提供了用于处理基板的工艺配件、处理腔室和方法。所述工艺配件包括边缘环、可调整调节环、以及致动机构。所述边缘环具有第一环部件，所述第一环部件与相对于所述第一环部件可移动的第二环部件相接，在所述第一环部件和所述第二环部件之间形成间隙。所述第...

提供了用于处理基板的工艺配件、处理腔室和方法。所述工艺配件包括边缘环、滑环、可调整调节环、以及致动机构。所述边缘环具有第一环部件，所述第一环部件与相对于所述第一环部件可移动的第二环部件相接，在所述第一环部件和所述第二环部件之间形成间隙。...

一种在抛光站抛光基板上的层的方法，包含以下动作：于在抛光站抛光期间利用原位监测系统监测所述层，以针对所述层上的多个不同位置产生多个所测得信号；针对多个不同位置中的每一位置，产生所述位置的对厚度的估算测量结果，产生步骤包含通过神经网络处理...

等离子体反应器包括具有提供等离子体腔室的内部空间并且具有顶板的腔室主体、用于将处理气体输送至等离子体腔室的气体分配器、耦接至等离子体腔室以抽空腔室的泵、保持工件面向顶板的工件支撑件、包括绝缘框架和在顶板与工件支撑件之间横向延伸穿过等离子...

本文公开的实施方式描述一种衬垫组件，该衬垫组件包括多个单独分开的气体通路。该衬垫组件提供跨正受处理的基板上的流动参数的控制，这些参数诸如流速、密度、方向与空间位置。利用根据本实施方式的衬垫组件，跨正受处理的基板的工艺气体可特定地经调整以...

提供一种用于非接触式运输沉积源的设备。设备包括沉积源组件。沉积源组件包括沉积源。沉积源组件包括第一主动磁性单元。设备包括在源运输方向上延伸的引导结构。沉积源组件沿引导结构是可移动的。第一主动磁性单元与引导结构经构造以用于提供第一磁浮力以...

一种使用化学机械平坦化(CMP)的扇出处理，降低介于半导体管芯与重新组成的晶片周围包覆成型之间的台阶高度。重新组成的晶片通过对至少一个管芯的背侧包覆成型而形成，所述至少一个管芯放置为有源侧面向下。重新组成的晶片接着定向以暴露管芯以及有源...

根据一实施方式，提供一种用于显示器制造的基板上的自动临界尺寸测量的方法。所述方法包括利用带电粒子束扫描具有第一尺寸的第一视场，以取得第一影像，第一影像具有用于显示器制造的基板的第一部分的第一分辨率；确定第一影像中的图案，图案具有第一位置...

本发明涉及高温静电吸盘，公开一种基板支撑件。所述基板支撑件具有介电主体，所述介电主体上形成有多个特征。壁架围绕所述多个特征的周边包围所述多个特征。所述特征在数量上从所述基板支撑件的中心区域朝向壁架增加。调配层任选地设置在所述介电主体上。

本申请描述了用于使用远程等离子体来蚀刻基板的方法和系统。远程激发的蚀刻剂被形成在远程等离子体中，并通过喷头流入基板处理区域以蚀刻基板。从基板正上方的基板处理区域获取光学发射光谱。光学发射光谱可用于确定蚀刻的终点，确定蚀刻速率或以其他方式...

本公开的实现方式涉及一种处理系统。在一个实现方式中，所述处理系统包括：盖；气体分配板，所述气体分配板设置在所述盖下方，所述气体分配板具有跨所述气体分配板的直径布置的通孔；基座，所述基座设置在所述气体分配板下方，所述基座和所述气体分配板在...

本公开内容提供了一种处理基板的方法。所述方法包括：将具有多个沉积开口(21)的掩模运输到处理腔室中；将具有背面图案(11)的基板运输到所述处理腔室中；使所述基板(10)相对于所述掩模(20)对准(780)；和用光学检查装置(440)来至...

提供了一种用于掩模布置的光学检查的方法。所述方法包括将掩模布置接收在设有参考基板的检查腔室中。此外，所述方法包括将所述掩模布置相对于所述参考基板对准。另外，所述方法包括用光学检查装置检查所述掩模布置的至少一部分与所述参考基板的至少一部分...

本文公开的实施方式包括一种用于最小化工件上的夹持力的方法，所述工件设置在等离子体处理腔室内的静电吸盘上。所述方法首先将工件放在处理腔室中的静电吸盘上。在所述处理腔室内轰击等离子体。监测所述工件上的偏转力。以最小值施加夹持电压。以最小压力...

用于无缝间隙填充的方法包括：通过PECVD来形成可流动膜；以反应性退火将可流动膜退火以形成经退火的膜；以及将可流动膜或经退火的膜硬化以固化此膜。可使用更高级硅烷与等离子体来形成可流动膜。反应性退火可使用甲硅烷或更高级硅烷。UV硬化或其他...

用于无缝间隙填充的方法包括：通过PECVD形成可流动膜；处理所述可流动膜以形成Si‑X膜，其中X＝C、O或N；以及固化所述可流动膜或所述Si‑X膜以凝固所述膜。所述可流动膜可以通过使用更高阶的硅烷和等离子体形成。UV固化、或其他固化可以...

描述了用于半导体制造前驱物的安瓿和使用方法。安瓿包括具有入口端口和出口端口的容器。入口端口在容器内的端部具有喷头。喷头具有至少两个成角度的喷嘴，以引导空腔内的气流，使得气流不垂直于安瓿内的液体的表面。

本发明涉及使用具有电流返回输出级的脉冲发生器来控制离子能量分布的方法。本公开内容的实施方式描述了一种电极偏置方案，其能够维持几乎恒定的鞘层电压，并因此在基板的表面处产生单能IEDF，因而能够精确控制IEDF的形状和在基板表面中形成的特征...

本文提供用于基板处理系统中的基板支撑件的基板位置校准的方法与设备。一些实施方式中，一种用于在基板支撑件上定位基板的方法包括：通过重复地将基板放置于基板支撑件上的位置且将所述基板真空吸附至所述基板支撑件及测量背侧压力，而获得多个背侧压力值...

描述了一种用于将材料沉积在基板上的材料沉积布置腔室(1000)。材料沉积布置腔室包括真空产生装置(1060)和材料沉积布置(100)。材料沉积布置具有阀元件(200)，阀元件被配置为调节将沉积的材料的材料流通。