一种电子装置制造系统可包括具有受控环境的工厂接口。电子装置制造系统也可包括耦接到工厂接口的装载端口。装载端口可被配置为在其上接收基板载体，且可包括净化设备和控制器。控制器可被配置为操作装载端口，使得定位在基板载体门与装载端口周围和之间的...

此处公开用于基板处理设备的排放模块，具有主体、泵送环及对称流动阀。所述主体具有穿过所述主体形成的第一及第二真空泵开口。在所述主体中在所述第一及所述第二真空泵开口两者之上放置所述泵送环。所述泵送环包含具有顶部表面、底部表面及开口的实质环形...

本公开大体关于减少基板表面上的粒子污染物的设备与方法。在一个示例中，设备被实现为装载锁定腔室，包括被设置在加热器基座上方并且耦接至加热器基座的顶部加热器衬里。顶部加热器衬里通常包括顶部板与一个或多个壁，一个或多个壁将顶部加热器衬里支撑在...

本文考虑用于增强离子能量的方法和设备。在一个实施例中，方法和装置包括控制器、具有经配置成处理晶片的对称等离子体源的工艺腔室、耦合至工艺腔室以产生等离子体密度的一个或多个特高频(VHF)源以及两个或更多个频率发生器，所述两个或更多个频率发...

公开物理气相沉积靶材组件和冷却物理气相沉积靶材的方法。示例性靶材组件包括流动图案，流动图案包含流体地连接至入口端和出口端的多个列和弯曲部。

本文公开了用于通过热压制造层状陶瓷材料的方法。一种方法包括以下步骤：将粉末压块或陶瓷浆料设置于制品的表面上，其中制品为处理腔室的腔室部件。通过以下步骤，抵靠制品的表面热压粉末压块或陶瓷浆料：加热制品和粉末压块或陶瓷浆料，并施加15至10...

本公开内容的实施方式涉及用于抛光具有高平整性的薄基板的系统、设备和方法。设备包括化学机械抛光头和板。抛光头包括底表面、扣环、在底表面与扣环之间限定的工件接收袋和至少一个真空口，真空口适于通过抛光头的底表面向工件接收袋提供真空。板设置在工...

本实用新型涉及一种在处理腔室中使用的接地条，所述接地条包括：核心主体；和铝层，所述铝层涂在并且覆盖所述核心主体的周围；其中所述铝层具有超过15μm的厚度。此外，提供一种处理腔室，所述处理腔室包括：腔室主体，所述腔室主体界定内部空间；基座...

在一个实现中，提供了一种喷头组件。喷头组件包括第一电极和气体分配面板，第一电极具有穿过所述第一电极的多个开口，气体分配面板附接到电极的第一下主表面。气体分配板包括多个通孔，用于将工艺气体输送至处理腔室。气体分配板被分成多个温度控制区域。...

提供一种方法，该方法使用位置特定研磨模块使当研磨基板的局部区域时基板上校正位置之间的行进距离与时间减至最少，该基板诸如半导体晶片。确定校正分布，且使用根据该校正分布的配方研磨基板。通过使用基板支撑卡盘与支撑臂的组合运动，研磨垫组件在第一...

本公开内容提供一种用于清洁材料沉积源(400)的部件(20)的方法(100)。所述方法(100)包括：将所述部件(20)插入(110)清洁液(201)中；将超声源(220)插入(120)所述部件(20)的内部中；和操作(130)所述超声...

本文中描述用于使用物理气相沉积(PVD)工艺和退火工艺中的一种或物理气相沉积工艺和退火工艺的组合形成低电阻率的金属硅化物互连的方法。在一个实施方式中，一种形成多个导线互连的方法包含使溅射气体流入处理腔室的处理空间中，向设置在所述处理空间...

本文公开一种在制品的表面上的具有一个或多个中断层以控制晶体生长的稀土氧化物涂层及其形成方法。所述涂层可以通过原子层沉积和/或通过化学气相沉积来沉积。本文公开的所述涂层中的稀土氧化物可以具有与所述一个或多个中断层的原子晶相或非晶相不同的原...

半导体器件包括含硅和氮层；在含硅和氮层中形成的具有至少40:1的纵横比的特征；以及在特征面上的氧化层，所述氧化层在含硅和氮层的底部区域中具有的厚度是顶部区域中的氧化层的厚度的至少95％。基板氧化组件包括：界定处理容积的腔室主体；设置在处...

本文所说明的实施例大体涉及用于在基板上沉积材料的设备与方法。在一个实现中，用于处理基板的处理腔室包含腔室主体与基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述腔室主体中并且适于支撑基板。所述处理腔室包含定位在所述基板支撑件上方的多个气体入口，以在所...

一种系统包括工艺腔室、界定波导空腔的壳体、和在壳体内的第一导电板。第一导电板面向工艺腔室。所述系统还包括至少可调整第一导电板的位置的一个或多个调整装置、以及在波导空腔与工艺腔室之间的与壳体耦接的第二导电板。电磁辐射可经由第二导电板中的孔...

用于等离子体处理半导体基板的设备。该设备的情形包括上屏蔽件，上屏蔽件具有布置于上屏蔽件中心的气体扩散器。气体扩散器与上屏蔽件允许处理气体以层流的方式进入处理腔室。上屏蔽件剖面促进处理气体的径向扩散和自基板表面蚀刻来的材料的径向移动。上屏...

公开了可移动并且可移除的处理配件。本公开的各方面大体涉及用于调整边缘环位置并且用于移除或更换处理腔室的处理配件的一个或多个部件的方法和装置。处理配件包括边缘环、支撑环、滑环和其他自耗的或可降解的部件中的一个或多个。

蚀刻半导体基板的系统和方法可包括使含氧前驱物流到半导体处理腔室的基板处理区域中。基板处理区域可容纳半导体基板，且半导体基板可包括暴露的含金属材料。方法可包括使含氮前驱物流到基板处理区域中。方法可进一步包括移除一定量的含金属材料。

本文提供了用于RF脉冲反射减少的方法和系统。在一些实施例中，一种方法包括：(a)接收用于处理基板的处理配方，所述处理配方包括在第一工作周期期间的来自多个RF产生器的多个脉冲RF功率波形，(b)将第一工作周期分成多个相等的时间间隔，(c)...