动，并且从缓冲腔室移除第一基板。

Method and apparatus for disposing a substrate in a processing system with a buffer chamber

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于处置具有缓冲腔室的处理系统中的基板的方法和装置
本文描述的实现方式通常涉及半导体处理系统。更具体地，实现方式涉及用于在具有缓冲腔室的多腔室半导体处理系统中处理基板的方法和装置。
技术介绍
大面积基板用于生产平板显示器(即，LCD、OLED、和其他类型的平板显示器)、太阳能面板等等。大面积基板通常是在一或多个真空处理腔室中处理，在所述处理腔室中，执行各种沉积、蚀刻、等离子体处理和其他电路和/或器件制造工艺。真空处理腔室通常是通过公共真空传送腔室耦接，所述真空传送腔室含有传送机器人，所述传送机器人在不同真空处理腔室之间传送基板。传送腔室和连接至传送腔室的其他腔室(例如，处理腔室)的组件通常被称为处理系统。在平板显示器的制造期间，基板是在各种处理腔室之间同时在真空条件下移动。每个处理腔室可执行半导体晶片处理的不同进程(stage)或阶段(phase)。为了在负载锁定腔室、处理腔室和缓冲腔室之间传送晶片，传送腔室包含传送机器人。在控制器的控制下，传送机器人在不同腔室之中传送基板。控制器控制由处理系统的传送机器人执行的基板传送。当目标腔室(例如，处理腔室的一个)不可用时，传送机器人可将基板传送至缓冲腔室。多个基板可存储在缓冲腔室中。对在缓冲腔室中存储的基板的处置有助于在整个处理系统中保持基板的高产量。对于改进存储在缓冲腔室中的基板的处置的装置和方法存在需求。
技术实现思路
本文描述的实现方式一般地涉及用于在基板上沉积材料的装置和方法。在一实现方式中，一种用于在处理系统中处理基板的方法包括：在耦接至处理系统的传送腔室的缓冲腔室中，识别已在缓冲腔室中长于预定持续时间的第一基板；并且识别对于第一基板的处理系统的第一目标腔室。在识别第一基板之后，执行缓冲腔室超时操作。缓冲超时操作包括暂停基板从负载锁定腔室至传送腔室的移动，并且从缓冲腔室移除第一基板。在另一实现方式中，一种用于处理基板的方法包括：在处理系统的缓冲腔室中，识别已在缓冲腔室中长于预定持续时间的第一基板。处理腔室进一步包括：第一传送腔室；耦接至第一传送腔室的负载锁定腔室；第二传送腔室；耦接至缓冲腔室的中间传送腔室；第一通道负载锁定腔室(passthroughloadlockchamber)，将第一传送腔室与中间传送腔室耦接；和第二通道负载锁定腔室，将第二传送腔室与中间传送腔室耦接。方法进一步包括识别对于第一基板的第一目标腔室，其中第一目标腔室耦接至第二传送腔室。在识别第一基板之后，执行缓冲腔室超时操作。缓冲腔室超时操作包括暂停基板从负载锁定腔室至第一传送腔室的移动，并且从缓冲腔室移除第一基板。在另一实现方式中，提供一种非暂时性机器可读存储介质，所述存储介质上存储有用于在处理系统中处理基板的计算机程序。计算机程序包括用于使处理系统执行工序的设置指令的例程。所述工序包括：在耦接至处理系统的传送腔室的缓冲腔室中，识别已在缓冲腔室中长于预定持续时间的第一基板；并且识别对于第一基板的处理系统的第一目标腔室。在识别第一基板之后，执行缓冲腔室超时操作。缓冲超时操作包括暂停基板从负载锁定腔室至传送腔室的移动，并且从缓冲腔室移除第一基板。附图说明以上简要概述本公开内容的上述详述特征可以被详细理解的方式、以及本公开内容的更特定描述，可通过参照实现方式来获得，所述实现方式的一些实现方式绘示于附图中。然而，应注意，附图仅绘示本公开内容的所选实现方式，因而不被视为对本公开内容的范围的限制，因为本公开内容可允许其他等同有效的实施方式。图1是根据一个实施方式的具有传送腔室的用于真空处理多个基板的处理腔室的俯视平面图。图2是根据一个实施方式的图1中的处理系统中所示的负载锁定腔室的侧横截面图。图3是根据一个实施方式的图1的缓冲腔室的侧横截面图。图4是根据一个实施方式的图1的掩膜腔室的侧横截面图。图5是根据一个实施方式的用于基板传送操作的基板传送操作的流程图。图6是根据一个实施方式的用于缓冲腔室超时操作的缓冲腔室超时操作的流程图。图7是根据一个实施方式的用于真空处理多个基板的串联处理系统的顶部示意图。为了促进理解，尽可能地，已经使用相同的附图标号以指示附图中共通的相同元件。另外地，一个实现方式的元件可有利地适于在本文描述的其他实现方式中利用。具体实施方式本公开内容的实施方式通常涉及用于真空处理大面积基板(例如，LCD、OLED，及其他类型的平板显示器、太阳能面板和类似基板)的真空处理系统。尽管在本文中描述了用于在大面积基板上执行沉积的真空处理系统，真空处理系统可替代地被构造以对基板执行其他真空工艺，诸如蚀刻工艺、离子植入工艺、退火工艺、等离子体处理工艺，和物理气相沉积工艺等。控制器用以操作处理系统。控制器执行用于处理存储在缓冲腔室中的基板的缓冲腔室超时例程。一或多个基板可在缓冲腔室中滞留较长持续时间。缓冲腔室超时例程的使用可帮助防止基板变得在缓冲腔室中滞留超过预定时间段。缓冲腔室超时例程提供一种当基板已在缓冲腔室中长于预定持续时间时，用于暂停处理系统的所选操作达缓冲超时时段的方法。在缓冲超时时段期间，暂停基板从负载锁定腔室的移动，并且缓冲腔室中的基板移动至已被识别的目标腔室。图1是根据本公开内容的一个实施方式的用于对多个基板102执行真空处理的真空系统100的平面图。处理系统100具有传送腔室110。多个处理腔室120，诸如处理腔室120A至120G，耦接至传送腔室110。处理腔室120A至120F可各自是化学气相沉积(chemicalvapordeposition；CVD)腔室。另外地，一或多个负载锁定腔室140可耦接至传送腔室110。缓冲腔室150耦接至传送腔室110。视情况地，掩膜腔室130耦接至传送腔室110。传送腔室110、处理腔室120、负载锁定腔室140、缓冲腔室150，以及形成处理系统100的任何另外附接的腔室是使用密封件耦接在一起以在处理系统中维持真空环境。控制器170控制处理系统100。控制器170具有中央处理单元172、存储器174、支持电路176，和输入/输出(Input/Output；I/O)周边设备180。控制器170执行操作程序，所述操作程序包括用以操作处理系统100的多个例程。操作程序是可存储在控制器170的存储器174或非暂时性计算机可读存储介质181中的计算机程序。非暂时性计算机可读存储介质可包括磁盘、闪存驱动器，和其他非暂时性介质，并且可使用I/O周边设备180载入至存储器174中。非暂时性机器可读存储介质在所述存储介质上存储有用于在处理系统100中处理基板的计算机程序。计算机程序包括用于使处理系统100执行对于本文公开内容的实施方式的操作的设置指令的例程。处理系统100被构造以保持和处理多个基板102。基板102可由玻璃、塑料或其他材料制成，或可包括玻璃、塑料或其他材料。基板可经由负载锁定腔室140往返于处理系统100移动。简要地转向至图2中所示的负载锁定腔室140的示意图，负载锁定腔室140可以是双重单腔本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于在处理系统中处理基板的方法，包含：/n在耦接至处理系统的传送腔室的缓冲腔室中，识别已在所述缓冲腔室中长于预定持续时间的第一基板；/n识别对于所述第一基板的所述处理系统的第一目标腔室；/n在识别所述第一基板之后，执行缓冲腔室超时操作，其中所述缓冲超时操作包含：暂停基板从负载锁定腔室至传送腔室的移动，并且从所述缓冲腔室移除所述第一基板。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170606 US 15/615,4561.一种用于在处理系统中处理基板的方法，包含：
在耦接至处理系统的传送腔室的缓冲腔室中，识别已在所述缓冲腔室中长于预定持续时间的第一基板；
识别对于所述第一基板的所述处理系统的第一目标腔室；
在识别所述第一基板之后，执行缓冲腔室超时操作，其中所述缓冲超时操作包含：暂停基板从负载锁定腔室至传送腔室的移动，并且从所述缓冲腔室移除所述第一基板。


2.如权利要求1所述的方法，进一步包含：
识别对于在所述缓冲腔室中的第二基板的所述处理系统的第二目标腔室；和
其中缓冲腔室超时操作进一步包含从所述缓冲腔室移除所述第二基板。


3.如权利要求2所述的方法，进一步包含：
在从所述缓冲腔室移除每一基板之后结束所述缓冲腔室超时操作；和
在结束所述缓冲腔室超时操作之后，开始基板从所述负载锁定腔室至所述传送腔室的移动。


4.如权利要求1所述的方法，进一步包含：
在所述缓冲腔室中存储多个基板；和
在从所述缓冲腔室已移除多个基板之后结束所述缓冲腔室超时操作。


5.如权利要求4所述的方法，进一步包含：
用传送机器人将所述第一基板从所述负载锁定腔室移动至所述缓冲腔室；和
在从所述缓冲腔室移除所述第一基板之后，移动所述第一基板至所述第一目标腔室。


6.如权利要求5所述的方法，其中所述传送机器人在第一传送腔室中，并且其中所述缓冲腔室耦接至所述第一传送腔室。


7.如权利要求1所述的方法，其中在所述缓冲腔室超时操作期间从所述缓冲腔室移除预定数目的基板。


8.一种用于处理基板的方法，包含：
在处理系统的缓冲腔室中，识别已在所述缓冲腔室中长于预定持续时间的第一基板，其中所述处理腔室进一步包括：
第一传送腔室；
耦接至所述第一传送腔室的负载锁定腔室；
第二传送腔室；
耦接至所述缓冲腔室的中间传送腔室；
第一通道负载锁定腔室，将所述第一传送腔室与所述中间传送腔室耦接；和
第二通道负载锁定腔室，将所述第二传送腔室与所述中间传送腔室耦接；
识别所述第一基板的第一目标腔室，其中所述第一目标腔室耦接至所述第二传送腔室；...

【专利技术属性】
技术研发人员：金宰永，詹姆斯·霍夫曼，木谷敦，权荣泽，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US