此处提供用于整个半导体批料上的均匀热分布的方法和设备。根据一个实施方式，用于半导体处理的微波炉，包含：热外壳，具有腔体和多个输入通口；功率源，配置成经由多个输入通口将微波信号提供至热外壳的腔体；移相器，设置于功率源与输入通口之间，其中移...

接收指示由增材制造系统通过液滴喷射而制造的抛光垫的期望形状的数据。数据包括限定期望轮廓的期望形状，期望轮廓包括具有由抛光垫上的一或多个凹槽而分开的一或多个分隔部的抛光表面。产生指示由增材制造系统通过液滴喷射而分配层所导致的期望轮廓的失真...

提供用于半导体应用的使用选择性沉积工艺来沉积形成在具有不同材料的基板的不同位置上的期望的材料的方法。于一个实施方式中，于基板上形成具有期望的材料的结构的方法包括以下步骤：设置有机材料在基板的表面上；执行热处理工艺，以选择性的在基板的第一...

本公开内容涉及流体输送组件和用于处理半导体基板的装置。本公开内容关于用于与半导体工艺腔室一起使用的流体输送系统组件。一系列三通阀控制工艺流体导管之间的工艺流体流动，所述工艺流体导管通向所述工艺腔室和转向导管。

本公开内容的实施方式大体上描述一种用于利用高密度等离子体化学气相沉积工艺沉积氮化硅(SiN)的阻挡层，特别是通过在沉积工艺期间施加偏压于基板来控制沉积的氮化硅层的膜应力的方法。在一个实施方式中，一种形成膜层的方法包括：加热基板至低于约1...

描述一种用于输送带有基板的载体的真空处理系统。所述系统包括：第一真空处理腔室，所述第一真空处理腔室用于处理所述载体上的所述基板；真空缓冲腔室，所述真空缓冲腔室为所述基板提供处理时间延迟；第二真空处理腔室，所述第二真空处理腔室用于在所述基...

在一些实施方式中提供了打印并处理层的方法和系统。所述层可以在晶片上或在应用面板上。之后，测量实际打印并处理的特征的位置。基于这些特征的测量差异与设计位置之间的差异，创建至少一个畸变模型。反演每个畸变模型以创建相应的校正模型。当有多个区段...

本发明的实施方式大体关于一种改进的适配器，所述适配器用于在快速热处理(RTP)腔室中用作热辐射源的简化灯。在一个实施方式中，提供有灯组件。灯元件包含具有灯丝设在所述舱体中的舱体；按压密封件，耦接至舱体；及适配器，具有插座，所述插座经调整...

本公开的实施方式整体涉及一种在小于250摄氏度的温度下处理半导体衬底的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：将具有沉积的膜的所述衬底装载到压力容器中；在大于约2巴的压力下将所述衬底暴露于包括氧化剂的处理气体；以及维持所述压力容器处于在所...

本文公开的实施方式关于在基板中形成沟槽和以可流动介电材料填充沟槽的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：使具有至少一个沟槽的基板经历沉积处理，以自下而上的方式在所述沟槽的底表面和侧壁表面上形成可流动层，直到所述可流动层达到预定的沉积厚度...

本发明描述了一种将膜选择地沉积在相对于第二基板表面的第一基板表面上的方法。该方法包括：使基板暴露于阻隔分子，以于该第一表面上选择性沉积阻隔层。于该第二表面上选择性形成层并于该阻隔层上形成该层的缺陷。从该第一表面上的该阻隔层去除该缺陷。

本文公开了用于减少和消除钨膜中的缺陷的方法和设备。在本公开内容中，公开了减少或消除设置在基板上和多个沟槽内的具有预定第一厚度的钨膜的第一表面的氧化的步骤。多个沟槽包括预定深度及小于20纳米的宽度。当第一表面与空气或氧气接触时，钨膜的预定...

本公开的实施方式大体上涉及用于在基板和腔室部件上沉积金属硅化物层的方法和装置。在一个实施方式中，形成硬掩膜的方法包括：将具有目标层的基板定位在处理腔室内、在所述目标层上形成包括金属硅化物的种晶层和在所述种晶层上沉积钨基主体层，其中所述金...

本公开的实施方式大体涉及集成电路的制造。更具体地，本文中描述的实施方式提供用于沉积用于图案化应用的高密度膜的技术。在一个实施方式中，提供一种处理基板的方法。该方法包括使含烃气体混合物流动至处理腔室的处理容积中，该处理腔室具有定位于静电吸...

实施方式包括方法和设备，所述方法和设备包括等离子体处理工具，所述等离子体处理工具包括多个磁体。在一个实施方式中，等离子体处理工具可包括处理腔室和耦接至处理腔室的多个模块化微波源。在实施方式中，多个模块化微波源包括位于形成处理腔室的外壁的...

等离子体源组件包含具有主体的RF热电极与至少一个返回电极，至少一个返回电极与RF热电极间隔开，以提供其中可以形成等离子体的间隙。RF馈送连接到RF热电极，而位于距离RF热电极的内周端一距离处，所述距离小于或等于RF热电极的长度的约25％。

一种圆柱靶材组件，用于在物理气相沉积处理腔室中使用而用于磁性增强的溅射应用。在此处所公开的实施方式中，围绕可旋转的背衬管设置的圆柱靶材具有一个或多个轮廓端部，符合位于均匀磁场的外侧的磁性溅射线。轮廓端部避免或实质上减少再沉积材料聚积于圆...

描述了一种用于沉积已蒸发材料于基板上的蒸发源(100)。蒸发源包括坩埚(110)，坩埚(110)用于材料蒸发；分配组件(120)，分配组件(120)具有一个或多个出口(125)，所述一个或多个出口(125)用于提供已蒸发材料至基板，分配...

兹描述用以将共形SiOC膜形成于表面上的方法及设备。SiCN膜形成在基板表面上并暴露于蒸气退火工艺，以减低氮含量、升高氧含量并使碳含量维持大约相同。经退火的膜具有膜的湿式蚀刻速率或介电常数中的一或多者。

实施方式包含：等离子体处理工具，所述等离子体处理工具包含：处理腔室，及被耦接至该处理腔室的多个模块化微波源。在一实施方式中，该多个模块化微波源包含：施加器的阵列，所述施加器被设置在介电体上，该介电体形成该处理腔室的外壁的一部分。该施加器...