本文提供了在等离子体反应器中用于可调节工件偏压的系统和方法。在一些实施例中，系统包含：等离子体腔室，所述等离子体腔室执行工件上的等离子体处理；第一脉冲电压源，所述第一脉冲电压源直接耦合至工件；第二脉冲电压源，所述第二脉冲电压源电容性地耦...

本文公开的实施例总的来说关于等离子体处理系统。等离子体处理系统包括处理腔室、腔室陈化系统和远程等离子体清洁系统。处理腔室具有界定处理区域和等离子体场的腔室主体。腔室陈化系统耦接到处理腔室。腔室陈化系统经配置而陈化处理区域和等离子体场。远...

本文所述的实施方式总体上涉及用于形成可流动膜的设备。在一个实施方式中，设备为扩散器，所述扩散器包括具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的主体、形成在所述第一表面中的多个圆顶结构、形成在所述第二表面中的中心歧管以及耦接在所述中心歧管...

一种用于处理腔室的腔室部件包括陶瓷主体，所述陶瓷主体由烧结陶瓷材料组成，所述烧结陶瓷材料基本上由Y2O3‑ZrO2的一个或多个相组成。所述陶瓷材料基本上由55摩尔％‑65摩尔％的Y2O3和35摩尔％‑45摩尔％的ZrO2组成。

本公开涉及抛光制品。抛光制品制造系统包含：进料段和卷取段，所述卷取段包含供应辊，所述供应辊具有抛光制品，所述抛光制品设置在所述供应辊上并用于化学机械抛光工艺；打印段，所述打印段包含设置在所述进料段与所述卷取段之间的多个打印头；以及固化段...

本文的实施方式涉及用于处理腔室中的气体分配的设备。更具体地，本公开内容的方面涉及一种陶瓷面板。所述面板一般具有陶瓷主体。在所述面板主体的上表面中形成凹槽。多个孔隙穿过面板在所述凹槽中形成。在所述凹槽中可选地设置加热器以加热所述面板。

本文所述的实施例大体涉及制造用于存储器器件(诸如NAND器件)的3D存储器单元的氧化物/多晶硅(OP)堆叠的方法。所述方法通常包括在PECVD工艺期间用前驱物处理所述氧化物和/或多晶硅材料，以降低所述氧化物的介电常数并降低所述多晶硅的电...

本公开内容的实施方式一般描述用于使用高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)处理在基板之上(包含先前形成在基板之上的层的上方)沉积非晶碳层的方法，且特别地，在沉积处理期间的基板的偏压及将除了惰性气体之外的氮源气体和/或氢源气体流动进入处理腔室...

本公开内容的实施方式整体涉及用于处理一个或多个基板的方法和设备，并且更具体地涉及用于数字光刻系统的改善的空间光调制器和使用改善的空间光调制器的数字光刻方法。所述空间光调制器经构造以使得在相邻空间光调制器像素之间存在180度的相移。所述空...

描述一种操作真空处理系统(100、200、300)的方法，所述真空处理系统具有主要传输路径(50)，基板可沿着主要传输路径(50)在主要传输方向(Z)上传输。方法包括：(1a)从主要传输路径(50)输送出基板(10)至第一沉积模块(D1...

根据本公开内容的沉积源被设置在用于蒸发沉积材料的工艺腔室内部，以将沉积材料沉积在基板上。沉积源包括：扩散容器，所述扩散容器具有预定长度且在其中限定扩散空间，在所述扩散空间中扩散经蒸发的沉积材料；至少一个开口，所述至少一个开口形成在所述扩...

用于将导电膜施加至具有种晶层的基板上的电化学工艺包含把基板放入以与含钴或镍的电化学电镀浴接触，且电镀浴的pH为4.0至9.0。引导电流通过浴而至基板。浴中的钴或镍离子沉积至种晶层上。电镀浴可含氯化钴和甘氨酸。电流可为1‑50毫安/平方厘...

本发明涉及一种方法以及腔室部件。一种用于半导体工艺腔室部件的表面的多组分涂层组成物包括使用原子层沉积工艺涂布到该半导体工艺腔室部件的该表面上的氧化钇或氟化钇的至少一个第一膜层以及使用原子层沉积工艺涂布到该半导体工艺腔室部件的该表面上的额...

本文描述相对于第二基板表面将膜选择性地沉积至第一基板表面上的方法。所述方法可包括以下步骤：在不保护电介质的情况下，将第二金属沉积于第一金属上；用交联的自组装单层保护所述金属；以及在所述金属受保护的同时，将第二电介质沉积电介质于第一电介质上。

实施方式提供了用于改良的装载端口的系统、设备及方法，所述装载端口是可操作的以净化受困于基板载体门与载体门开启器之间的空气。实施方式包括：对接盘，适于接收包括载体门的基板载体；门开启器，邻近所述对接盘且适于耦接至所述载体门并打开所述载体门...

一种用于基板支撑组件的加热器组件，包含柔性主体。加热器组件进一步包含设置在柔性主体中的一或多个电阻式加热元件。加热器组件进一步包含第一金属层，第一金属层设置在柔性主体的顶表面上，并至少部分延伸至柔性主体的外侧壁上。加热器组件进一步包含第...

处理平台具有带机器人的中央传送站和具有大于或等于约0.1重量％水蒸气的环境，连接到传送站的一侧面的预清洁腔室和连接到传送站的一侧面的批量处理腔室。处理平台经构造以预清洁基板，以从第一表面移除原生氧化物，使用烷基硅烷形成阻挡层并选择性地沉...

本公开内容的实施方式提供具有原位离子注入能力的溅射腔室。在一个实施方式中，溅射腔室包含靶材、耦接至所述靶材的RF和DC电源、包含平坦基板接收表面的支撑件主体、耦接至支撑件主体的偏置功率源、耦接至偏置功率源的脉冲控制器和排放组件，其中所述...

提供用于半导体处理的支撑环。支撑环包含环形主体，该环形主体由内边缘及外边缘来界定。该内边缘及该外边缘同心的绕着中央轴。该环形主体进一步包含第一侧、第二侧、及突起环状肩部，该突起环状肩部在该内边缘处由该环形主体的该第一侧延伸。该支撑环也包...

在一个实施方式中，提供一种在基板上形成钴层的方法。方法包含在基板上形成阻挡层和/或衬垫层，基板具有形成在基板的第一表面中的特征限定结构，其中阻挡层和/或衬垫层形成在特征限定结构的侧壁与底表面上。方法进一步包含将基板暴露于钌前驱物，以在阻...