电化学电镀方法技术

用于将导电膜施加至具有种晶层的基板上的电化学工艺包含把基板放入以与含钴或镍的电化学电镀浴接触，且电镀浴的pH为4.0至9.0。引导电流通过浴而至基板。浴中的钴或镍离子沉积至种晶层上。电镀浴可含氯化钴和甘氨酸。电流可为1‑50毫安/平方厘米的范围。完成电化学工艺后，可以将基板移出电镀浴、清洗并干燥，接着以200℃至400℃的温度退火，以改善材料性质及减少接缝线缺陷。可通过多次循环来执行电镀及退火工艺。

Method of electrochemical plating

【技术实现步骤摘要】
电化学电镀方法本申请是申请日为2015年3月16日、申请号为201580013199.4、名称为“电化学电镀方法”的专利技术专利申请的分案申请。本专利技术的领域为用于电化学处理微型工件、晶片或基板的方法。
技术介绍
诸如微型的电子装置、机电装置或光学装置之类微电子装置通常是在工件或基板上和/或工件或基板内制造，例如硅晶片。在典型制造工艺中，例如在半导体材料晶片上，首先利用化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、无电电镀(electrolessplating)工艺或其它合适的方法将导电种晶层施加至基板的表面上。形成种晶层后，在存在含金属离子的电处理溶液的情况下，通过于种晶层与一或多个电极间施加合适的电势，将金属覆盖(blanket)层或经图案化的金属层电镀至基板上。接着在后续工序中清洁、蚀刻和/或退火处理基板，以形成装置、触点或导线。一些基板可具有阻挡层，种晶层形成于阻挡层上。目前，微电子装置大多制作在镀铜基板上。尽管铜具有高的导电率，但铜通常需要阻挡层，例如氮化钽(TaN)，以防止铜扩散到基板或基板上的介电材料内。此类阻挡层具有相对低的导电率。利用已知技术，以使用酸铜化学品或电镀溶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电化学方法，所述方法包含以下步骤：把基板放入以与含钴盐的电化学电镀浴接触，所述基板具有钴种晶层，且所述电镀浴的pH为大于4且多达9；引导电流通过所述浴，以减少所述电镀浴中的钴离子，和沉积钴的共形膜至所述钴种晶层上；及以200至450℃的温度退火处理所述基板。

【技术特征摘要】
2014.03.19 US 14/219,9401.一种电化学方法，所述方法包含以下步骤：把基板放入以与含钴盐的电化学电镀浴接触，所述基板具有钴种晶层，且所述电镀浴的pH为大于4且多达9；引导电流通过所述浴，以减少所述电镀浴中的钴离子，和沉积钴的共形膜至所述钴种晶层上；及以200至450℃的温度退火处理所述基板。2.如权利要求1所述的方法，所述电镀浴包含甘氨酸。3.如权利要求1所述的方法，所述电镀浴的pH为6.5至8.3。4.如权利要求1所述的方法，所述电流为1-50毫安/平方厘米的范围。5.如权利要求1所述的方法，其中所述退火处理是在H2/He、N2/H2、还原气体、...

【专利技术属性】
技术研发人员：约翰·W·莱姆，伊斯梅尔·埃迈什，罗伊·沙维夫，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US